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61. 发明公开

EP3153899A1 OPTICAL COUPLING SCHEME 有权转让
标题翻译： SCHEMA ZUR OPTISCHEN KOPPLUNG
公开(公告)号：EP3153899A1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：EP15189197.5
申请日：2015-10-09
申请人： Caliopa NV
发明人： COLLINS, Tom
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/1223 , G02B6/1228
摘要： The present invention provides a waveguide structure 100 for optical coupling. The waveguide structure 100 includes a first waveguide 101 embedded in a cladding 102 of a lower refractive index than the first waveguide 101, a second waveguide 103 of a higher refractive index than the cladding 102, and an intermediate waveguide 104. The first waveguide 101 and the second waveguide 103 are physically arranged at the same side 104u of the intermediate waveguide 104 to establish an optical coupling between the first waveguide 101 and the second waveguide 103 through the intermediate waveguide 104. The first waveguide material has a refractive index value smaller than or equal to 3.
摘要翻译：本发明提供一种用于光耦合的波导结构100。波导结构100包括嵌入在比第一波导101低的折射率的包层102中的第一波导101，具有比包层102更高的折射率的第二波导103和中间波导104.第一波导101和第二波导103物理地布置在中间波导104的相同侧104u处，以通过中间波导104在第一波导101和第二波导103之间建立光耦合。第一波导材料的折射率值小于或等于等于3。

62. 发明公开

EP3116825A1 EDGE COUPLING DEVICE FABRICATION 有权
标题翻译： KANTENKOPPLUNGSVORRICHTUNGSFERTIGUNG
公开(公告)号：EP3116825A1
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：EP15716708.1
申请日：2015-04-07
申请人： Huawei Technologies Co., Ltd.
发明人： PAN, Huapu , LIU, Zongrong , WEI, Hongzhen , CHEN, Hongmin
IPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/30 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/1223 , G02B6/132 , G02B6/305 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12195
摘要： A method of fabricating an edge coupling device and an edge coupling device are provided. The method includes removing a portion of cladding material to form a trench over an inversely tapered silicon waveguide, depositing a material having a refractive index greater than silicon dioxide over remaining portions of the cladding material and in the trench, and removing a portion of the material within the trench to form a ridge waveguide.
摘要翻译：提供一种制造边缘耦合装置和边缘耦合装置的方法。该方法包括去除包层材料的一部分以在反锥形硅波导上形成沟槽，在包层材料的剩余部分和沟槽中沉积具有大于二氧化硅的折射率的材料，以及去除材料的一部分在沟槽内形成脊状波导。

63. 发明授权

EP2329303B1 METHOD AND APPARATUS FOR EFFICIENT COUPLING BETWEEN SILICON PHOTONIC CHIP AND OPTICAL FIBER 有权转让
标题翻译：方法和设备照片AMERICAN硅芯片和光纤高效耦合
公开(公告)号：EP2329303B1
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：EP09815014.7
申请日：2009-09-11
申请人： Intel Corporation
发明人： LIU, Ansheng
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/38 , B82Y20/00 , G02B6/30 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/305 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B2006/12061

64. 发明公开

EP2932319A1 WELLENLEITERANORDNUNG 有权转让
公开(公告)号：EP2932319A1
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：EP13826720.8
申请日：2013-11-26
申请人： Humboldt-Universität zu Berlin , Forschungsverbund Berlin E.V.
发明人： HENZE, Rico , THIES, Andreas , BENSON, Oliver
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/136
CPC分类号： G02B6/122 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , G02B2006/121
摘要： The invention relates to a waveguide arrangement (10) comprising a substrate (20) and at least one strip-shaped waveguide made of a wave-guiding layer material (30). The strip waveguide extends strip-like in a longitudinal direction and can guide waves in its longitudinal direction so that the wave propagation direction corresponds to the longitudinal direction of the strip waveguide. The refractive index of the substrate (20) is greater than the refractive index of the layer material (30). In order to guide waves vertically, the strip waveguide forms a waveguide bridge (60) which is located above a recess (100) in the substrate (20) and which is at least partially spatially separated from the substrate (20) there.
摘要翻译：本发明涉及包括基板（20）和由波导层材料（30）制成的至少一个条形波导的波导装置（10）。带状波导在纵向方向上延伸成条状，并且可以在其纵向方向上引导波，使得波传播方向对应于带状波导的纵向方向。衬底（20）的折射率大于层材料（30）的折射率。为了垂直地引导波，条形波导形成位于基板（20）中的凹部（100）上方并且在那里至少部分地与基板（20）在空间上分离的波导桥（60）。

