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81. 发明授权

KR101421645B1 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR101421645B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020090081962
申请日：2009-09-01
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 이정환 , 함태호 , 허진필 , 손병국 , 김영준
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/677
摘要： 본 발명은 기판의 로딩/언로딩시 파티클이 발생하는 현상 및 챔버 내의 온포분포가 불균일하게 되는 현상이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 공정처리가 행해지는 공간부와, 기판의 로딩/언로딩을 위하여 기판이 출입되는 게이트가 형성되어 있는 챔버와, 둘레방향을 따라 기판이 안착되는 복수의 안착부가 마련되어 있고, 각각의 안착부에는 리프트 핀 홀이 관통 형성되어 있으며, 챔버의 공간부에 승강 및 회전 가능하게 설치되는 서셉터와, 리프트 핀 홀에 승강 가능하게 결합되는 복수의 리프트 핀과, 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 가스공급기와, 서셉터의 하방에 배치되어 리프트 핀을 지지하는 지지 플레이트를 포함하되, 기판의 로딩/언로딩이 행해지는 게이트의 전방 영역에서는 리프트 핀의 상단부가 서셉터의 상방으로 돌출되며, 기판의 로딩/언로딩이 행해지지 않는 영역에서는 리프트 핀의 상단부가 서셉터에 몰입되도록, 기판의 � �딩/언로딩이 행해지는 영역과 기판의 로딩/언로딩이 행해지지 않는 영역에서의 서셉터와 지지 플레이트 사이의 간격이 서로 상이한 것을 특징으로 한다.
기판, 지지 플레이트, 리프트 핀, 서셉터

82. 发明公开

KR1020140090421A 가스 정제 장치 审中-实审
标题翻译：精炼气装置
公开(公告)号：KR1020140090421A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020130002438
申请日：2013-01-09
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 이현준 , 김채빈 , 김성훈
IPC分类号： F25J5/00 , F25J3/08 , B01D53/86
CPC分类号： F25J5/00 , B01D53/86 , C01C1/024 , F25J3/04612 , F25J3/08 , F25J2210/12 , F25J2210/42 , F25J2215/10
摘要： The present invention relates to an apparatus for refining gas, capable of reducing consumption energy by using the heat of recycle gas which is being discharged. The present invention provides the apparatus for refining gas comprising: a refining unit which is used for refining target gas and which is to be recycled by using recycle gas; and a heat exchanging unit which is installed so that first recycle gas inserted into the refining unit in recycling of the refining unit receives heat from high temperature second recycle gas discharged from the refining unit.
摘要翻译：本发明涉及一种用于精炼气体的装置，其能够通过使用正在排出的再循环气体的热量来降低能量消耗。本发明提供了一种用于精炼气体的装置，包括：精炼单元，其用于精炼目标气体，并且通过使用再循环气体再循环; 以及热交换单元，其安装成使得在精炼单元的再循环中插入到精炼单元中的第一再循环气体从从精炼单元排出的高温第二循环气体接收热量。

83. 发明授权

KR101409890B1 가스공급장치, 이를 구비한 박막증착장치 및 이를 이용한박막증착방법 有权
标题翻译：气体供给装置，用于在具有该薄膜的晶片上沉积薄膜的装置和使用该薄膜沉积薄膜的方法
公开(公告)号：KR101409890B1
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020070074952
申请日：2007-07-26
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 안철현 , 박상준
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 가스공급장치, 이를 구비한 박막증착장치 및 이를 이용한 박막증착방법이 개시된다. 박막증착장치는 반응기와 반응기 내부에 회전 가능하게 설치되며 상면에 기판을 안착시키는 복수의 기판안착부를 구비하는 기판지지부를 구비한다. 그리고 기판지지부의 상부에 서로 다른 종류의 원료가스를 기판지지부 상으로 공급하는 복수의 원료가스공급장치와 복수의 원료가스공급장치 사이에 배치되어 원료가스를 퍼지하는 퍼지가스를 기판지지부 상으로 공급하는 복수의 퍼지가스공급장치가 방사형으로 설치되는 가스분사부를 구비한다. 원료가스공급장치는 원료가스를 공급하기 위한 공급구가 형성되어 있는 리드플레이트와 공급구와 연통되는 제1확산공간을 리드플레이트와 함께 형성하도록 리드플레이트에 대하여 하방으로 일정거리 이격되게 배치되며, 제1확산공간과 연통되는 복수의 관통공이 형성되어 있는 확산플레이트를 구비한다. 또한, 관통공과 연통되는 제2확산공간을 확산플레이트와 함께 형성하도록 확산플레이트에 대하여 하방으로 일정거리 이격되게 배치되며, 제2확산공간과 연통되는 복수의 분사공이 형성되어 있는 분사플레이트를 구비한다. 본 발명에 따르면, 균일한 흐름을 갖는 가스를 기판 상에 공급할 수 있고, 생산성이 향상된다.

