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71. 发明公开

KR1020030042160A 반도체 제조용 베이크 장치 无效
标题翻译：烘烤设备制造半导体
公开(公告)号：KR1020030042160A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：KR1020010072698
申请日：2001-11-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A bake apparatus for fabricating a semiconductor is provided to improve uniformity of critical dimension of a wafer by making a plurality of detecting sensors determine a precise settlement position of the wafer. CONSTITUTION: A chamber(100) is prepared. The wafer(150) loaded into the chamber is settled in a hot plate(120) in which a heater(130) is buried. A plurality of spacers(140) make the wafer loaded into the chamber located in the upper portion of the hot plate, installed in a portion on the hot plate. At least one detecting sensor(200) detects the settlement position of the wafer, installed in the bottom of the hot plate.
摘要翻译：目的：提供用于制造半导体的烘烤装置，以通过使多个检测传感器确定晶片的精确沉降位置来改善晶片临界尺寸的均匀性。构成：准备一个室（100）。装入室中的晶片（150）沉入加热器（130）的热板（120）中。多个间隔物（140）将晶片装载到位于热板上部的腔室中，该腔室安装在热板上的一部分中。至少一个检测传感器（200）检测安装在热板底部的晶片的沉降位置。

72. 发明公开

KR1020030042157A 웨이퍼 배면 클리닝이 가능한 반도체 제조장치 无效
标题翻译：半导体制造设备，可清洁WAFER的背面
公开(公告)号：KR1020030042157A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：KR1020010072695
申请日：2001-11-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 조경용
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A semiconductor fabricating apparatus capable of cleaning up the back side of a wafer is provided to minimize process defects caused by particles generated from the back side of the wafer by loading/unloading a cleaning nozzle for cleaning up the back side of the wafer while the edge of the wafer is absorbed and supported by a plurality of vacuum chucks. CONSTITUTION: The wafer is settled in a portion over a settle plate(110). A vacuum absorbing path for vacuum-absorbing the wafer is formed in the plurality of vacuum chucks(120) protruding to the upper portion of the settle plate. The cleaning nozzle(200) is loaded/unloaded into/from the lower portion of the settle plate and cleans up the back side of the wafer absorbed and supported by the vacuum chucks.
摘要翻译：目的：提供能够清理晶片背面的半导体制造装置，以通过装载/卸载用于清洁晶片背面的清洁喷嘴来最小化从晶片背面产生的颗粒引起的工艺缺陷，同时晶片的边缘被多个真空吸盘吸收和支撑。构成：将晶片沉降在沉积板（110）上的一部分中。用于真空吸收晶片的真空吸收路径形成在突出到沉降板的上部的多个真空吸盘（120）中。清洁喷嘴（200）从沉淀板的下部装载/卸载，并清理由真空吸盘吸收和支撑的晶片的背面。

73. 发明公开

KR1020020072044A 오버레이 키 및 그의 제조방법과 이를 이용한 오버레이측정방법 有权
标题翻译：重叠及其制造方法及其测量方法
公开(公告)号：KR1020020072044A
公开(公告)日：2002-09-14
申请号：KR1020010012005
申请日：2001-03-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 백경윤
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: An overlay key is provided to measure a degree of overlay under a manufacturing process without an SEM(Scanning Electron Microscope). CONSTITUTION: An overlay key(200) comprises a mother ruler(20) having sub-overlay patterns(300) and a son ruler(25). At this point, the shapes of the son ruler(25) and the mother ruler(20) are able to be variously embodied. At this point, portions(21) between the mother ruler(20) and the son ruler(25) are used for measuring a degree of overlay, that is, a degree of misalign between a pre-step thin film and a post-step thin film. At this point, the edge portions(22) of the mother ruler(20) have a number of sub-overlay patterns(300) for measuring the degree fo the overlay between the mother and son rulers(20,25) at the edge portions.
摘要翻译：目的：提供覆盖键，用于在没有SEM（扫描电子显微镜）的制造过程下测量覆盖度。构成：覆盖键（200）包括具有子覆盖图案（300）和子尺子（25）的母尺（20）。此时，儿子尺子（25）和母尺（20）的形状能够被各种体现。此时，母尺（20）和子尺（25）之间的部分（21）被用于测量覆盖度，即在步骤前薄膜和后步骤之间的失准程度薄膜。在这一点上，母尺（20）的边缘部分（22）具有多个子覆盖图案（300），用于测量在边缘部分处的母和子尺子（20,25）之间覆盖的程度。