65. 发明授权

EP2463695B1 Procédé pour réaliser un guide optique à fente sur silicium 有权
标题翻译：制造具有在硅上的狭槽的光波导的制造方法
公开(公告)号：EP2463695B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：EP11192997.2
申请日：2011-12-12
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , ALCATEL LUCENT , Centre National de la Recherche Scientifique , Université Paris-Sud 11
发明人： Fedeli, Jean-Marc , Duan, Guang-Hua , Marris-Morini, Delphine , Rasigade, Gilles , Vivien, Laurent , Ziebell, Melissa
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/132 , G02B6/10 , G02F1/025
CPC分类号： G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/107 , G02B6/131 , G02B6/132 , G02B2006/12061 , G02B2006/12142 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178 , G02F1/025 , G02F1/2257

66. 发明公开

EP2801849A1 Wave guide, method of producing a waveguide and method for establishing a core height value, a core width value and thickness values of cladding layers in a waveguide insensitive to fabrication fluctuations 审中-公开
标题翻译：用于在形成了芯高度值，芯宽度值的和包覆层的厚度的值的制造变化不敏感的波导产生的波导的波导的方法，及方法
公开(公告)号：EP2801849A1
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：EP13193664.3
申请日：2013-11-20
申请人： AIP Leibniz-Institut für Astrophysik
发明人： Chavez Boggio, Jose , Bodenmüller, Daniel , Fremberg, Tino
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/1223 , G02B6/13 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061
摘要： A waveguide comprising a core (1) with a refractive index and a multicladding arrangement (3) on top of the core (1) is provided. In the waveguide,
- the multi-cladding arrangement (3) consists of a staple of one or more cladding layer pairs (8, 10);
- each cladding layer pair (8,10) is composed of an upper cladding layer (7, 11) having a first refractive index n 1 that equals the refractive index of the core (1) and a lower cladding layer (5, 9) having a second refractive index n 2 ,
- the ratio n 1 / n 2 of the first refractive index n 1 to the second refractive index n 2 is between 1.25 and 1.45, and
- the core (1) and the multi-cladding arrangement (3) are embedded in an outer cladding (2, 2A) having a refractive index that equals the second refractive index n 2 .
In addition, a method of producing a waveguide with a desired dispersion value and a flat dispersion profile, and a method for establishing a core height value, a core width value and thickness values of cladding layers in a waveguide are provided.
摘要翻译：本发明提供一种波导，其包括芯部（1）具有折射率，并在芯（1）的顶部上的多包装置（3）。在波导 - 多包层结构（3）besteht一个或多个包层对（8，10）的缝钉的; - 每个包层对（8,10）是由具有第一折射率n 1等于折射率做的芯（1）和下包层的上包层（7,11）的（5,9）具有第二折射率n 2， - 所述第一折射率的比n的1 / n 2 N 1到第二折射率n 2为1:25和1:45，以及 - 所述芯（1）和多包层布置（ 3）嵌入在外部包层（2，图2A），其具有的折射率确实等于第二折射率N2。此外，产生与期望的色散值和平坦色散分布，以及用于建立核心高度值的方法的波导管的方法中，提供了在一个波导的芯的宽度值和包覆层的厚度值。

67. 发明公开

EP2329303A2 METHOD AND APPARATUS FOR EFFICIENT COUPLING BETWEEN SILICON PHOTONIC CHIP AND OPTICAL FIBER 有权转让
标题翻译：方法和设备照片AMERICAN硅芯片和光纤高效耦合
公开(公告)号：EP2329303A2
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：EP09815014.7
申请日：2009-09-11
申请人： Intel Corporation
发明人： LIU, Ansheng
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/38
CPC分类号： G02B6/305 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B2006/12061
摘要： A method and apparatus for efficient coupling between a silicon photonic chip and an optical fiber is described. In one embodiment, an apparatus according to embodiments of the present invention includes: a first optical waveguide having a first end to optically couple to a first external device and a second end, the second end having a taper with a tip at the second end, a second optical waveguide optically coupled to the taper of the first optical waveguide, having a taper with a tip at a second end, and a third optical waveguide optically coupled to the taper of the second optical waveguide, the third optical waveguide to optically couple to a second external device having a larger cross-sectional area than the first external device.

