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    • 64. 发明授权
      US08053756B2 Nitride semiconductor light emitting element 有权
    • Nitride semiconductor light emitting element
    • 氮化物半导体发光元件
    • US08053756B2
    • 2011-11-08
    • US12227694
    • 2006-05-26
    • Ken Nakahara , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi
    • Ken Nakahara , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi
    • H01L29/06 , H01L31/00
    • H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/06
    • Provided is a nitride semiconductor light emitting element having an improved carrier injection efficiency from a p-type nitride semiconductor layer to an active layer by simple means from a viewpoint utterly different from the prior art. A buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an InGaN/GaN superlattice layer 5, an active layer 6, a first undoped InGaN layer 7, a second undoped InGaN layer 8, and a p-type Gan-based contact layer 9 are stacked on a sapphire substrate 1. A p-electrode 10 is formed on the p-type Gan-based contact layer 9. An n-electrode 11 is formed on a surface where the n-type GaN contact layer 4 is exposed as a result of mesa-etching. The first undoped InGaN layer 7 is formed to contact a well layer closest to a p-side in the active layer having a quantum well structure, and subsequently the second undoped InGaN layer 8 is formed thereon. The carrier injection efficiency into the active layer 6 can be improved by making the total film thickness of the first and second undoped InGaN layers 20 nm or less.
    • 提供了从与现有技术完全不同的观点，通过简单的手段，具有从p型氮化物半导体层到活性层的载流子注入效率提高的氮化物半导体发光元件。 缓冲层2，未掺杂的GaN层3，n型GaN接触层4，InGaN / GaN超晶格层5，有源层6，第一未掺杂的InGaN层7，第二未掺杂的InGaN层8和p 型的Gan型接触层9层叠在蓝宝石基板1上。在p型Gan型接触层9上形成p电极10.在n型电极11的表面上形成n电极11， 作为台面蚀刻的结果，GaN接触层4被暴露。 第一未掺杂的InGaN层7形成为与具有量子阱结构的有源层中最靠近p侧的阱层接触，随后在其上形成第二未掺杂的InGaN层8。 通过使第一和第二未掺杂的InGaN层的总膜厚度达到20nm以下，能够提高进入有源层6的载流子注入效率。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 65. 发明申请
      US20090179190A1 Nitride Semiconductor Light Emitting Element 审中-公开
    • Nitride Semiconductor Light Emitting Element
    • 氮化物半导体发光元件
    • US20090179190A1
    • 2009-07-16
    • US12227711
    • 2006-05-26
    • Ken Nakahara , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi
    • Ken Nakahara , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi
    • H01L33/00
    • H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/04
    • Provided is a nitride semiconductor light emitting element having an improved carrier injection efficiency from a p-type nitride semiconductor layer to an active layer by simple means from a viewpoint utterly different from the prior art. In the nitride semiconductor light emitting element, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an InGaN/GaN superlattice layer 5, an active layer 6, an undoped GaN-based layer 7, and a p-type GaN-based contact layer 8 are stacked on a sapphire substrate 1. A p-electrode 9 is formed on the p-type GaN-based contact layer 8. An n-electrode 10 is formed on a surface where the n-type GaN contact layer 4 is exposed as a result of mesa-etching. An intermediate semiconductor layer is formed between a well layer closest to a p-side in the active layer having a quantum well structure and the p-type GaN-based contact layer 8. The carrier injection efficiency into the active layer 6 can be improved by making the total film thickness of the intermediate semiconductor layer 20 nm or less.
    • 提供了从与现有技术完全不同的观点，通过简单的手段，具有从p型氮化物半导体层到活性层的载流子注入效率提高的氮化物半导体发光元件。 在氮化物半导体发光元件中，缓冲层2，未掺杂的GaN层3，n型GaN接触层4，InGaN / GaN超晶格层5，有源层6，未掺杂的GaN基层7和 在蓝宝石衬底1上堆叠p型GaN基接触层8.在p型GaN基接触层8上形成p电极9.在n面上形成n电极10， 作为台面蚀刻的结果，露出GaN型接触层4。 在具有量子阱结构的有源层中的最靠近p侧的阱层和p型GaN基接触层8之间形成中间半导体层。通过以下方式可以提高进入有源层6的载流子注入效率： 使中间半导体层的总膜厚度为20nm以下。
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    • 66. 发明申请
      US20090166607A1 Nitride Semiconductor Light Emitting Element 有权
    • Nitride Semiconductor Light Emitting Element
    • 氮化物半导体发光元件
    • US20090166607A1
    • 2009-07-02
    • US12227694
    • 2006-05-26
    • Ken Nakahara , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi
    • Ken Nakahara , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi
    • H01L33/00
    • H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/06
    • Provided is a nitride semiconductor light emitting element having an improved carrier injection efficiency from a p-type nitride semiconductor layer to an active layer by simple means from a viewpoint utterly different from the prior art. A buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an InGaN/GaN superlattice layer 5, an active layer 6, a first undoped InGaN layer 7, a second undoped InGaN layer 8, and a p-type Gan-based contact layer 9 are stacked on a sapphire substrate 1. A p-electrode 10 is formed on the p-type Gan-based contact layer 9. An n-electrode 11 is formed on a surface where the n-type GaN contact layer 4 is exposed as a result of mesa-etching. The first undoped InGaN layer 7 is formed to contact a well layer closest to a p-side in the active layer having a quantum well structure, and subsequently the second undoped InGaN layer 8 is formed thereon. The carrier injection efficiency into the active layer 6 can be improved by making the total film thickness of the first and second undoped InGaN layers 20 nm or less.
    • 提供了从与现有技术完全不同的观点，通过简单的手段，具有从p型氮化物半导体层到活性层的载流子注入效率提高的氮化物半导体发光元件。 缓冲层2，未掺杂的GaN层3，n型GaN接触层4，InGaN / GaN超晶格层5，有源层6，第一未掺杂的InGaN层7，第二未掺杂的InGaN层8和p 型的Gan型接触层9层叠在蓝宝石基板1上。在p型Gan型接触层9上形成p电极10.在n型电极11的表面上形成n电极11， 作为台面蚀刻的结果，GaN接触层4被暴露。 第一未掺杂的InGaN层7形成为与具有量子阱结构的有源层中最靠近p侧的阱层接触，随后在其上形成第二未掺杂的InGaN层8。 通过使第一和第二未掺杂的InGaN层的总膜厚度达到20nm以下，能够提高进入有源层6的载流子注入效率。
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