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    • 76. 发明申请
    • IMPROVED ULTRA-HIGH DYNAMIC RANGE PIXEL ARCHITECTURE
    • 改进的超高动态范围像素体系结构
    • WO2017147034A1
    • 2017-08-31
    • PCT/US2017/018622
    • 2017-02-21
    • BAE SYSTEMS IMAGING SOLUTIONS INC.
    • DO, Hung, T.MAGNANI, Alberto, M.MCGRATH, R., Daniel
    • H01L27/146H04N5/355H04N5/3745H04N5/378
    • G01J1/4228G01J1/46H01L27/14603H01L27/1461H01L27/14614H01L27/14636H01L27/14641H01L27/14643H04N5/35545H04N5/35563H04N5/3592H04N5/37457
    • A pixel comprises a high-response photodiode that collects photocharge, a first transfer gate that enables the charge to be transferred off the high-response photodiode, completely emptying it onto a low-response photodiode, a second transfer gate enables the charge to be transferred off the low-response photodiode, completely emptying it onto floating, diffusion, a third transfer gate for anti-blooming; the floating diffusion collects the transferred charge creating a change of voltage, a means of resetting the floating diffusion. A source-follower is modulated by the voltage on floating diffusion to control hit-line voltage and column-amplifier output. In examples, photocharge is integrated onto both the high-response photodiode and onto the low-response photodiode, The column readout circuit consists of a column amplifier that uses capacitors to set the amplifier gain, three sampling capacitors used as analog memory and for correlated double sampling, and a comparator that assists in providing the final output.
    • 像素包括收集光电荷的高响应光电二极管,使电荷能够从高响应光电二极管转移出来的第一传输门,将其完全清空到低响应光电二极管上,第二传输门 传输门能够将电荷从低响应光电二极管上传输出去,完全将其清空到浮动的扩散区,第三个传输门用于防止泛光; 浮动扩散收集转移的电荷,产生电压的变化,这是重置浮动扩散的手段。 源极跟随器由浮动扩散电压调制,以控制命中线电压和列放大器输出。 在例子中,光电荷被集成到高响应光电二极管和低响应光电二极管上。列读出电路由一个使用电容器设置放大器增益的列放大器,三个采样电容器用作模拟存储器和相关双 采样和帮助提供最终输出的比较器。
    • 78. 发明申请
    • 固体撮像装置及びそれを含むX線CT装置
    • 固态成像仪和X射线CT设备,包括它们
    • WO2009096338A1
    • 2009-08-06
    • PCT/JP2009/051105
    • 2009-01-23
    • 浜松ホトニクス株式会社藤田 一樹森 治通久嶋 竜次本田 真彦
    • 藤田 一樹森 治通久嶋 竜次本田 真彦
    • H01L27/146A61B6/00G01T1/20G01T1/24H01L27/14H01L31/04H04N5/32H04N5/335
    • G01T1/247G01T1/249H01L27/14656H01L27/14658H04N5/32H04N5/3592H04N5/374
    •  この発明は、何れかの読出用配線又は行選択用配線が断線している場合であっても高い解像度の画像を得るための構造を備えた固体撮像装置等に関する。当該固体撮像装置(1)は、M行N列のマトリックス状に二次元配置されたM×N個の画素部P 1,1 ~P M,N を有する受光部(10)を備える。受光部(10)の画素部P m,n は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードPDと、このフォトダイオードPDと接続された読出用スイッチSW 1 を含む。画素部P m,n は略正方形の領域を占めており、その領域の殆どの部分がフォトダイオードPDの領域である。その領域の一つの角部に読出用スイッチSW 1 としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部により挟まれた領域にはチャネルストッパCSが連続して形成されている。互いに隣接する任意の2×2個の画素部により囲まれた領域には、チャネルストッパCSにより囲まれたダミー用フォトダイオードPD1が形成されている。
    • 固态成像器具有用于捕获高分辨率图像的结构,即使读取布线和列选择布线中的任何一个被断开。 固态成像器(1)包括以M行和N列的矩阵二维排列的具有MOEi> N个像素部分(P1,1至PM,N)的光接收部分(10)。 光接收部分(10)的像素部分(Pm,n)包括产生与入射光强度对应的量的光电二极管(PD)和连接到光电二极管(PD)的读开关(SW1) )。 像素部分(Pm,n)占据大致正方形的面积,大部分区域是光电二极管(PD)的面积。 用作读取开关(SW1)的场效应晶体管被制造在该区域的一个角落中。 在被像素部分夹在的每个区域中连续地形成通道阻挡件(CS)。 虚拟光电二极管(PD1)被制造为在由彼此相邻的任何20E像素部分包围的任何区域中被通道阻挡件(CS)包围。
    • 79. 发明申请
    • 固体撮像素子、固体撮像装置、カメラおよび駆動方法
    • 固态成像元件,固态成像装置,摄像机和驱动方法
    • WO2009016798A1
    • 2009-02-05
    • PCT/JP2008/001834
    • 2008-07-09
    • パナソニック株式会社蓮香剛栗山俊寛森浩征真鍋純史
    • 蓮香剛栗山俊寛森浩征真鍋純史
    • H04N5/335H01L27/148
    • H04N5/3698H01L27/14806H04N5/3592
    •  本発明の半導体素子は、半導体基板上に形成され、複数の光電変換素子(1)で発生した過剰電荷を排出するオーバーフロードレイン構造を採り、光電変換素子(1)に蓄積された信号電荷を読み出しゲート電極(18)を介して垂直転送部(2a)に読み出す固体撮像素子であって、前記オーバーフロードレイン構造でのオーバーフローバリアの高さを規定する基板電圧を半導体基板に印加する第1電圧発生回路と、前記読み出しゲート電極(18)に印加される読み出しパルスの発生タイミングで前記基板電圧に重畳されるパルスの波高を示す第1の電圧および第2の電圧を選択的に発生する第2電圧発生回路とを備える。
    • 半导体器件是形成在半导体衬底上并具有排出多个光电元件(1)中产生的过量电荷的溢出漏极结构的固态成像元件。 固态成像元件读出在光电转换元件(1)中累积的信号电荷,并通过栅电极(18)将其读出到垂直传送单元(2a)。 固态成像元件包括:施加到半导体衬底的第一电压产生电路,限定溢流漏极结构中的溢流栅高度的衬底电压; 以及第二电压产生电路,其在施加到所述读出的栅电极(18)的读出脉冲的产生定时选择性地产生指示叠加在所述衬底电压上的脉冲的波高的第一电压和第二电压。