84. 发明授权

KR101316749B1 라디칼 증착 장치 및 방법 有权
标题翻译：激进辅助沉积的装置和方法
公开(公告)号：KR101316749B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020070022754
申请日：2007-03-08
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 박상준 , 정성회 , 한창희 , 이춘우
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 라디칼 증착(Radical Assisted-CVD) 장치 및 라디칼 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 라디칼 증착 장치는, 제1 샤워헤드 및 제2 샤워헤드를 포함하는 2단계 구조의 샤워헤드를 채용하여 상기 제1 샤워헤드에 전력을 인가함으로써 상기 제1 샤워헤드와 제2 샤워헤드 사이의 공간에서 플라즈마를 발생시키는 라디칼 증착 장치에 있어서, 상기 전력 인가를 위한 RF 전원부가, 고정 주파수를 가진 신호를 출력하는 표준 신호 발생기, 가변 주파수를 가진 신호를 출력하는 가변 신호 발생기, 표준 신호 발생기 및 가변 신호 발생기로부터 신호를 입력받아 합성 변조하여 출력하는 변조기, 변조기로부터 출력된 변조 신호를 입력받아 증폭 출력하는 앰프, 및 앰프의 출력 신호에 대해 최대 전력 전송을 위한 매칭 박스를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 고주파 전압의 진폭이나 주기를 변조하여 플라즈마의 안정성을 확보하여, 막의 증착 속도 및 막질을 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 이러한 변조 방식은 RA-ALD(Radical Assisted-ALD) 공정과 RA-싸이클릭 CVD(Radical Assisted-cyclic CVD) 공정에도 적용할 수 있다.
라디칼, 플라즈마, 주파수, 증착 속도

85. 发明授权

KR101305139B1 리프트핀조립체 및 그를 가지는 진공처리장치 有权
标题翻译：具有相同功能的提升销装配和真空处理装置
公开(公告)号：KR101305139B1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020070139634
申请日：2007-12-28
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 양희범 , 조생현
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 식각, 증착 등 진공처리를 수행하는 진공처리장치에서 기판을 승강시키기 위한 리프트핀 조립체 및 그를 가지는 진공처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 진공챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지대를 관통하여 설치되어 상하로 이동하여 기판을 상하로 이동시키는 리프트핀부와; 상기 진공챔버의 외부에 설치되며 상기 리프트핀부의 끝단과 결합되어 상기 리프트핀부를 상하로 이동시키도록 구동하는 구동부와; 상기 리프트핀부가 상하로 이동이 가능하도록 슬라이드공이 관통형성되며 상기 진공챔버에 관통형성된 관통공에 고정 결합되는 플렌지부와; 상기 리프트핀부의 외주면과 밀착된 상태로 슬라이딩이 가능하도록 상기 플렌지부 내에 설치되는 하나 이상의 실링부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀 조립체를 개시한다.
리프트핀, 진공처리

