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81. 发明专利

TW201808796A 太陽電池用離子捕捉劑及含有其之太陽電池用封裝劑組成物以及太陽電池模組审中-公开
简体标题：太阳电池用离子捕捉剂及含有其之太阳电池用封装剂组成物以及太阳电池模块
公开(公告)号：TW201808796A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106107234
申请日：2017-03-06
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：大野康晴 , ONO, YASUHARU
IPC分类号： C01B25/45 , C08K3/32 , C08L23/08 , H01L31/048
CPC分类号： C01B25/45 , C08K3/32 , C08L23/08 , C08L101/00 , H01L31/048 , Y02E10/50
摘要：本發明之太陽電池用離子捕捉劑係含有(A)離子交換基的至少一部分經選自鋰離子、鉀離子、銫離子、銣離子、鎂離子及鈣離子的至少1種離子(a1)取代的α-磷酸鋯、以及、(B)離子交換基的至少一部分經選自鋰離子、鉀離子、銫離子、銣離子、鎂離子及鈣離子的至少1種離子(b1)取代的α-磷酸鈦之至少一者。
简体摘要：本发明之太阳电池用离子捕捉剂系含有(A)离子交换基的至少一部分经选自锂离子、钾离子、铯离子、铷离子、镁离子及钙离子的至少1种离子(a1)取代的α-磷酸锆、以及、(B)离子交换基的至少一部分经选自锂离子、钾离子、铯离子、铷离子、镁离子及钙离子的至少1种离子(b1)取代的α-磷酸钛之至少一者。

82. 发明专利

TW201805381A 研磨用組成物及其製造方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及其制造方法
公开(公告)号：TW201805381A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106111171
申请日：2017-03-31
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD. , 福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：竹本貴之 , TAKEMOTO, TAKAYUKI , 斎藤直彥 , SAITO, NAOHIKO , 河合道弘 , KAAI, MICHIHIRO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 須賀裕介 , SUGA, YUSUKE , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号： B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可實現更為高精度之平滑性的研磨用組成物。本發明係在包含研磨粒及鹼性化合物之研磨用組成物，以包含水溶性高分子化合物、與聚合起始劑及阻聚劑之反應物的方式進行。藉由此反應物，而得到更為高之平滑性。
简体摘要：本发明系提供一种可实现更为高精度之平滑性的研磨用组成物。本发明系在包含研磨粒及碱性化合物之研磨用组成物，以包含水溶性高分子化合物、与聚合起始剂及阻聚剂之反应物的方式进行。借由此反应物，而得到更为高之平滑性。

83. 发明专利

TW201800505A 提供強韌硬化物之樹脂薄片製造用硬化型組成物审中-公开
简体标题：提供强韧硬化物之树脂薄片制造用硬化型组成物
公开(公告)号：TW201800505A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106046
申请日：2017-02-23
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：津田隆 , TSUDA, TAKASHI , 神村浩之 , KAMIMURA, HIROYUKI , 小池信明 , KOIKE, NOBUAKI , 岡崎榮一 , OKAZAKI, EIICHI
IPC分类号： C09D4/02 , C09D175/14 , C09D7/12 , C09D5/00 , C08F2/50 , C08J5/18 , G02B1/14 , G02B5/30
CPC分类号： C08F290/06 , C08K5/09 , C08L101/02 , G02B5/30
摘要：本發明提供一種樹脂薄片製造用硬化型組成物，其除了剛性及強韌性以外，耐熱性亦優異。本發明提供一種樹脂薄片製造用硬化型組成物，其含有下述(A)成分、(B)成分以及任選地含有(C)成分，其係在(A)成分、(B)成分及(C)成分的總量100重量%中，以40~80重量%的比例含有(A)成分、以60~20重量%的比例含有(B)成分、以及以0~40重量%的比例含有(C)成分。 (A)成分：具有共軛酸的pKa為-3~1之弱鹼性基之寡聚物或聚合物 (B)成分：具有羧基及烯性不飽和基的化合物 (C)成分：(A)成分及(B)成分以外之含烯性不飽和基的化合物
简体摘要：本发明提供一种树脂薄片制造用硬化型组成物，其除了刚性及强韧性以外，耐热性亦优异。本发明提供一种树脂薄片制造用硬化型组成物，其含有下述(A)成分、(B)成分以及任选地含有(C)成分，其系在(A)成分、(B)成分及(C)成分的总量100重量%中，以40~80重量%的比例含有(A)成分、以60~20重量%的比例含有(B)成分、以及以0~40重量%的比例含有(C)成分。 (A)成分：具有共轭酸的pKa为-3~1之弱碱性基之寡聚物或聚合物 (B)成分：具有羧基及烯性不饱和基的化合物 (C)成分：(A)成分及(B)成分以外之含烯性不饱和基的化合物

