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    • 61. 发明授权
      US5963791A Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure and method of fabrication 失效
    • Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure and method of fabrication
    • 具有自对准栅极结构的碳化硅MOSFET和制造方法
    • US5963791A
    • 1999-10-05
    • US900442
    • 1997-07-25
    • Dale Marius Brown , Richard Joseph Saia , John Adam Edmond , John Williams Palmour
    • Dale Marius Brown , Richard Joseph Saia , John Adam Edmond , John Williams Palmour
    • H01L21/04 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/00
    • H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , Y10S438/931
    • A SiC MOSFET having a self-aligned gate structure is fabricated upon a monocrystalline substrate layer, such as a p type conductivity .alpha.6H silicon carbide (SiC) substrate. An SiC n+ type conductivity layer is epitaxially grown on the substrate layer. A steep-walled groove is etched through the n+ SiC layer and partially into the p SiC layer at a location on the substrate where a MOSFET gate structure is desired. Subsequently, a thin layer of silicon dioxide and a layer of gate metal are successively deposited over the entire structure. The gate metal layer is deposited with sufficient thickness to substantially fill the groove. A layer of photoresist is applied to the entire surface of the gate metal layer. The photoresist and the underlying gate metal are then reactive ion etched down to the oxide layer, leaving gate metal remaining only in the groove. The gate metal and oxide layer form the self-aligned gate structure wherein the walls of the groove are automatically aligned with the edges of drain and source regions that are formed on either side of the groove.
    • 具有自对准栅极结构的SiC MOSFET在单晶衬底层（例如p型导电性α6H碳化硅（SiC））衬底上制造。 在衬底层上外延生长SiC n +型导电层。 通过n + SiC层蚀刻陡壁凹槽，并且在需要MOSFET栅极结构的衬底上的位置处部分地蚀刻到p SiC层中。 随后，在整个结构上依次沉积二氧化硅薄层和栅极金属层。 栅极金属层被沉积​​有足够的厚度以基本上填充凹槽。 将光致抗蚀剂层施加到栅极金属层的整个表面。 然后将光致抗蚀剂和下面的栅极金属反应离子蚀刻到氧化物层，留下栅极金属仅在沟槽中。 栅极金属和氧化物层形成自对准栅极结构，其中沟槽的壁自动地与形成在槽的任一侧上的漏极和源极区域的边缘对准。
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    • 63. 发明授权
      US5726463A Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure 失效
    • Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure
    • 具有自对准栅极结构的碳化硅MOSFET
    • US5726463A
    • 1998-03-10
    • US925823
    • 1992-08-07
    • Dale Marius Brown , Richard Joseph Saia , John Adam Edmond , John Williams Palmour
    • Dale Marius Brown , Richard Joseph Saia , John Adam Edmond , John Williams Palmour
    • H01L21/04 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L31/0256 , H01L29/76 , H01L31/0312
    • H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , Y10S438/931
    • A SiC MOSFET having a self-aligned gate structure is fabricated upon a monocrystalline substrate layer, such as a p type conductivity .alpha.6H silicon carbide (SiC) substrate. An SiC n+ type conductivity layer, epitaxially grown on the substrate layer, includes a steep-walled groove etched through the n+ SiC layer and partially into the p SiC layer. The groove is lined with a thin layer of silicon dioxide which extends onto the n+ type conductivity layer. A filling of gate metal over the layer of silicon dioxide is contained entirely in the groove. The silicon dioxide layer includes a first window extending to the filling of gate metal in the groove, and second and third windows extending to the n+ type conductivity layer on either side of the groove, respectively. A gate contact extends through the first window to the filling of gate metal in the groove while drain and source contacts extend through the second and third window, respectively, to make contact with the n+ type conductivity layer in drain and source regions on either side of the groove.
    • 具有自对准栅极结构的SiC MOSFET在单晶衬底层（例如p型导电性α6H碳化硅（SiC））衬底上制造。 在衬底层上外延生长的SiC n +型导电层包括通过n + SiC层蚀刻并部分地进入p SiC层的陡壁沟槽。 凹槽衬有一层二氧化硅，其延伸到n +型导电层上。 栅极金属在二氧化硅层上的填充完全包含在槽中。 二氧化硅层包括延伸到槽中的栅极金属填充物的第一窗口，以及分别延伸到沟槽两侧的n +型导电层的第二和第三窗口。 栅极接触件延伸穿过第一窗口以填充沟槽中的栅极金属，而漏极和源极触点分别延伸穿过第二和第三窗口，以与第二和第三窗口中的漏极和源极区域中的n +型导电层接触， 凹槽
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