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81. 实用新型

JP3168689U プラズマベベルエッチング装置の延長電極失效
标题翻译：等离子体斜面蚀刻装置的延伸电极
公开(公告)号：JP3168689U
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：JP2011002038
申请日：2011-04-13
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：グレゴリー・セクストン , ポール・アポンテ
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32532 , H01J37/32559 , H01J37/32862 , H01J2237/3343
摘要：【課題】耐久性及びエッチング速度が向上された、プラズマベベルエッチャーのための延長電極を提供する。【解決手段】延長電極は、外周、内周、取り付け面及び、外周から内周にかけて広がるプラズマ暴露切頂円錐面を有する環状ボディを備える。【選択図】図3
摘要翻译：甲耐久性和蚀刻速率提高，以提供用于等离子体的斜面蚀刻机的延伸电极。的延伸电极包括外周，内周安装表面和具有等离子的环状体露出朝向从外周的内周延伸的截头圆锥表面。点域

82. 实用新型

JP3161173U ガスケット失效
标题翻译：垫片
公开(公告)号：JP3161173U
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：JP2010003065
申请日：2010-05-11
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：デラレラアンソニー , マンキディプラティク , デラレラアンソニー , マンキディプラティク
IPC分类号： H01L21/205 , F16J15/06 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32559 , F16J15/02 , F16J15/064 , F16J15/0831 , F16J15/0887 , F16J15/121 , F16J2015/0856 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J2237/022 , Y10T29/49117
摘要：【課題】シャワーヘッド電極アセンブリ中に設置されるように構成されたガスケットセットにおける熱伝導性および導電性のガスケットを提供する。【解決手段】シャワーヘッド電極アセンブリ100A中に設置されるように構成されたガスケットセットにおける熱伝導性および導電性のガスケットは、8列の円形列のガス注入穴と、複数の位置合わせピン穴と、固定機構を受容するための位置合わせリング溝および/または複数のねじ穴とを有する内側電極120A、固定機構を受容するための複数のねじ穴を有する外側電極130A、ならびに固定機構を受容するための複数のねじ穴を有する環状シュラウドを備える。【選択図】図1A
摘要翻译：在设置为被放置在该喷头电极总成的结构的垫片提供衬垫的热和导电性。导热和导电的垫圈设置在被放置在该喷头电极总成100A包括8列的圆形排的气体喷射孔的配置垫片，和多个定位销孔中，内电极120A和定位环槽和/或用于接收一个锁定机构的多个螺纹孔，具有多个螺纹孔，用于接收一个锁定机构的外电极130A，以及用于接收一个锁定机构具有多个螺纹孔的环形护罩。点域1A

83. 发明专利

JP2017118095A モノリシックマニホールドマスク及び基板の概念审中-公开
公开(公告)号：JP2017118095A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016170414
申请日：2016-09-01
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： MICHAEL C KELLOGG , ANDREW C LEE , CHRISTOPHER J PENA
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： B23P19/10 , B23P19/04 , B23P19/12 , H01L21/02 , Y10T29/49895 , Y10T29/49899 , Y10T29/49902
摘要：【課題】モノリシックセラミック基板上への流体フローコンポーネントの配置に使用するためのコンポーネント位置決めテンプレート又はマスク、及びそのようなテンプレートを製造するための技術を提供する。【解決手段】第1のテンプレート114及び第2のテンプレート116は、流体フローコンポーネント(及びそれに関連付けられたCシール保持具154)とセラミック基板102との中間に挟まれる。基準特徴122は、第1のテンプレート114上及び第2のテンプレート116上のテンプレート位置決め特徴124に適合し、第1のテンプレート114及び第2のテンプレート116を高精度で、即ちセラミック基板102の焼結時公差を上回る精度でセラミック基板102に対して相対的に配置する。【選択図】図2

84. 发明专利

JP2017116923A 蒸着金属酸化物含有ハードマスクのＥＵＶフォトパターニング审中-公开
公开(公告)号：JP2017116923A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016220096
申请日：2016-11-11
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： DAVID CHARLES SMITH , DENNIS M HAUSMANN
IPC分类号： G03F7/004 , C23C16/40 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/3065 , H01L21/316
CPC分类号： G03F7/2004 , G03F7/32
摘要：【課題】蒸着による膜形成の工程および光学リソグラフィの工程を組み合わせた真空統合型金属酸化物含有ハードマスク形成処理および関連の真空統合型ハードウェアにより、現行の方法に比べて、低コストで金属酸化物含有ハードマスクの直接フォトパターニングができる方法を提供する。【解決手段】金属酸化物含有ハードマスクを形成する方法であって、蒸着処理によって半導体基板上にEUV感光性の金属酸化物含有膜を蒸着する工程と、金属酸化物含有膜の一部をEUVに露光させて、金属酸化物含有膜にパターンを形成する工程と、金属酸化物含有ハードマスクを形成するために、金属酸化物含有膜のパターンを現像して、露光した部分および露光していない部分の一方を除去する工程とを備える方法。【選択図】図1C

85. 发明专利

JP2017092455A カルコゲナイド材料を封止する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017092455A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016185454
申请日：2016-09-23
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： JON HENRI , DENNIS M HAUSMANN , SESHASAYEE VARADARAJAN , BADRI N VARADARAJAN
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/31 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要：【課題】カルコゲナイド材料を含むメモリデバイス上に、原子層堆積法によってシリコン窒化物の封止層を堆積させる方法を提供する。【解決手段】ヨウ素含有シリコン前駆体及び/または臭素含有シリコン前駆体を用いるとともに、第2の反応物質としてのアンモニアまたはヒドラジンを用いた熱的な堆積、またはヨウ素含有シリコン前駆体及び/または臭素含有シリコン前駆体と窒素系または水素系プラズマを用いた堆積を含む。【選択図】図3

86. 发明专利

JP2015519724A プラズマ処理システムにおける共有ガスパネル有权
标题翻译：在等离子体处理系统中共享气体面板
公开(公告)号：JP2015519724A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2015503403
申请日：2013-03-21
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：タスカー・マーク , シャリーフ・イクバル
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/455 , F16K27/00
CPC分类号： B01F3/026 , Y10T137/0318 , Y10T137/87249 , Y10T137/87281 , Y10T137/87652 , Y10T137/87885
摘要：複数の処理モジュールに処理ガスを供給する共有ガスパネルのための方法および装置について開示する。共有ガスパネルは、少なくとも2つの処理モジュールに対して供給を行うため、複数の混合弁と、特定の混合弁に対して少なくとも2つの混合マニホールドと、を備える。混合マニホールドは、所定の平面に配置されて、スペースを節約するためにスタガード配置にされる。さらに、共有ガスパネル・エンクロージャの体積を削減するために、共有ガスパネルの構成要素は、垂直方向に積み重ねられる。整合問題を解消するため、構成要素は、特定の混合弁に接続される2つの混合マニホールドが同じ質量流量を受け取るように最適化される。【選択図】図3
摘要翻译：它公开了一种用于在多个处理共享气体面板的方法和设备提供了一个处理气体引入所述模块。共享气体面板包括用于供应到至少两个处理模块，以及多个混合阀，和至少两个混合歧管为特定的混合阀。混合歧管被布置在预定的平面中，它是在交错布置，以节省空间。此外，为了减少共享气体面板外壳的体积，共享气体面板的部件被垂直堆叠。为了解决对准问题，组件，连接到特定混合阀两个混合歧管被优化，以接收相同的质量流率。点域

