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71. 发明授权

US5828157A Piezoelectric actuator and pyroelectric type infrared ray sensor using the same 失效
标题翻译：压电致动器和热电型红外线传感器使用相同
公开(公告)号：US5828157A
公开(公告)日：1998-10-27
申请号：US666317
申请日：1996-09-30
申请人： Katsumasa Miki , Koji Nomura , Takeshi Masutani
发明人： Katsumasa Miki , Koji Nomura , Takeshi Masutani
IPC分类号： H01L41/09 , H02N2/00 , H01L41/08
CPC分类号： H01L41/094
摘要： The present invention is a piezoelectric actuator for stabilizing the driving of a small-sized chopper, thereby enhancing reliability of a pyroelectric type infrared ray sensor, wherein actuator is a unimorph type actuator having a piezoelectric element adhered to a shim. The shim and a displacement magnifying part are bound in a U-form. The resonance frequencies due to the vibrations of the unimorph type actuator and the displacement magifying part are brought close to each other wherein the chopper is driven at an intermediate frequency. As a result, a stable displacement magnifying effect is obtained at the front end of the displacement magnifying part.
摘要翻译： PCT No.PCT / JP95 / 02267 Sec。 371日期1996年9月30日 102（e）1996年9月30日PCT PCT 1995年11月7日PCT公布。公开号WO96 / 14687 日期1996年5月17日本发明是一种用于稳定小型斩波器的驱动的压电致动器，从而提高热电型红外线传感器的可靠性，其中致动器是具有粘附到垫片上的压电元件的单压电晶片型致动器。垫片和位移放大部分以U形结合。由于单压电晶片式致动器和位移补偿部件的振动引起的共振频率彼此接近，其中斩波器以中频驱动。结果，在位移放大部的前端处获得稳定的位移放大效果。

72. 发明授权

US5471060A Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same 失效
标题翻译：热电红外辐射探测器及其制作方法
公开(公告)号：US5471060A
公开(公告)日：1995-11-28
申请号：US220450
申请日：1994-03-30
申请人： Koji Nomura , Tutomu Nakanishi , Tokumi Kotani , Keizaburo Kuramasu
发明人： Koji Nomura , Tutomu Nakanishi , Tokumi Kotani , Keizaburo Kuramasu
IPC分类号： G01J5/34 , H01L37/02 , G01J5/02
CPC分类号： H01L37/02 , G01J5/34
摘要： A pyroelectric infrared radiation detector for detecting the intensity of infrared radiation with a pyroelectric element. The pyroelectric infrared radiation detector comprises a substrate made of a single crystal material and an infrared radiation detecting structure which comprises a first electrode disposed on the substrate, a pyroelectric thin film disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the pyroelectric thin film for absorption of infrared radiation. The substrate has a recess provided in the upper surface thereof where the infrared radiation detecting structure is seated. A method of producing the pyroelectric infrared radiation detector comprises a first step of forming a first electrode on one surface of a substrate, a second step of forming a pyroelectric thin film on the first electrode, a third step of forming a second electrode on the pyroelectric thin film, a fourth step of providing etching apertures in the first electrode which is open to the substrate, and a fifth step of providing by wet etching process a recess(es) in the surface of the substrate where the first electrode is seated.
摘要翻译：一种用热电元件检测红外辐射强度的热电红外辐射检测器。热电红外线辐射检测器包括由单晶材料制成的基板和红外线检测结构，其包括设置在基板上的第一电极，设置在第一电极上的热电薄膜和设置在热电薄膜上的第二电极用于吸收红外辐射。衬底在其上表面设置有红外辐射检测结构就座的凹部。制造热释电红外线检测器的方法包括：在基板的一个表面上形成第一电极的第一工序;在所述第一电极上形成热电薄膜的第二工序;在所述第一电极上形成第二电极的第三工序; 在第一电极中提供蚀刻孔的第四步骤，该第一电极对衬底开放;以及第五步骤，通过湿法蚀刻工艺提供第一电极所在的衬底表面中的凹部。

73. 发明授权

US4602192A Thin film integrated device 失效
标题翻译：薄膜集成器件
公开(公告)号：US4602192A
公开(公告)日：1986-07-22
申请号：US678547
申请日：1984-11-27
申请人： Koji Nomura , Hisahito Ogawa , Atsushi Abe , Tsuneharu Nitta
发明人： Koji Nomura , Hisahito Ogawa , Atsushi Abe , Tsuneharu Nitta
IPC分类号： H01B3/12 , H01G4/10 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L27/13 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/786 , H05B33/22 , G09G3/10
CPC分类号： H01L29/517 , H01B3/12 , H01G4/10 , H01L21/31604 , H01L27/13 , H01L29/4908 , H01L29/78681 , H05B33/22
摘要： In a thin film integrated device wherein thin film elements, such as thin film condensers, thin film field effect type transistors and thin film electroluminescent elements, which include insulating films (3, 7, 13, 15, 16) as one of their constitution elements, are formed on an insulating substrate; the insulating films are made of sputtered composite oxide films with at least tantalum and aluminum as major constituents. Since this sputtered composite oxide film has characteristics with a large dielectric constant and a breakdown field intensity and a small leakage current, if it is applied in the thin film elements, their operation characteristics can be increased and their reliability can be remarkably improved.
摘要翻译： PCT No.PCT / JP84 / 00145 Sec。 371日期1984年11月27日 102（e）日期1984年11月27日PCT提交1984年3月29日PCT公布。出版物WO84 / 03992 日期为1984年10月11日。在薄膜集成器件中，其中包括薄膜元件，例如薄膜电容器，薄膜场效应型晶体管和薄膜电致发光元件，其包括绝缘膜（3,7,13,15,16 ）作为其构成元件之一形成在绝缘基板上; 绝缘膜由具有至少钽和铝作为主要成分的溅射复合氧化物膜制成。由于该溅射复合氧化物膜具有介电常数大，击穿场强小，漏电流小的特点，因此如果将其应用于薄膜元件，则可以提高其工作特性，显着提高其可靠性。

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