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71. 发明公开

KR1019890003588A 스티어링 휘일 失效
公开(公告)号：KR1019890003588A
公开(公告)日：1989-04-15
申请号：KR1019880006430
申请日：1988-05-31
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 이누이슈지 , 사노요시오 , 히로사와구니까즈 , 오오노사또시
IPC分类号： B62D1/02 , B62D1/00
摘要： 내용 없음

72. 发明公开

KR1019880010967A 스티어링 휘일 코어 失效
公开(公告)号：KR1019880010967A
公开(公告)日：1988-10-25
申请号：KR1019880003159
申请日：1988-03-24
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 하라따미쯔루 , 야스다히로시 , 나가따노리나리 , 하시바다까히로
IPC分类号： B62D1/04
摘要： 내용 없음

73. 发明公开

KR1019880010928A 플래시마운트몰 失效
标题翻译： Flash Mount Mall
公开(公告)号：KR1019880010928A
公开(公告)日：1988-10-25
申请号：KR1019880001471
申请日：1988-02-15
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 이나야마유끼요시 , 소리마찌아끼오 , 스기자끼도모히로
IPC分类号： B60J1/00
摘要： 내용 없음

74. 发明授权

KR101630915B1 III족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： III III族氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101630915B1
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：KR1020140027419
申请日：2014-03-07
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 오꾸노고지 , 사무라요헤이
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： 본발명은비평탄형상을구비한사파이어기판상에편평한반도체층을성장시킨, III족질화물반도체발광소자, 및그의제조방법을제공한다. 사파이어기판의주면상의편평한표면면적(S) 대총 면적(K)의면적비(R)가 0.1 이상내지 0.5 미만일경우, 주면상에비평탄형상을갖는사파이어기판상에반도체층을형성할시에, 식 1,000 ≤ Y /(2×R) ≤ 1,200을만족하도록, III족원소를포함하는원료기체및 V족원소를포함하는원료기체중 적어도 2종류의기체가공급된다. 식에서, Y는 V족원소를포함하는원료기체대 III족원소를포함하는원료기체의분압비이다.

75. 发明授权

KR101580033B1 3족 질화물 반도체의 제조 방법 有权
标题翻译： 3制备氮化物半导体的方法
公开(公告)号：KR101580033B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140015949
申请日：2014-02-12
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 오쿠노고지 , 오시오다카히데 , 시바타나오키 , 아마노히로시
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 균일한 Ga-극성표면을갖고관통전위밀도가감소된 3족질화물반도체가제공된다. 버퍼층을구성하는요소의산화물이형성되는온도보다낮은온도에서, Al을필수요소로포함하는상기버퍼층상에캐핑층을형성한다. 상기버퍼층의표면을노출시키지않고, 바디반도체의결정이성장하는온도보다높은온도에서상기버퍼층이상기캐핑층으로덮인기판을열처리한다. 상기기판온도를바디반도체의결정이성장하는온도로낮추고, 상기바디반도체를성장시킨다.

76. 发明公开

KR1020140111967A III족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： III族氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140111967A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020140027419
申请日：2014-03-07
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 오꾸노고지 , 사무라요헤이
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： The present invention provides a group III nitride semiconductor light emitting device in which a flat semiconductor layer is grown on a sapphire substrate provided with an uneven shape, and a method for producing the same. When the area ratio (R) of the flat surface area (S) on the main surface to the total area (K) of the sapphire substrate is 0.1 or more to less than 0.5, at least two types of gases of raw material gases containing a group III element and a raw material gas containing group V element are supplied so as to satisfy the equation 1,000
摘要翻译：本发明提供了在具有不平坦形状的蓝宝石衬底上生长平坦半导体层的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。当主表面上的平面面积（S）与蓝宝石衬底的总面积（K）的面积比（R）为0.1以上至小于0.5时，含有至少两种类型的含有提供含有V族元素的原料气体，以便在形成具有不均匀形状的蓝宝石衬底上的半导体层上满足等式1,000 <= Y /（2×R）<= 1,200 其主表面。在该式中，Y是含有V族元素的原料气体与含有III族元素的原料气体的分压比。

77. 发明授权

KR101290836B1 발광 다이오드 및 그의 제조 방법, 및 발광 다이오드 램프 失效
标题翻译：发光二极管，其制造方法和发光二极管灯
公开(公告)号：KR101290836B1
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020117019087
申请日：2010-01-21
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 다께우찌료우이찌 , 무라끼노리따까
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2924/00
摘要： 패키지 내에서 LED칩으로부터의 발광의 손실을 저감하는 동시에, 패키지로부터의 광 취출 효율을 향상하는 것이 가능한 고휘도의 발광 다이오드이며, 발광층(9)을 갖는 발광부(8)를 포함하는 화합물 반도체층(2)과 기판(3)을 구비하고, 기판(3)의 측면에는, 기판(3)보다도 반사율이 높은 외부 반사층(4)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드(1)를 채용한다.

