专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明公开

CN103730502A 半导体器件及其制造方法有权
公开(公告)号：CN103730502A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310470307.3
申请日：2013-10-10
申请人：三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
发明人：宣敏喆 , 朴炳国
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/823412 , B82Y99/00 , H01L21/02532 , H01L21/02647 , H01L21/3065 , H01L27/088 , H01L27/1222 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/772 , H01L29/7843 , H01L29/78651 , H01L29/78696 , Y10S977/762 , Y10S977/938
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于与第一区域中的纳米线基本上相同的水平面处。因此，第一区域中的纳米线可以具有基于第二区域中的有源层的厚度的厚度，或者所述厚度可以不同。当包括超过一个的有源层时，不同区域中的纳米线可以设置在不同的高度处和/或可以具有不同的厚度。

62. 发明公开

CN102376714A 半导体装置及其驱动方法有权
公开(公告)号：CN102376714A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110233033.7
申请日：2011-08-05
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：井上广树 , 加藤清 , 松崎隆德 , 长塚修平
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8239 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本发明涉及半导体装置及其驱动方法。提供一种具有非易失性存储单元的半导体装置，该非易失性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容元件。通过使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源电极(或漏电极)、电容元件的一方电极、读出用晶体管的栅电极彼此电连接的节点，然后，通过使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p沟道型晶体管，而将读出电位设定为正的电位。

63. 发明授权

CN1862835B 薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器有权转让
公开(公告)号：CN1862835B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610079397.3
申请日：2006-04-21
申请人：三星移动显示器株式会社
发明人：安泽 , 徐旼彻 , 具在本
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/00
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L29/78651 , H01L29/78681 , H01L51/0017
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

64. 发明公开

CN102047396A 柔性半导体装置及其制造方法有权
公开(公告)号：CN102047396A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980100551.2
申请日：2009-07-30
申请人：松下电器产业株式会社
发明人：平野浩一 , 中谷诚一 , 小川立夫 , 一柳贵志 , 铃木武
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78651 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1266 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/7869
摘要：本发明提供一种用于制造柔性半导体装置的方法，在该制造方法的特征在于，包括：(i)在金属箔的上面形成绝缘膜的工序、(ii)在金属箔的上面形成取出电极图形的工序、(iii)按照与取出电极图形接触的方式在绝缘膜上形成半导体层的工序、(iv)按照覆盖半导体层及取出电极图形的方式在金属箔的上面形成密封树脂层的工序、和(v)通过蚀刻金属箔形成电极的工序，将金属箔用作用于在上述(i)～(iv)形成的绝缘膜、取出电极图形、半导体层及密封树脂层的支撑体，并且在上述(v)中用作电极构成材料。在该制造方法中，能够将作为支撑体的金属箔有效用作TFT元件的电极，不需要最终剥离作为支撑体的金属箔，因此，能够通过简便的工艺来制作TFT元件，能够提高生产率。另外，使用金属箔作为支撑体，因此能够在绝缘膜及半导体层等的制作中积极地导入高温工艺，能够优选提高TFT特性。

65. 发明授权

CN1145217C 场效应管和含有该场效应管的功率放大器失效
公开(公告)号：CN1145217C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN98101021.0
申请日：1998-03-16
申请人：松下电器产业株式会社
发明人：杉村昭久 , 金泽邦彦
IPC分类号： H01L29/772 , H03F3/193
CPC分类号： H01L29/78651 , H01L29/41758
摘要：一种晶体管，它含有：一个源区；一个漏区；一个位在源区和漏区之间的通道区；以及设置在通道区上的至少一个第一门电极和一个第二门电极。第一和第二门电极中的至少一个基本上横过通道区的全部宽度。第一和第二门电极中的至少另一个横过通道区的一部分宽度。

66. 发明公开

CN1450659A 半导体元件及使用该半导体元件的显示器件失效
公开(公告)号：CN1450659A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03110347.2
申请日：2003-04-09
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：村上智史 , 早川昌彦 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/133 , G09F9/30 , G09G3/00
CPC分类号： H01L27/1248 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , H01L23/3171 , H01L23/49827 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78606 , H01L29/78651 , H01L2251/5315 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , Y10S438/95 , H01L2924/00
摘要：提供一种半导体元件，包括：具有有源层的半导体、与半导体接触的栅极绝缘膜、通过栅极绝缘膜与有源层相对的栅电极、在有源层上形成的第一氮化物绝缘膜、在第一氮化物绝缘膜上形成的光敏有机树脂膜、在光敏有机树脂膜上形成的第二氮化物绝缘膜，以及在第二氮化物绝缘膜上提供的布线，其中在光敏有机树脂膜中提供第一开口部分，第一开口部分的内壁表面由第二氮化物绝缘膜覆盖，在包含栅极绝缘膜、第一氮化物绝缘膜和位于第一开口部分内的第二氮化物绝缘膜的叠层膜中提供第二开口部分，并且半导体通过第一开口部分和第二开口部分与布线连接。

67. 发明申请

WO2015097593A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015097593A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/IB2014/066941
申请日：2014-12-16
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： MIYAIRI, Hidekazu , YAMAZAKI, Shunpei
IPC分类号： H01L21/8234 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L21/8247 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78651 , H01L29/78654 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： A semiconductor device that is suitable for miniaturization is provided. Alternatively, a highly reliable semiconductor device is provided. A semiconductor device including a capacitor and a transistor is provided. In the semiconductor device, the transistor includes a semiconductor layer, the semiconductor layer is positioned over the capacitor, and the capacitor includes a first electrode that is electrically connected to the transistor.
摘要翻译：提供适合于小型化的半导体器件。或者，提供高度可靠的半导体器件。提供了包括电容器和晶体管的半导体器件。在半导体器件中，晶体管包括半导体层，半导体层位于电容器上方，电容器包括电连接到晶体管的第一电极。

