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71. 发明申请

WO2023274784A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES AUSGANGSMATERIALS FÜR EINE SILIZIUMSOLARZELLE MIT PASSIVIERTEN KONTAKTEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2023274784A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/EP2022/066847
申请日：2022-06-21
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： MANDLMEIER, Benjamin , NOACK, Philipp , WATTENBERG, Bianca , CORDA, Mirza , WOHLFAHRT, Peter , HÜBNER, Simon
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0745 , H01L31/022425
摘要： Die vorliegende Erfindung richtet sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Ausgangsmaterials für eine Siliziumsolarzelle mit passivierten Kontakten, eine Anlage zur Durchführung des Verfahrens sowie auf ein bei dem Verfahren entstehendes Zwischenprodukt.

72. 发明申请

WO2021122068A1 METHOD AND WET BENCH FOR SELECTIVELY REMOVING AN EMITTER LAYER ON A SINGLE SIDE OF A SILICON SUBSTRATE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021122068A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/EP2020/084708
申请日：2020-12-04
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： JACOBI, Jan-Christof , KILIN, Eduard , MANDLMEIER, Benjamin , WATTENBERG, Bianca , REUSTLE, Peter , NOACK, Philipp
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804
摘要： A method for selectively removing an emitter layer (5) on a single side (13) of a silicon substrate (3) and a wet bench (1) for implementing such method are described. Therein, the silicon substrate (3) initially comprises an emitter layer (5) at both opposing sides (13, 15) and the silicon substrate (3) initially comprises a silicate glass layer (7) covering the emitter layer (5) at both opposing sides (13, 15). The method comprises at least the following two steps: - selectively removing the silicate glass layer (7) exclusively on a first side (13) of a silicon substrate (3) by contacting the silicate glass layer (7) exclusively on the first side (13) with a first etching solution (17), the first etching solution (17) etching silicate glass and not substantially etching silicon; and - removing the emitter layer (5) on the first side (13) of a silicon substrate (3) by contacting the emitter layer (5) on the first side (13) with a second etching solution (19), the second etching solution (19) etching silicon and not substantially etching silicate glass. By replacing, in an emitter removal process, a conventional single step etching procedure based on an etching composition comprising HF and HNO3 by a two- step sequence using e.g. a HNO3-free and/or NOx-free HF-based first etching solution (17) and e.g. an alkaline base as the second etching solution (19), various benefits may be (realised. )

73. 发明申请

WO2021043542A1 PLASMABEHANDLUNGSANLAGE UND PLASMABEHANDLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021043542A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/EP2020/072492
申请日：2020-08-11
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： MAY, Frank , CORD, Bernhard , HÜBNER, Simon , WOHLFART, Peter
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/54
摘要： Eine Behandlungsanlage (100) weist eine Prozesskammer (101) zur dynamischen oder statischen Behandlung wenigstens eines Substrats auf. Eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle, ICP-Quelle (120, 120') weist wenigstens einen Induktor (130a, 130b), der sich entlang der Längsrichtung der ICP-Quelle (120, 120') erstreckt, eine Gaszuführeinrichtung (141, 142) für ein oder mehrere Prozessgase und eine in der Prozesskammer (101) angeordnete Gaslenkanordnung (150) auf, die sich entlang der Längsrichtung der ICP-Quelle (120, 120') erstreckt und den wenigstens einen Induktor (130a, 130b) teilweise umgibt.

74. 发明申请

WO2019242899A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEREITSTELLUNG VON DAMPF 审中-公开
公开(公告)号：WO2019242899A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/056998
申请日：2019-03-20
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： HOHN, Oliver , REISING, Michael , GRÜBLER, Johannes , PIETSCH, Kurt , KOCH, Jörg
IPC分类号： F22B33/18
摘要： Die vorliegende Erfindung richtet sich auf ein Verfahren sowie auf eine Vorrichtung zur Bereitstellung von Dampf für einen diskontinuierlichen Prozess.