78. 发明公开

KR1020130074763A 발광 장치 无效
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020130074763A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020120152077
申请日：2012-12-24
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 마츠우라겐이치 , 오오모리히토시
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/08 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to prevent the non-uniformity of an emission color in a close-up view. CONSTITUTION: Light emitting elements (3a) are mounted on a substrate (2). The light emitting elements emit light within the same color range. The light emitting elements satisfy at least one of a first condition and a second condition. The maximum deviation of a peak wavelength is 1.25 nm or greater in the first condition. The maximum deviation of a critical voltage is 0.05 V or greater in the second condition. A reflector (4) reflects light emitted from the light emitting elements. [Reference numerals] (1) Light emitting device; (2) Substrate; (3a) Light emitting element; (4) Reflector; (5) Transparent sealing resin
摘要翻译：目的：提供一种发光装置，以防止在特写视野中发射颜色的不均匀。构成：将发光元件（3a）安装在基板（2）上。发光元件在相同的颜色范围内发光。发光元件满足第一条件和第二条件中的至少一个。在第一条件下，峰值波长的最大偏差为1.25nm或更大。在第二个条件下，临界电压的最大偏差为0.05V或更大。反射器（4）反射从发光元件发射的光。（附图标记）（1）发光装置; （2）基材; （3a）发光元件; （4）反射器; （5）透明密封树脂

79. 发明公开

KR1020130074762A 발광 장치 无效
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020130074762A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020120152068
申请日：2012-12-24
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 마츠우라겐이치 , 이토오유우키
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the yield of a light emitting element by forming a phosphor layer on the surface of an LED chip before the LED chip is mounted on a substrate. CONSTITUTION: Light emitting elements (3a,3b) are mounted on a substrate (2). The light emitting element is composed of an LED chip (4a,4b) with a phosphor layer (5a,5b). The phosphor layer is composed of a transparent resin film including a particulate phosphor. A reflector (6) is formed on the substrate and surrounds the light emitting elements. Transparent sealing resins (7) are filled in the reflector on the substrate. [Reference numerals] (1) Light emitting device; (2) Substrate; (3a) Light emitting element; (4b) LED chip; (5a) Phosphor layer; (6) Reflector; (7) Transparent sealing resins
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，用于通过在将LED芯片安装在基板上之前在LED芯片的表面上形成荧光体层来提高发光元件的产量。构成：将发光元件（3a，3b）安装在基板（2）上。发光元件由具有荧光体层（5a，5b）的LED芯片（4a，4b）构成。荧光体层由包含微粒荧光体的透明树脂膜构成。反射器（6）形成在基板上并包围着发光元件。透明密封树脂（7）填充在基板上的反射器中。（附图标记）（1）发光装置; （2）基材; （3a）发光元件; （4b）LED芯片; （5a）荧光体层; （6）反射器; （7）透明密封树脂

80. 发明授权

KR101268139B1 Ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법, Ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자 및 램프 有权
标题翻译：制造III型氮化物半导体发光元件，III型氮化物半导体发光元件和灯的方法
公开(公告)号：KR101268139B1
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020107027034
申请日：2009-06-03
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 미끼히사유끼 , 요꼬야마야스노리 , 오까베다께히꼬 , 하나와겐조
IPC分类号： H01L33/12 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38
CPC分类号： H01L21/02458 , C23C14/022 , C23C14/0617 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 생산성이우수함과함께, 우수한발광특성을구비한 III족질화물반도체발광소자의제조방법및 III족질화물반도체발광소자, 및램프를제공하는것을목적으로하고, 기판(11) 상에 III족질화물화합물로이루어지는버퍼층(12)을적층하고, 상기버퍼층(12) 상에, 하지층(14a)을구비하는 n형반도체층(14), 발광층(15) 및 p형반도체층(16)을순차적층하는방법이며, 기판(11)에대해플라즈마처리를행하는전처리공정과, 전처리공정에이어서, 기판(11) 상에버퍼층(12)을, 적어도금속 Ga 원료와 V족원소를포함한가스를플라즈마에의해활성화하여반응시킴으로써 AlGaN(0≤X
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种具有优异的生产率并生产III族氮化物半导体发光器件和灯的III族氮化物半导体发光器件的制造方法，用于制造III族氮化物半导体的方法在基板（11）上层叠由III族氮化物构成的缓冲层（12）的n型半导体层（14）的发光装置，其特征在于，包括：基底层（14a），发光层（15）和p型半导体层（16）依次层压在缓冲层（12）上，包括：预处理步骤，其中基板（11）用等离子体处理; 缓冲层形成步骤，其中具有由Al x Ga 1-x N（0 @ x <1）表示的组成的缓冲层（12）通过用等离子体激活形成在预处理衬底（11）上并使至少一种金属镓原料和含有V族元素的气体; 以及基底层形成步骤，其中在缓冲层（12）上形成基底层（14a）。

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