68. 发明申请

WO2014060954A1 INTEGRATED CIRCUIT WITH NANOWIRE SENSORS COMPRISING A SHIELDING LAYER, SENSING APPARATUS, MEASURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：具有包含屏蔽层的纳米传感器的集成电路，感测装置，测量方法和制造方法
公开(公告)号：WO2014060954A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/IB2013/059379
申请日：2013-10-16
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： KLOOTWIJK, Johan, Hendrik , MESCHER, Marleen , ALARCON-RIVERO, Manuel, Eduardo , DE WILD, Nico, Maris, Adriaan
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4146 , G01N27/127 , G01N33/0031 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/0673 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/78651
摘要： An integrated circuit (100) comprising a substrate (110); an insulating layer (120) over said substrate; and a first nanowire element (140a) and a second nanowire element (140b) adjacent to said first nanowire element on said insulating layer; wherein the first nanowire element is arranged to be exposed to a medium comprising an analyte of interest, and wherein the second nanowire element is shielded from said medium by a shielding layer (150) over said second nanowire element. A sensing apparatus including such an IC, a sensing method using such an IC and a method of manufacturing such an IC are also disclosed.
摘要翻译：一种集成电路（100），包括基板（110）; 在所述衬底上的绝缘层（120）; 以及与所述绝缘层上的所述第一纳米线元件相邻的第一纳米线元件（140a）和第二纳米线元件（140b）; 其中所述第一纳米线元件布置成暴露于包含感兴趣分析物的介质，并且其中所述第二纳米线元件通过所述第二纳米线元件上的屏蔽层（150）与所述介质屏蔽。还公开了一种包括这种IC的感测装置，使用这种IC的感测方法和制造这种IC的方法。

69. 发明申请

WO2013095652A1 UNIAXIALLY STRAINED NANOWIRE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：单一应变纳米结构
公开(公告)号：WO2013095652A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/US2011/067236
申请日：2011-12-23
申请人： INTEL CORPORATION , CEA, Stephen M. , KIM, Seiyon , CAPPELLANI, Annalisa
发明人： CEA, Stephen M. , KIM, Seiyon , CAPPELLANI, Annalisa
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78651 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： Uniaxially strained nanowire structures are described. For example, a semiconductor device includes a plurality of vertically stacked uniaxially strained nanowires disposed above a substrate. Each of the uniaxially strained nanowires includes a discrete channel region disposed in the uniaxially strained nanowire. The discrete channel region has a current flow direction along the direction of the uniaxial strain. Source and drain regions are disposed in the nanowire, on either side of the discrete channel region. A gate electrode stack completely surrounds the discrete channel regions.
摘要翻译：描述了单轴应变纳米线结构。例如，半导体器件包括设置在衬底上方的多个垂直堆叠的单轴应变纳米线。单轴应变纳米线中的每一个包括设置在单轴应变纳米线中的离散通道区域。离散通道区域沿着单轴应变的方向具有电流流动方向。源极和漏极区域设置在离散通道区域的任一侧上的纳米线中。栅极电极堆叠完全围绕离散通道区域。

70. 发明申请

WO2004017381A3 PROCESS AND SYSTEM FOR LASER CRYSTALLIZATION PROCESSING OF FILM REGIONS ON A SUBSTRATE TO MINIMIZE EDGE AREAS, AND STRUCTURE OF SUCH FILM REGIONS 审中-公开
标题翻译：用于激光结晶处理基板上的薄膜区域以最小化边缘区域的方法和系统以及这样的薄膜区域的结构
公开(公告)号：WO2004017381A3
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/US0325954
申请日：2003-08-19
申请人： UNIV COLUMBIA , IM JAMES S
发明人： IM JAMES S
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/36
CPC分类号： H01L29/04 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66742 , H01L29/78651
摘要： A process and system for processing a thin film sample (170) are provided. In particular, a beam generator (110) can be controlled to emit at least one beam pulse (111). The beam pulse (111) is then masked to produce at least one masked beam pulse (164), which is used to irradiate at least one portion (510) of the thin film sample (170). With the at least one masked beam pulse (164), the portion (510) of the film sample (170) is irradiated with sufficient intensity for such portion to later crystallize. This portion (510) of the film sample (170) is allowed to crystallize so as to be composed of a first area (518) and a second area (515). Upon the crystallization thereof, the first area (518) includes a first set of grains, and the second area (515) includes a second set of grains whose at least one characteristic is different from at least one characteristic of the second set of grains. The first area (518) surrounds the second area (515), and is configured to allow an active region (618) of a thin-film transistor (TFT) (610) to be provided at a distance therefrom.
摘要翻译：提供了一种用于处理薄膜样品（170）的方法和系统。特别地，可以控制光束发生器（110）发射至少一个光束脉冲（111）。然后对光束脉冲（111）进行掩模以产生用于照射薄膜样品（170）的至少一部分（510）的至少一个掩模束脉冲（164）。利用至少一个掩蔽光束脉冲（164），膜样品（170）的部分（510）被照射足够的强度，以使该部分稍后结晶。允许膜样品（170）的该部分（510）结晶以由第一区域（518）和第二区域（515）组成。在其结晶时，第一区域（518）包括第一组晶粒，并且第二区域（515）包括第二组晶粒，其至少一个特征与第二组晶粒的至少一个特性不同。第一区域（518）围绕第二区域（515），并且被配置为允许在距离其距离处设置薄膜晶体管（TFT）（610）的有源区域（618）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式