74. 发明公开

KR1020010073632A 감광성의 기판을 노광하기 위한 노광 장치에서 사용되는애퍼처 스탑 无效
标题翻译：用于曝光感光基板的曝光装置中使用的防静电
公开(公告)号：KR1020010073632A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：KR1020000002398
申请日：2000-01-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 조경용
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: An aperture stop used in an exposure apparatus for exposing a photosensitive substrate is provided to response various design rules by having at least one opening and adjusting the distance from the center of the aperture stop to the opening. CONSTITUTION: The light(L1) passed through an aperture stop(21) is converted to parallel luminous flux by an output lens(31), and inputted to a relay lens(33) via a field stop(32). The light(L1) converges in a plane surface via the relay lens(33). The light(L1) is inputted in a condenser lens(35). The condenser lens(35) makes the light(L1) parallel, and the parallel light luminous flux illuminates a reticle(R) via the third mirror(36). When the light(L1) passes through the pattern plane surface of the reticle(R), the image of a reticle pattern(PA) is formed. The image of the reticle pattern is condensed on a pupil plane(P2), and projected in the resist film of a wafer placed on a wafer stage(5).
摘要翻译：目的：提供用于曝光感光基板的曝光装置中的孔径光阑，以便通过具有至少一个开口并调节从孔径光阑的中心到开口的距离来响应各种设计规则。构成：通过孔径光阑21的光（L1）通过输出透镜（31）转换为平行光束，并通过场停止（32）输入到中继透镜（33）。光（L1）经由中继透镜（33）在平面内会聚。光（L1）被输入聚光透镜（35）。聚光透镜（35）使光（L1）平行，并且平行光通量经由第三反射镜（36）照射光罩（R）。当光（L1）穿过标线（R）的图形平面表面时，形成标线图案（PA）的图像。掩模版图案的图像在光瞳平面（P2）上会聚，并且投影在放置在晶片台（5）上的晶片的抗蚀剂膜中。

75. 发明授权

KR100275723B1 스페이서의 높이를 조정할 수 있는 핫 플레이트를 갖춘 오븐 失效
标题翻译：具有可控制间隔物高度的热板的烤箱
公开(公告)号：KR100275723B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970054864
申请日：1997-10-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67103
摘要： PURPOSE: An oven with a hot plate is provided to control height of a spacer supporting a wafer on a hot plate to secure homogeneous CD(Critical Dimension) in the wafer by using a height regulating device in the oven in a baking process of photolithography. CONSTITUTION: An oven includes a hot plate(110) for supporting a wafer(111) so as to implement a PEB(Post Exposure Bake) of the wafer in a photolithography process for manufacture of a semiconductor. The oven comprises a plurality of spacers installed with a constant interval along an outer periphery of the hot plate to support the wafer on the hot plate in a spaced state, and a height regulating device(123) engaged with the lower portion of the spacer to move the same up and down. The height regulating device is operated by a screw or pressure. The spacer is fixed to the hot plate by a screw(113).
摘要翻译：目的：提供具有热板的烤箱，以控制支撑热板上的晶片的间隔件的高度，以通过在光刻的烘烤过程中通过使用烘箱中的高度调节装置来确保晶片中的均匀的CD（临界尺寸）。构成：烘箱包括用于支撑晶片（111）的热板（110），以在用于制造半导体的光刻工艺中实现晶片的PEB（后曝光烘烤）。烘箱包括沿着热板的外周以恒定的间隔安装的多个间隔件，以在间隔的状态下将晶片支撑在热板上;以及高度调节装置（123），其与间隔件的下部接合上下移动相同。高度调节装置由螺钉或压力操作。间隔件通过螺钉（113）固定到热板上。

76. 发明公开

KR1020000015576A 나칭을 개선하는 반도체 구조 无效
标题翻译：用于改善刻痕的半导体结构
公开(公告)号：KR1020000015576A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980035602
申请日：1998-08-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국
IPC分类号： H01L27/10
摘要： PURPOSE: A semiconductor structure is provided to improving notching and improve confidence of a semiconductor device. CONSTITUTION: The semiconductor structure comprises a conductive pattern repeatedly formed to consist a block on a semiconductor substrate, and a elbow-typed dummy pattern formed around the block. The dummy pattern is formed one of line type or contact type. The dummy pattern is separately formed about 0.1 micrometer from the block.
摘要翻译：目的：提供半导体结构，以改善半导体器件的陷波和提高半导体器件的置信度。构成：半导体结构包括重复形成以形成半导体衬底上的块的导电图案和形成在块周围的弯头型虚拟图案。虚设图案形成线型或接触型之一。虚拟图案分别从块开始形成约0.1微米。