68. 发明公开

EP2318865A1 TWO-STEP HARDMASK FABRICATION METHODOLOGY FOR SILICON WAVEGUIDES 审中-公开
标题翻译：两段HART掩模工艺硅波导
公开(公告)号：EP2318865A1
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：EP09810591.9
申请日：2009-08-27
申请人： Bae Systems Information And Electronic Warfare Systems, Inc.
发明人： CAROTHERS, Daniel, N. , HILL, Craig, M. , POMERENE, Andrew TS
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097
摘要： Techniques are disclosed for efficiently fabricating semiconductors including waveguide structures. In particular, a two-step hardmask technology is provided that enables a stable etch base within semiconductor processing environments, such as the CMOS fabrication environment. The process is two-step in that there is deposition of a two-layer hardmask, followed by a first photolithographic pattern, followed by a first silicon etch, then a second photolithographic pattern, and then a second silicon etch. The process can be used, for example, to form a waveguide structure having both ridge and channel configurations, or a waveguide (ridge and/or channel) and a salicide heater structure, all achieved using the same hardmask. The second photolithographic pattern allows for the formation of the lower electrical contacts to the waveguides (or other structures) without a complicated rework of the hardmask.

69. 发明公开

EP1918744A1 Nouvelle structure de guide a fente 有权
标题翻译：维尔法赫恩·赫斯特伦（Schrezwellenleiters）
公开(公告)号：EP1918744A1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：EP07119452.6
申请日：2007-10-29
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique
发明人： Jordana, Emmanuel , Fedeli, Jean-Marc , El Melhaoui, Loubna
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/107 , G02B6/131 , G02B6/136 , G02B2006/12061
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un guide à fente, dans lequel:
a) on forme une couche de matériau d'indice inférieur à celui du silicium (26, 56) sur une couche d'arrêt de gravure (22, 51),
b) on grave deux tranchées (32, 34) parallèles dans la couche de matériau d'indice inférieur à celui du silicium (26), avec arrêt de la gravure sur ladite couche d'arrêt de gravure, ces deux tranchées étant séparées par une paroi (36) en matériau d'indice inférieur à celui du silicium,
c) on remplit les tranchées ainsi réalisées par du silicium (42, 44).
摘要翻译：该方法包括在由二氧化硅或硅制成的蚀刻停止层（22）上形成非化学计量的氧化硅层，并且是绝缘体上硅的表面层。借助于由金属或树脂制成的硬掩模，其中沟槽被氧化硅壁（36）分开，在蚀刻停止层上平铺两个平行的沟槽。沟槽填充有非晶，多晶或单晶硅（42,44）。氧化硅层的退火在进行形成，烧结或填充步骤之后进行。

70. 发明公开

EP1610159A1 SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：塞维利亚。塞维利亚
公开(公告)号：EP1610159A1
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：EP04724866.1
申请日：2004-03-31
申请人： HAMAMATSU PHOTONICS K. K. , Nagata, Seiichi
发明人： NAGATA, Seiichi
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/13 , G02B2006/12061 , G02B2006/121 , Y10T428/31663
摘要： A silicon substrate 1 has a structure in which a depression of a silicon crystal is formed on at least one principal surface 2 side of a crystalline silicon substrate and which has a vitreous region 3 filled in the depression and consisting primarily of silicon oxide. The vitreous region 3 is formed so that the glass transition temperature Tg thereof is lower than that of pure silica glass and not more than 900°C. This configuration realizes the silicon substrate in which internal strain is reduced between glass and the silicon crystal, and a forming method thereof.
摘要翻译：硅衬底1具有其中在晶体硅衬底的至少一个主表面2侧上形成硅晶体的凹陷并且其中填充有凹陷部并且主要由氧化硅组成的玻璃质区域3的结构。形成玻璃质区域3，使得其玻璃化转变温度Tg低于纯二氧化硅玻璃的玻璃化转变温度Tg并且不超过900℃。该构造实现了玻璃与硅晶体之间的内部应变减小的硅衬底，以及其形成方法。

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