86. 发明公开

KR1020130074418A 기판 처리 방법 无效
标题翻译：基板处理方法
公开(公告)号：KR1020130074418A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110142477
申请日：2011-12-26
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 나훈희 , 김정래
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： PURPOSE: A substrate processing method is provided to reduce maintenance and repair costs by discharging liquefied materials remaining in a vaporizer with a simple method to control the sequence of a valve without changing a structure of an apparatus. CONSTITUTION: The discharge of raw materials is blocked by closing a fourth valve (S110). The inflow of the raw materials is blocked by closing a sixth valve (S112). A seventh valve is closed (S114). A fifth valve is closed (S116). The residue of a vaporizer is discharged by opening the seventh valve (S117). An eighth valve is closed (S118). Delay time for one to five seconds is given (S120). A first valve, a second valve, and a third valve are simultaneously closed (S122). [Reference numerals] (AA) Vaporization of liquid material is blocked; (BB) Vaporizer is pressurized; (CC) Carrier gas is blocked; (S110) Discharge of raw materials is blocked by closing a V4; (S112) Inflow of the raw materials is blocked by closing a V6; (S114) V7 is closed; (S116) V5 is closed; (S117) Residue of a vaporizer is discharged by opening a V7; (S118) V8 is closed; (S120) Preset time delay; (S122) V1, a V2, and a V3 are simultaneously closed
摘要翻译：目的：提供一种基板处理方法，通过以简单的方法排出残留在蒸发器中的液化材料来减少维护和修理成本，从而在不改变设备结构的情况下控制阀的顺序。构成：通过关闭第四个阀门来阻止原料的排放（S110）。通过关闭第六阀门来阻止原料的流入（S112）。第七个阀关闭（S114）。第五个阀关闭（S116）。通过打开第七阀来排出蒸发器的残留物（S117）。第八个阀关闭（S118）。给出延迟时间为1到5秒（S120）。同时关闭第一阀，第二阀和第三阀（S122）。（附图标记）（AA）液体材料的汽化被堵塞; （BB）蒸发器加压; （CC）载气封闭; （S110）通过关闭V4来阻止原料的排出; （S112）通过关闭V6阻塞原料的流入; （S114）V7关闭; （S116）V5关闭; （S117）蒸发器的残渣通过打开V7而排出; （S118）V8关闭; （S120）预设时间延迟; （S122）V1，V2，V3同时关闭

87. 发明公开

KR1020130074415A 박막 제조방법 및 그 제조장치 无效
标题翻译：制造薄膜的方法及其设备
公开(公告)号：KR1020130074415A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110142474
申请日：2011-12-26
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 한창희 , 이승한 , 류동호 , 조병철
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/455 , H01L21/324
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thin film and manufacturing apparatus thereof are provided to improve the properties of the thin film by freely controlling the temperature of a substrate in a thin film deposition process. CONSTITUTION: A plurality of substrates are mounted on a substrate support unit in a chamber (S110). The atmosphere of the chamber and the temperature of the substrate are controlled (S112). A thin film is deposited on the substrates by spraying gases on a substrate support unit (S114). The temperature of the substrate is controlled by controlling a distance between the substrate support unit and a heating unit (S116). It is determined whether the thin film is completely deposited (S126). The substrate is outputted to the outside of the chamber (S128). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S110) Substrate is mounted on a substrate support unit in a chamber; (S112) Atmosphere/temperature control; (S114) Thin film deposition; (S116) Substrate temperature control ?; (S118) Substrate cooling ?; (S120) Substrate support unit falls; (S122) Substrate support unit rises; (S124) Substrate temperature = set temperature ?; (S126) Thin film deposition finish ?; (S128) Discharge a substrate to the outside of a chamber
摘要翻译：目的：提供一种制造薄膜的方法及其制造装置，以通过在薄膜沉积工艺中自由地控制基板的温度来改善薄膜的性能。构成：多个基板安装在腔室中的基板支撑单元上（S110）。控制室的气氛和基板的温度（S112）。通过在基板支撑单元上喷射气体而将薄膜沉积在基板上（S114）。通过控制基板支撑单元和加热单元之间的距离来控制基板的温度（S116）。确定薄膜是否完全沉积（S126）。将基板输出到室外（S128）。（附图标记）（AA）开始; （BB）完成; （S110）衬底安装在腔室中的衬底支撑单元上; （S112）大气/温度控制; （S114）薄膜沉积; （S116）基板温度控制？（S118）基板冷却？（S120）基板支撑单元跌落; （S122）基板支撑单元上升; （S124）基板温度=设定温度℃; （S126）薄膜沉积完成？（S128）将基板排出到室外

88. 发明公开

KR1020130068926A 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치 无效
标题翻译：蒸发源和真空沉积设备，包括蒸发源
公开(公告)号：KR1020130068926A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136393
申请日：2011-12-16
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 조생현 , 한재병 , 김건
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/56
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/54 , H01L51/56
摘要： PURPOSE: An evaporation source and a vacuum deposition apparatus including the same are provided to improve the productivity, and increase the use efficiency of deposition material and the operating rate of apparatus. CONSTITUTION: An evaporation source includes a crucible(1141), a connection pipe(1143), a pair of depositing material showerheads(1144), and a nozzle unit(1145). The crucible directly and indirectly heats the depositing material to evaporate the depositing material. The connection pipe includes a first induction furnace path, which is extended from the outlet of crucible, and a pair of second induction furnace paths which are branched by being extended from the first induction furnace path. The valve unit controls that the depositing material, which passed through the first induction furnace path, passes through the pair of second induction furnace path. The pair of depositing material showerheads spray the depositing material which passed through the second induction furnace path.
摘要翻译：目的：提供蒸发源和包括该蒸发源的真空沉积设备以提高生产率，并且提高沉积材料的使用效率和设备的操作速率。构成：蒸发源包括坩埚（1141），连接管（1143），一对沉积物喷头（1144）和喷嘴单元（1145）。坩埚直接和间接地加热沉积材料以蒸发沉积材料。连接管包括从坩埚的出口延伸的第一感应炉路径和通过从第一感应炉路径延伸而分支的一对第二感应炉路径。阀单元控制通过第一感应炉路径的沉积材料穿过一对第二感应炉路径。一对沉积物喷头喷射通过第二感应炉路径的沉积材料。

89. 发明授权

KR101270435B1 상변화 메모리 제조방법 有权
标题翻译：相变存储器的制造方法
公开(公告)号：KR101270435B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020060097976
申请日：2006-10-09
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 이기훈 , 정유민
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要： 본 발명은 상변화 메모리 제조방법에 있어서, 기판 위에 칼코게나이드 화합물의 구성성분 중 하나 이상의 구성성분을 포함하는 컨택 플러그를 형성하는 단계; 및 상기 컨택 플러그 위에 상기 구성성분을 포함하는 칼코게나이드 화합물로 된 상변화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 제조방법을 제시한다.
상변화 메모리, 칼코게나이드 화합물

90. 发明公开

KR1020130057229A 내부 부재 이송 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 无效
标题翻译：内部组件携带装置及其包括的基板处理装置
公开(公告)号：KR1020130057229A
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020110123043
申请日：2011-11-23
申请人： 주식회사 원익홀딩스
发明人： 이경철 , 이호영 , 장욱상
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/205 , B65G49/07
CPC分类号： H01L21/67742 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , Y10S414/141
摘要： PURPOSE: An internal component transferring apparatus and a substrate processing apparatus including the same are provided to prevent damage due to the drop of the internal component by transferring the internal component using a rotary holding unit. CONSTITUTION: A processing module(1) includes a processing chamber(1a) and a transfer region(1b). A susceptor(10), a susceptor supporter(20), a heater(30), and a sealing member(40) are arranged in the processing chamber. An internal component transferring device is formed in the transfer region. A buffer chamber(2) is arranged on one side of the processing module to be adjacent to the transfer region. The buffer chamber includes a second internal component carrier(400) to input or output the internal component.
摘要翻译：目的：提供一种内部部件传送装置和包括该部件的基板处理装置，以通过使用旋转保持单元传送内部部件来防止由于内部部件的下降而导致的损坏。构成：处理模块（1）包括处理室（1a）和转印区域（1b）。基座（10），基座支架（20），加热器（30）和密封构件（40）布置在处理室中。内部部件传送装置形成在传送区域中。缓冲室（2）布置在处理模块的与传送区域相邻的一侧。缓冲室包括用于输入或输出内部部件的第二内部部件载体（400）。

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