84. 发明专利

TWI607074B 光硬化性接著劑組成物、偏光板及其製造方法、光學構件及液晶顯示裝置有权
简体标题：光硬化性接着剂组成物、偏光板及其制造方法、光学构件及液晶显示设备
公开(公告)号：TWI607074B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW102136674
申请日：2013-10-11
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD. , 住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：稻田和正 , INATA, KAZUMASA , 米田智 , YONEDA, SATOSHI , 佐內康之 , SANAI, YASUYUKI , 市原正寬 , ICHIHARA, MASAHIRO
IPC分类号： C09J163/00 , C09J133/04 , C09J7/02 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号： C09J4/00 , C08L67/06 , C09J163/00 , G02B5/3083

85. 发明专利

TW201730292A 導電性高分子用隱形蝕刻墨水及導電性高分子之圖案化方法审中-公开
简体标题：导电性高分子用隐形蚀刻墨水及导电性高分子之图案化方法
公开(公告)号：TW201730292A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105133263
申请日：2016-10-14
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：橋本祐介 , HASHIMOTO, YUUSUKE , 井原孝 , IHARA, TAKASHI
IPC分类号： C09D9/00 , C09D133/02 , C09D7/12 , C09K13/00 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： C09D11/10 , H01B13/00
摘要：本發明之目的在於提供一種隱形蝕刻墨水，其在將導電性高分子膜去活化時乾燥性及清洗性優異，以及提供一種使用有該隱形蝕刻墨水之導電性高分子之圖案化方法。解決手段上，可透過含有導電性高分子用蝕刻劑(A)、無機粒子(B)、聚丙烯酸或其鹽(C)及水系介質(D)且pH調整到3~7之導電性高分子用隱形蝕刻墨水來解決前述課題。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种隐形蚀刻墨水，其在将导电性高分子膜去活化时干燥性及清洗性优异，以及提供一种使用有该隐形蚀刻墨水之导电性高分子之图案化方法。解决手段上，可透过含有导电性高分子用蚀刻剂(A)、无机粒子(B)、聚丙烯酸或其盐(C)及水系介质(D)且pH调整到3~7之导电性高分子用隐形蚀刻墨水来解决前述课题。

86. 发明专利

TW201708179A （甲基）丙烯酸酯之製造方法审中-公开
简体标题：（甲基）丙烯酸酯之制造方法
公开(公告)号：TW201708179A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107204
申请日：2016-03-09
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：橋本直樹 , HASHIMOTO, NAOKI
IPC分类号： C07C67/03 , B01J31/22 , C07C69/54 , C07B61/00
CPC分类号： C07C67/02 , B01J31/0235 , B01J31/182 , B01J31/22 , B01J31/2226 , B01J31/2234 , B01J31/2239 , B01J31/40 , B01J2231/49 , B01J2531/0216 , B01J2531/26 , C07B61/00 , C07C67/03 , C07C69/54
摘要：依據本發明，提供包含以下之步驟的(甲基)丙烯酸酯之製造方法：(反應步驟1)合併使用下述觸媒A及下述觸媒B，並且使醇與單官能(甲基)丙烯酸酯進行酯交換反應，製造(甲基)丙烯酸酯之步驟，觸媒A：選自具有氮雜雙環構造之環狀三級胺或其鹽或是其錯合物所成之群中一種以上之化合物，觸媒B：選自包含鋅之化合物所成之群中一種以上之化合物，(觸媒回收步驟)自包含前述反應步驟1或反應步驟所得之(甲基)丙烯酸酯的反應生成物中，分離包含觸媒A及/或觸媒B之固體的步驟，(反應步驟2)將包含以前述觸媒回收步驟所得之觸媒A及/或觸媒B之固體作為觸媒或觸媒一部分來使用，使醇與單官能(甲基)丙烯酸酯進行酯交換反應，製造(甲基)丙烯酸酯之步驟。
简体摘要：依据本发明，提供包含以下之步骤的(甲基)丙烯酸酯之制造方法：(反应步骤1)合并使用下述触媒A及下述触媒B，并且使醇与单官能(甲基)丙烯酸酯进行酯交换反应，制造(甲基)丙烯酸酯之步骤，触媒A：选自具有氮杂双环构造之环状三级胺或其盐或是其错合物所成之群中一种以上之化合物，触媒B：选自包含锌之化合物所成之群中一种以上之化合物，(触媒回收步骤)自包含前述反应步骤1或反应步骤所得之(甲基)丙烯酸酯的反应生成物中，分离包含触媒A及/或触媒B之固体的步骤，(反应步骤2)将包含以前述触媒回收步骤所得之触媒A及/或触媒B之固体作为触媒或触媒一部分来使用，使醇与单官能(甲基)丙烯酸酯进行酯交换反应，制造(甲基)丙烯酸酯之步骤。

