基本信息:
- 专利标题： 薄膜晶体管和显示器
- 专利标题（英）：Thin film transistor and display
- 申请号：CN200910008779.0 申请日：2009-03-09
- 公开(公告)号：CN101533857B 公开(公告)日：2013-07-24
- 发明人： 达拉姆·帕尔·高赛因 , 田中勉 , 诸沢成浩
- 申请人： 索尼株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 索尼株式会社
- 当前专利权人： 日本显示器设计开发合同会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 陈桂香; 武玉琴
- 优先权： 2008-063915 2008.03.13 JP
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/20 ; G02F1/1362
摘要：
本发明提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。
公开/授权文献:
- CN101533857A 薄膜晶体管和显示器 公开/授权日：2009-09-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |