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61. 发明公开

CN103715270A 薄膜晶体管及其制备方法、显示器件有权
公开(公告)号：CN103715270A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310752923.8
申请日：2013-12-31
申请人：京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
发明人：郑在纹 , 崔仁哲 , 崔星花
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L29/78651 , H01L29/42372 , H01L29/66742
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器件，该薄膜晶体管包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，有源层包括：至少一个第一有源部分以及位于第一有源部分两侧且与第一有源部分连接的第二有源部分和第三有源部分；至少一个第一有源部分被刻蚀阻挡层覆盖，且其纵向宽度小于第二有源部分和/或第三有源部分；第二有源部分和第三有源部分被第一有源部分上的刻蚀阻挡层的横向延伸部部分覆盖，其中，当第一有源部分的纵向宽度小于第二有源部分时，第二有源部分与源电极形成边翼接触，当第一有源部分的纵向宽度小于第三有源部分时，第三有源部分与漏电极形成边翼接触。本发明可以减小刻蚀阻挡层结构的薄膜晶体管的沟道长度。

62. 发明授权

CN101533857B 薄膜晶体管和显示器有权转让
公开(公告)号：CN101533857B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910008779.0
申请日：2009-03-09
申请人：索尼株式会社
发明人：达拉姆·帕尔·高赛因 , 田中勉 , 诸沢成浩
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78651
摘要：本发明提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。

63. 发明公开

CN103034003A 显示装置有权
公开(公告)号：CN103034003A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210385230.5
申请日：2012-09-29
申请人：株式会社日本显示器东
发明人：阿部裕行 , 槙正博 , 西野知范
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1337 , G02F1/133
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/136204 , G02F2001/133388 , H01L27/1214 , H01L27/1244 , H01L29/78651
摘要：本发明提供一种具有抑制边框区域的大小，同时防止由于制造时产生的静电引起的静电破坏的虚拟像素的显示装置。该显示装置包括：具有多个包含薄膜晶体管的像素，并作为用于显示图像的区域的显示区域(260)；以及形成在显示区域的外侧，并具有多个虚拟像素的虚拟像素区域(270)，虚拟像素(310)包括：与薄膜晶体管的栅极信号线平行的虚拟栅极信号线(311)、以及隔着绝缘层与虚拟栅极信号线交叉的半导体层(313)，在半导体层只连接一个导体层(312)。

64. 发明授权

CN100459041C 激光结晶处理薄膜样品以最小化边缘区域的方法和系统失效
公开(公告)号：CN100459041C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03822483.6
申请日：2003-08-19
申请人：纽约市哥伦比亚大学托管会
发明人： J·S·艾姆
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36 , H01L29/04
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/78651
摘要：本发明提供处理薄膜样本(170)的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器(110)发射至少一个光束脉冲(111)。然后遮蔽所述光束脉冲(111)来产生至少一个经遮蔽的光束脉冲(164)，再用它来照射薄膜样本(170)的至少一个部分(510)。用至少一个经遮蔽的光束脉冲(164)以足够使这样的部分(510)结晶的强度照射薄膜样本(170)的部分(510)。允许薄膜样本(170)的此部分(510)结晶，它在结晶后由第一个区域(518)和第二个区域(515)组成。在结晶后，第一个区域(518)包括第一组晶粒，第二个区域(515)包括第二组晶粒，第一组晶粒的至少一个特性不同于第二组晶粒的至少一个特性。第一个区域(518)包围第二个区域(515)，并配置为允许在与其间隔一段距离处提供薄膜晶体管(TFT)(610)的活跃区域(618)。

65. 发明公开

CN1862835A 薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器有权转让
公开(公告)号：CN1862835A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610079397.3
申请日：2006-04-21
申请人：三星SDI株式会社
发明人：安泽 , 徐旼彻 , 具在本
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/00
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L29/78651 , H01L29/78681 , H01L51/0017
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

66. 发明公开

CN1685474A 对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构失效
公开(公告)号：CN1685474A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822483.6
申请日：2003-08-19
申请人：纽约市哥伦比亚大学托管会
发明人： J·S·艾姆
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36 , H01L29/04
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/78651
摘要：本发明提供处理薄膜样本(170)的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器(110)发射至少一个光束脉冲(111)。然后掩模所述光束脉冲(111)来产生至少一个经掩模的光束脉冲(164)，再用它来照射薄膜样本(170)的至少一个部分(510)。用至少一个经掩模的光束脉冲(164)以足够使这样的部分(510)结晶的强度照射薄膜样本(170)的部分(510)。允许薄膜样本(170)的此部分(510)结晶，它在结晶后由第一个区域(518)和第二个区域(515)组成。在结晶后，第一个区域(518)包括第一组晶粒，第二个区域(515)包括第二组晶粒，第一组晶粒的至少一个特性不同于第二组晶粒的至少一个特性。第一个区域(518)包围第二个区域(515)，并配置为允许在与其间隔一段距离处提供薄膜晶体管(TFT)(610)的活跃区域(618)。

67. 发明申请

WO2015097593A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015097593A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/IB2014/066941
申请日：2014-12-16
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： MIYAIRI, Hidekazu , YAMAZAKI, Shunpei
IPC分类号： H01L21/8234 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L21/8247 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78651 , H01L29/78654 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： A semiconductor device that is suitable for miniaturization is provided. Alternatively, a highly reliable semiconductor device is provided. A semiconductor device including a capacitor and a transistor is provided. In the semiconductor device, the transistor includes a semiconductor layer, the semiconductor layer is positioned over the capacitor, and the capacitor includes a first electrode that is electrically connected to the transistor.
摘要翻译：提供适合于小型化的半导体器件。或者，提供高度可靠的半导体器件。提供了包括电容器和晶体管的半导体器件。在半导体器件中，晶体管包括半导体层，半导体层位于电容器上方，电容器包括电连接到晶体管的第一电极。

68. 发明申请

WO2014060954A1 INTEGRATED CIRCUIT WITH NANOWIRE SENSORS COMPRISING A SHIELDING LAYER, SENSING APPARATUS, MEASURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：具有包含屏蔽层的纳米传感器的集成电路，感测装置，测量方法和制造方法
公开(公告)号：WO2014060954A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/IB2013/059379
申请日：2013-10-16
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： KLOOTWIJK, Johan, Hendrik , MESCHER, Marleen , ALARCON-RIVERO, Manuel, Eduardo , DE WILD, Nico, Maris, Adriaan
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4146 , G01N27/127 , G01N33/0031 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/0673 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/78651
摘要： An integrated circuit (100) comprising a substrate (110); an insulating layer (120) over said substrate; and a first nanowire element (140a) and a second nanowire element (140b) adjacent to said first nanowire element on said insulating layer; wherein the first nanowire element is arranged to be exposed to a medium comprising an analyte of interest, and wherein the second nanowire element is shielded from said medium by a shielding layer (150) over said second nanowire element. A sensing apparatus including such an IC, a sensing method using such an IC and a method of manufacturing such an IC are also disclosed.
摘要翻译：一种集成电路（100），包括基板（110）; 在所述衬底上的绝缘层（120）; 以及与所述绝缘层上的所述第一纳米线元件相邻的第一纳米线元件（140a）和第二纳米线元件（140b）; 其中所述第一纳米线元件布置成暴露于包含感兴趣分析物的介质，并且其中所述第二纳米线元件通过所述第二纳米线元件上的屏蔽层（150）与所述介质屏蔽。还公开了一种包括这种IC的感测装置，使用这种IC的感测方法和制造这种IC的方法。

69. 发明申请

WO2013095652A1 UNIAXIALLY STRAINED NANOWIRE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：单一应变纳米结构
公开(公告)号：WO2013095652A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/US2011/067236
申请日：2011-12-23
申请人： INTEL CORPORATION , CEA, Stephen M. , KIM, Seiyon , CAPPELLANI, Annalisa
发明人： CEA, Stephen M. , KIM, Seiyon , CAPPELLANI, Annalisa
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78651 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： Uniaxially strained nanowire structures are described. For example, a semiconductor device includes a plurality of vertically stacked uniaxially strained nanowires disposed above a substrate. Each of the uniaxially strained nanowires includes a discrete channel region disposed in the uniaxially strained nanowire. The discrete channel region has a current flow direction along the direction of the uniaxial strain. Source and drain regions are disposed in the nanowire, on either side of the discrete channel region. A gate electrode stack completely surrounds the discrete channel regions.
摘要翻译：描述了单轴应变纳米线结构。例如，半导体器件包括设置在衬底上方的多个垂直堆叠的单轴应变纳米线。单轴应变纳米线中的每一个包括设置在单轴应变纳米线中的离散通道区域。离散通道区域沿着单轴应变的方向具有电流流动方向。源极和漏极区域设置在离散通道区域的任一侧上的纳米线中。栅极电极堆叠完全围绕离散通道区域。

70. 发明申请

WO2004017381A3 PROCESS AND SYSTEM FOR LASER CRYSTALLIZATION PROCESSING OF FILM REGIONS ON A SUBSTRATE TO MINIMIZE EDGE AREAS, AND STRUCTURE OF SUCH FILM REGIONS 审中-公开
标题翻译：用于激光结晶处理基板上的薄膜区域以最小化边缘区域的方法和系统以及这样的薄膜区域的结构
公开(公告)号：WO2004017381A3
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/US0325954
申请日：2003-08-19
申请人： UNIV COLUMBIA , IM JAMES S
发明人： IM JAMES S
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/36
CPC分类号： H01L29/04 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66742 , H01L29/78651
摘要： A process and system for processing a thin film sample (170) are provided. In particular, a beam generator (110) can be controlled to emit at least one beam pulse (111). The beam pulse (111) is then masked to produce at least one masked beam pulse (164), which is used to irradiate at least one portion (510) of the thin film sample (170). With the at least one masked beam pulse (164), the portion (510) of the film sample (170) is irradiated with sufficient intensity for such portion to later crystallize. This portion (510) of the film sample (170) is allowed to crystallize so as to be composed of a first area (518) and a second area (515). Upon the crystallization thereof, the first area (518) includes a first set of grains, and the second area (515) includes a second set of grains whose at least one characteristic is different from at least one characteristic of the second set of grains. The first area (518) surrounds the second area (515), and is configured to allow an active region (618) of a thin-film transistor (TFT) (610) to be provided at a distance therefrom.
摘要翻译：提供了一种用于处理薄膜样品（170）的方法和系统。特别地，可以控制光束发生器（110）发射至少一个光束脉冲（111）。然后对光束脉冲（111）进行掩模以产生用于照射薄膜样品（170）的至少一部分（510）的至少一个掩模束脉冲（164）。利用至少一个掩蔽光束脉冲（164），膜样品（170）的部分（510）被照射足够的强度，以使该部分稍后结晶。允许膜样品（170）的该部分（510）结晶以由第一区域（518）和第二区域（515）组成。在其结晶时，第一区域（518）包括第一组晶粒，并且第二区域（515）包括第二组晶粒，其至少一个特征与第二组晶粒的至少一个特性不同。第一区域（518）围绕第二区域（515），并且被配置为允许在距离其距离处设置薄膜晶体管（TFT）（610）的有源区域（618）。

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