75. 发明申请

WO2019219292A3 DURCHLAUFANLAGE UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN VON SUBSTRATEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019219292A3
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：PCT/EP2019/058505
申请日：2019-04-04
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： CORD, Bernhard , REISING, Michael , SCHERGER, Dieter , DIPPELL, Torsten , MAY, Frank , WOHLFART, Peter , HOHN, Oliver
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/34 , C23C16/54 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： Eine Durchlaufanlage (100) zur Beschichtung von Substraten (103) weist ein Prozessmodul (130) und eine Vakuumschleuse (110, 150) zum Einschleusen der Substrate (103) oder zum Ausschleusen der Substrate (103) auf. Die Vakuumschleuse (110, 150) weist eine Kammer zur Aufnahme eines Substratträgers (102) mit mehreren Substraten (103) und eine Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der Kammer auf. Die Strömungskanalanordnung weist einen ersten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer und einen zweiten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer auf, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal an entgegengesetzten Seiten der Kammer angeordnet sind.

76. 发明申请

WO2019145486A9 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR REINIGUNG VON GEÄTZTEN OBERFLÄCHEN EINES HALBLEITERSUBSTRATS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019145486A9
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/EP2019/051875
申请日：2019-01-25
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： IZAARYENE, Maher , CORDA, Mirza , WATTENBERG, Bianca , MENSCHICK, Martin Max , MANDLMEIER, Benjamin , ECKSTEIN, Jens
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/67
摘要： Ein Verfahren umfasst ein Abreinigen der Oberfläche eines texturierten Siliziumsubstrats, und ein Entfernen von organischen Verbindungen, die sich auf der Oberfläche des texturierten Siliziumsubstrats befinden, zu bewirken, und ein Entfernen von porösem Silizium an der Oberfläche des texturierten Siliziumsubstrats und ein Ausführen einer Metallreinigung der Oberfläche des texturierten Siliziumsubstrats.

77. 发明申请

WO2018115444A3 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN BEHANDLUNG BESCHICHTETER SUBSTRATE, INSBESONDERE VON DÜNNSCHICHT-SOLARSUBSTRATEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2018115444A3
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/EP2017/084392
申请日：2017-12-22
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG
发明人： ERB, Erhard , WEHRFRITZ, Peter , CORD, Bernhard , RÜTH, Edgar , HEILINGBRUNNER, Jochen
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Ein Verfahren zur thermischen Behandlung eines ebenen Substrats mit einer ersten, zu beschichtenden oder bereits beschichteten Seite und einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite, durch Erzeugen einer homogener Temperaturverteilung auf dieser ersten Seite und Erwärmung des Substrats von dessen zweiter Seite mittels einer Heizanordnung, mit den folgenden Verfahrensschritten: Messen eines Höhenprofils des Substrats und eines Temperaturprofils des Substrats und Minimieren einer im Höhenprofil gemessenen Abweichung von der Ebene durch Steuern der Heizanordnung zur Änderung des Temperaturprofils des Substrats mittels eines Steueralgorithmus in Abhängigkeit von Eigenschaften des Substrats und den gemessenen Höhen- und Temperaturprofilen.

78. 发明申请

WO2013007783A3 VERFAHREN ZUM BETRIEB VON MEHREREN VERBRAUCHERN IN WECHSELSTROMNETZEN MIT PHASENANSCHNITT ODER PHASENABSCHNITT 审中-公开
公开(公告)号：WO2013007783A3
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/EP2012/063672
申请日：2012-07-12
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG , BECKER, Wolfgang , RÜTH, Edgar , KLEIN, Benedikt
发明人： BECKER, Wolfgang , RÜTH, Edgar , KLEIN, Benedikt
IPC分类号： H02M5/257 , H02M1/12
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines ersten und eines zweiten elektrischen Verbrauchers in einem Wechselstromnetz. Das Verfahren kann in einem optionalen ersten Betriebsmodus betrieben werden, in dem die positiven und negativen Halb wellen für jeden Verbraucher mit einem ersten Phasenanschnittwinkel angesteuert werden. Zudem ist ein zweiter Betriebsmodus vorgesehen, in dem ein erster Teil der positiven und negativen Halbwellen für den ersten Verbraucher und ein zweiter Teil der positiven und der negativen Halbwellen für den zweiten Verbraucher mit jeweils einem zweiten Phasenanschnittwinkel. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einer ersten und einer zweiten Phasenanschnittsteuerung für den ersten und den zweiten Verbraucher.