77. 发明公开

KR1020000000759A 얼라인먼트 키 및 그의 형성방법 无效
标题翻译：对准键及其形成方法
公开(公告)号：KR1020000000759A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020580
申请日：1998-06-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 백경윤
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: An alignment key and method thereof are provided to prevent a destructive interference of the alignment lights by using different materials as bottom portion and top portion of the alignment key CONSTITUTION: The forming method of alignment key having trench structure comprises the steps of forming a trench by etching a semiconductor substrate(100) using a photoresist as a mask; forming an insulating layer(104) having different reflective rate compared to the semiconductor substrate; and polishing the insulating layer(104) until exposing a top portion(102a) of the trench in order to form a material layer(104b) having a reflective rate different from the top portion(102a) of the trench in a bottom portion(102b) and the both sidewalls of the trench.
摘要翻译：目的：提供一种对准键及其方法，以通过使用不同的材料作为对准键的底部和顶部来防止对准光的破坏性干扰。具有沟槽结构的对准键的形成方法包括以下步骤：通过使用光致抗蚀剂作为掩模蚀刻半导体衬底（100）来形成沟槽; 形成与半导体衬底相比具有不同反射率的绝缘层（104）; 以及抛光所述绝缘层（104）直到暴露所述沟槽的顶部（102a）为了形成在底部（102b）中具有与所述沟槽的顶部（102a）不同的反射率的材料层（104b））和沟槽的两个侧壁。

78. 发明公开

KR1019990084925A 반도체장치 제조용 베이크 오븐 장비 无效
标题翻译：用于半导体器件制造的烤箱设备
公开(公告)号：KR1019990084925A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016993
申请日：1998-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 김태영
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 반도체 장치 제조용 베이크 오븐(bake oven) 장비를 개시한다. 본 발명의 일 관점은, 반도체 기판을 지지하는 지지대 및 지지대에 지지되는 반도체 기판을 센터링(centering)시키는 센터링 수단 등을 구비한다. 베이크 오븐 장비는 지지대가 부착되며 반도체 기판을 히팅(heating)시키는 핫 플레이트(hot plate)를 더 구비한다. 센터링 수단은 반도체 기판을 잡아 이동시키는 해머(hammer) 및 해머를 지지하는 해머 지지대 등을 구비한다. 베이크 오븐 장비는 반도체 기판의 배면에 도입되어 반도체 기판을 상승-하강(up-down)시키는 핀(pin)을 더 포함한다.

79. 发明公开

KR1019980007989A 온도 제어 및 균일도가 개선된 베이크 오븐 无效
标题翻译：烘烤炉具有改进的温度控制和均匀性
公开(公告)号：KR1019980007989A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031246
申请日：1996-07-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 여기성
IPC分类号： A21B1/00 , A21B1/40
摘要： 온도 제어 및 균일도가 개선된 베이크 오븐을 개시한다. 필라멘트 코일로 온도를 제어하는 오븐에 있어서, 상기 필라멘트 코일 대신에 냉온매를 넣은 관을 사용하여 온도 제어 및 균일도를 개선시키는 베이크 오븐을 제공하는 것이다. 상기 관을 상하 좌우로 움직여가면 온도를 조절할 수 있다.
상기 베이크 오븐에는 냉각기와 가열기를 혼용하여 장착하거나 각각 따로 장착하여 온도를 조절할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의한 베이크 오븐의 냉각 가열 시스템은 관속에 비열이 큰 물질을 넣음으로써 빠른 냉각 가열 공정을 수행할 수 있고, 종래의 필라멘트 코일의 가열 방법보다 더 좋은 온도 균일도를 얻을 수 있으며, 빠른 냉각 속도로 인해 생산성을 향상시킬 수 있다.

80. 发明公开

KR1019970052550A 반도체 장치의 콘택 형성 방법 无效
公开(公告)号：KR1019970052550A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950055718
申请日：1995-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 이동선
IPC分类号： H01L21/288
摘要： 포토레지스트 플로우공정을 가진 반도체장치의 콘택 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명은 포토리소그라피 공정과 포토레지스트 플로우공정 및 식각공정이 구비되어 이루어지는 반도체장치의 콘택 형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트 플로우공정 전에 포토레지스트막의 콘택패턴 사이에 보조홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 다수의 콘택패턴들이 인접되어 배치될 때 포토레지스트 플로우공정을 진행할 경우 그 간격의 차이에 의해 객개의 패턴들이 왜곡, 변형되는 것을 방지하여 원하는 형태의 미세 콘택패턴을 이루도록 하는 효과를 가진다.

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