87. 发明专利

TWI568460B 醛系氣體消臭劑及其製造方法有权
简体标题：醛系气体消臭剂及其制造方法
公开(公告)号：TWI568460B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102105042
申请日：2013-02-08
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：安藤聰子 , ANDO, SATOKO , 杉浦晃治 , SUGIURA, KOJI
IPC分类号： A61L9/01
CPC分类号： A61L9/01 , D06M13/422

88. 发明专利

TWI544008B 聚矽氧烷之製造方法有权
简体标题：聚硅氧烷之制造方法
公开(公告)号：TWI544008B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW101151046
申请日：2012-12-28
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：小倉絹子 , OGURA, KINUKO , 北村昭憲 , KITAMURA, AKINORI
IPC分类号： C08G77/06 , C08G77/12
CPC分类号： C08G77/20 , C08G77/06 , C08G77/80 , C09D183/04

89. 发明专利

TW201627327A 聚合物微粒子及其製造方法审中-公开
简体标题：聚合物微粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW201627327A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104130822
申请日：2015-09-17
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：斎藤直彥 , SAITO, NAOHIKO , 平野徳弘 , HIRANO, NORIHIRO , 松崎英男 , MATSUZAKI, HIDEO
IPC分类号： C08F2/08 , C08F2/20 , C08F290/12 , C08F220/14 , C08F220/18
CPC分类号： C08J9/286 , C08F2/08 , C08F2/20 , C08F290/12 , C08F290/126 , C08F2810/30 , C08J2333/02 , C08J2333/08 , C08F220/14 , C08F2220/1825
摘要：本揭示係關於製造聚合物微粒子之方法，其具備在分散安定劑存在下，使乙烯基單體於可溶解該乙烯基單體及該分散安定劑但不溶解所生成之聚合物之親水性溶劑中進行聚合之步驟。本揭示係於該聚合物微粒子之製造方法中，上述分散安定劑係含有在分子鏈之中途具有羧基及乙烯性不飽和基之大分子單體者，上述大分子單體平均每1分子具有1.4~2.5個乙烯性不飽和基，上述大分子單體中之羧基含量之平均值為0.5~2.5meq/g。
简体摘要：本揭示系关于制造聚合物微粒子之方法，其具备在分散安定剂存在下，使乙烯基单体于可溶解该乙烯基单体及该分散安定剂但不溶解所生成之聚合物之亲水性溶剂中进行聚合之步骤。本揭示系于该聚合物微粒子之制造方法中，上述分散安定剂系含有在分子链之中途具有羧基及乙烯性不饱和基之大分子单体者，上述大分子单体平均每1分子具有1.4~2.5个乙烯性不饱和基，上述大分子单体中之羧基含量之平均值为0.5~2.5meq/g。

90. 发明专利

TW201609539A 三氯矽烷之製造方法审中-公开
简体标题：三氯硅烷之制造方法
公开(公告)号：TW201609539A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104122145
申请日：2015-07-08
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD. , 國立大學法人東京工業大學 , TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：石川幸二 , ISHIKAWA, KOJI , 堀江洋慈 , HORIE, YOJI , 岡崎栄一 , OKAZAKI, EIICHI , 和田雄二 , WADA, YUJI , 望月大 , MOCHIZUKI, DAI , 藤井翼 , FUJII, TSUBASA
IPC分类号： C01B33/107 , B01J19/12
CPC分类号： C01B33/107
摘要：本發明係一種三氯矽烷之製造方法，其課題為提供：能量效率為良好，設備．運轉成本為低，而未有製造裝置污染的憂慮，高收穫率，安定地製造三氯矽烷之方法。本發明之三氯矽烷之製造方法係具備：於包含經由微波的照射而加熱至600~1000℃之發熱體的系統，供給四氯化矽及氫氣，使三氯矽烷生成之工程者。
简体摘要：本发明系一种三氯硅烷之制造方法，其课题为提供：能量效率为良好，设备．运转成本为低，而未有制造设备污染的忧虑，高收获率，安定地制造三氯硅烷之方法。本发明之三氯硅烷之制造方法系具备：于包含经由微波的照射而加热至600~1000℃之发热体的系统，供给四氯化硅及氢气，使三氯硅烷生成之工程者。

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