79. 发明申请

WO2010112614A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR IDENTIFIZIERUNG VON GEGENSTÄNDEN SOWIE ZUM VERFOLGEN VON GEGENSTÄNDEN IN EINEM PRODUKTIONSPROZESS 审中-公开
标题翻译：用于识别对象和方法和设备在生产过程对象跟踪
公开(公告)号：WO2010112614A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/054503
申请日：2010-04-06
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG , RÜTH, Edgar , BECKER, Wolfgang
发明人： RÜTH, Edgar , BECKER, Wolfgang
IPC分类号： B07C5/00 , H01L21/66 , G06Q10/00
CPC分类号： G05B19/128 , G05B2219/31286 , G06K9/00577 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , Y02P90/10
摘要： Anhand der einmaligen, charakteristischen, optischen Merkmale (10) wird ein Gegenstand (1) identifiziert, bevor er in einer Anlage (3) bearbeitet wird. Zusätzlich wird dem Gegenstand (1) ein eindeutiges Kennzeichen zugeteilt. Alle Produktionsdaten und Prozessparameter für alle Anlagen (3), die der Gegenstand (1) durchläuft, werden zusammen mit dem Kennzeichen in einer elektronischen Datenverarbeitungseinrichtung (6) gespeichert. Nachdem der Gegenstand (1) eine Anlage (3) durchlaufen hat, kann der Gegenstand (1) anhand seiner einmaligen, charakteristischen, optischen Merkmale (10) erneut identifiziert werden. Damit lässt sich überprüfen, ob das Verfolgungssystem des Gegenstands (1) innerhalb einer Fertigungsanlage (3) fehler frei funktioniert. Alternativ kann die erneute Identifizierung auch dazu verwendet werden, einem Gegenstand (1), bei dem sich während des Produktionsprozesses die einmaligen, charakteristischen, optischen Merkmale (10) geändert haben, ein neues Kennzeichen zuzuordnen.
摘要翻译：一个对象（1）是由独特的特性确定，它之前在设施中被处理的光学特性（10）（3）。此外，一个唯一的标识符被分配给所述对象（1）。所有生产数据和工艺参数为所有的系统（3）穿过所述对象（1）的与所述标识符一起存储在电子数据处理设备（6）。以后的文章（1）发生了系统（3），（1）基于其独特的，特征，光学特征（10）可再次识别的对象。因此，如果制造设施内的对象（1）的跟踪系统（3）的无差错功能可以被检查。可替换地，新的识别也可用于一个对象（1），其中，所述独特特征，光学特征（10）在生产过程中发生了变化，分配一个新的标签。

80. 发明申请

WO2008040546A2 OBERFLÄCHENBEHANDLUNGSSYSTEM UND DARIN VERWENDBARE LACKIERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：表面处理系统及其适用上光
公开(公告)号：WO2008040546A2
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/EP2007/008623
申请日：2007-10-04
申请人： SINGULUS TECHNOLOGIES AG , RÜTH, Edgar , NOVAK, Manfred , RUNKEL, Steffen , BÖRGER, Marcus , SCHRAMM, Holger
发明人： RÜTH, Edgar , NOVAK, Manfred , RUNKEL, Steffen , BÖRGER, Marcus , SCHRAMM, Holger
IPC分类号： B05B13/02
CPC分类号： B05B13/0242 , B05B12/20 , B05B16/20
摘要： Die Erfindung beschreibt ein System zum Behandeln bzw. Beschichten von Substratoberflächen in einem In-line Prozess, insbesondere zum Beschichten von Substraten mit einer dreidimensionalen Oberfläche. Die Erfindung betrifft weiter eine Lackiervorrichtung, die mehrere Substrate gleichzeitig zwischen entsprechenden Behandlungsstationen transportieren kann. Auch entsprechende Verfahren zum Beschichten von Substratoberflächen werden beschrieben. Die Erfindung ermöglicht eine effiziente und kostengünstige Oberf lächenbeschichtung von Substraten.
摘要翻译：本发明描述了一种用于在在线工艺具有三维表面处理或基材表面的涂层，特别是用于涂覆衬底的系统。本发明还涉及一种喷涂设备，其可以同时各处理站之间携带多个基板。用于涂覆基材表面对应的方法进行说明。本发明允许基板的高效和成本Oberflächenbeschichtung。

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