87. 发明专利

JP2015043420A マルチポート弁アセンブリを備えるプラズマ処理装置有权
标题翻译：具有多端口阀组件的等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2015043420A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2014159292
申请日：2014-08-05
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： MICHAEL C KELLOGG , DANIEL A BROWN , LEONARD J SHARPLESS , ALLAN K RONNE
IPC分类号： H01L21/3065 , F16K11/074 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32513 , H01J37/32816 , H01J37/32834
摘要：【課題】プラズマ処理装置のチェンバと真空ポンプとの間の流体連通を調整することができるマルチポート弁アセンブリを提供する。【解決手段】プラズマ処理装置100は、チェンバ110と、電極アセンブリ118と、ウェハステージ120と、ガス導入口130と、複数の真空ポート142と、少なくとも1つの真空ポンプ150と、マルチポート弁アセンブリ160と、を備える。マルチポート弁アセンブリは、処理チェンバ内に配置された可動封止板170を含む。可動封止板は、横断ポート封止面141を有し、閉状態では複数の真空ポートと完全にオーバラップし、部分開状態では複数の真空ポートと部分的にオーバラップし、開状態では複数の真空ポートと略オーバラップしないような、形状および大きさになっている。マルチポート弁アセンブリは、可動封止板に連結された横断アクチュエータと、可動封止板に連結された封止アクチュエータとを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以调节等离子体处理装置的室与真空泵之间的流体连通的多端口阀组件。解决方案：等离子体处理装置100包括室110，电极组件118，晶片台 120，气体入口130，多个真空端口142，至少一个真空泵150和多口阀组件160.多口阀组件包括位于处理室中的可移动密封板170。可移动密封板具有横向端口密封表面141，该横向端口密封表面141的形状和尺寸在闭合状态下完全重叠多个真空端口，以部分地与多个真空端口部分地重叠在部分打开的状态，并且避免了处于打开状态的多个真空口。多端口阀组件包括耦合到可移动密封板的横向致动器和联接到可移动密封板的密封致动器。

89. 发明专利

JP2015038964A ３次元半導体フィーチャ内での空隙を含まないタングステン充填のための方法および装置审中-公开
标题翻译：三维半导体特征中无电极溅射的方法和装置
公开(公告)号：JP2015038964A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014107102
申请日：2014-05-23
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： ANAND CHANDRASHEKAR , JOYDEEP GUHA , RAASHINA HUMAYUN , XIANG HUA
IPC分类号： H01L21/8247 , C23C16/14 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/76877 , C23C16/045 , H01L21/28556 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/67207 , H01L21/76841 , H01L21/76898 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要：【課題】垂直および水平にエッチングするための命令を備える制御装置を有する半導体基板の3D構造を、タングステン含有材料で充填する方法を提供する。【解決手段】3D構造は、側壁107を含むことがあり、側壁にある複数の開口105が、複数の内部領域110を有する複数のフィーチャに通じている。3D構造内部にタングステン含有材料の第1の層を堆積するステップであって、それにより、第1の層が、3D構造の複数の内部領域を部分的に充填するステップと、第1の層を堆積した後に垂直および水平にエッチングするステップと、垂直および水平エッチング後に3D構造内部にタングステン含有材料の第2の層を堆積するステップであって、それにより、第2の層が、第1の層によって充填されていない内部領域の少なくとも一部を充填するステップとを含む。【選択図】図1D
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用含钨材料填充具有具有用于垂直和水平蚀刻的指令的控制器的半导体衬底的3-D结构。解决方案：3-D结构可以包括侧壁107，以及在侧壁中的多个开口105，其导致具有多个内部区域110的多个特征。所述方法包括在3-D结构内沉积第一层含钨材料，使得第一层部分地填充 3-D结构的多个内部区域，在沉积第一层之后垂直和水平地蚀刻，以及在垂直和水平蚀刻之后，在3-D结构内沉积第二层含钨材料，使得第二层层填充由第一层未填充的内部区域的至少一部分。

90. 发明专利

JP5676880B2 コバルト合金の無電解堆積有权
标题翻译：钴合金的电沉积
公开(公告)号：JP5676880B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2009542806
申请日：2007-12-12
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：バスケリス・アルギルダス , ジャグミニエーヌ・アルドナ , スタンケビシエーヌ・アイナ , ノークス・ユージニジュス
IPC分类号： C23C18/34
CPC分类号： C23C18/34

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