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61. 发明公开

KR1020020013981A 다이아몬드상 카본 필름 코팅 장치 및 방법 失效
标题翻译：用于涂覆金刚石碳膜的装置和方法
公开(公告)号：KR1020020013981A
公开(公告)日：2002-02-25
申请号：KR1020000046263
申请日：2000-08-10
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이광렬 , 은광용
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/509 , Y10S427/106
摘要： PURPOSE: Apparatus and method for coating a diamond-like carbon film are provided which increase an adhesive force of the diamond-like carbon film by inserting a tungsten layer and a mixture layer of tungsten and carbon between a substrate and the diamond-like carbon film as adhesive force increasing layers. CONSTITUTION: In an apparatus for coating a diamond-like carbon film on a substrate(1), the apparatus comprises a vacuum chamber(20) in which the substrate is arranged; a vacuum means maintaining the inside of the vacuum chamber as the vacuum state suitable for coating; a means(50) laying up a first adhesive force increasing layer consisting of certain elements on the substrate; and a means(50) laying up the diamond-like carbon film on the first adhesive force increasing layer, wherein the apparatus further comprises a means for laying up a second adhesive force increasing layer consisting of a mixture of the elements composing the first adhesive force increasing layer and hydrocarbon on the first adhesive force increasing layer, wherein the certain elements are one or more elements selected from the group consisting of W, Mo, Pd and Ta included in Group IV to Group VI in the periodic table, the hydrocarbon is methane (CH4), the means laying up a first adhesive force increasing layer lays up the first adhesive force increasing layer by sputtering using an argon gas a sputtering gas, the means for laying up a second adhesive force increasing layer lays up the second adhesive force increasing layer by sputtering using a mixed gas of argon and hydrocarbon as a sputtering gas, and wherein the hydrocarbon gas has a content of 10 to 60%.
摘要翻译：目的：提供用于涂覆类金刚石碳膜的装置和方法，其通过在基底和类金刚石碳膜之间插入钨层和钨和碳的混合层来增加类金刚石碳膜的粘附力作为粘合力增加层。构成：在用于在基板（1）上涂覆类金刚石碳膜的装置中，该装置包括其中布置基板的真空室（20）; 真空装置将真空室内部保持为适于涂覆的真空状态; 在所述基板上铺设由某些元素组成的第一粘合力增加层的装置（50）以及在所述第一增粘层上铺设所述类金刚石碳膜的装置（50），其中所述装置还包括用于铺设由构成所述第一粘合力的所述元素的混合物构成的第二粘合力增加层的装置在第一粘合力增加层上增加层和烃，其中某些元素是选自元素周期表IV至VI族中的W，Mo，Pd和Ta的一种或多种元素，烃是甲烷（CH4），设置第一粘合力增加层的装置通过使用氩气的溅射气体溅射来放置第一粘合力增加层，用于铺设第二粘合力增加层的装置铺设第二粘合力增加使用氩和烃的混合气体作为溅射气体进行溅射，其中烃气体的含量为10〜60％。

62. 发明公开

KR1019990048881A 내식성무반사다이아몬드성경질탄소막및그의제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990048881A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970067702
申请日：1997-12-11
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이광렬 , 은광용 , 백영준 , 구형회
IPC分类号： C23C16/26
摘要： 종래 경질 탄소막에 규소를 적정 수준으로 함유시켜 막의 광학적 특성은 유지시키되 내식성 등의 기계적 특성을 향상시키는 방법이 제공된다.

63. 发明授权

KR102130116B1 친수성 소재를 포함하는 펜스 有权
公开(公告)号：KR102130116B1
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：KR1020180019563
申请日：2018-02-19
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 문명운 , 이광렬 , 권오창 , 조서현 , 이영아
IPC分类号： E02B15/08

64. 发明授权

KR102070296B1 복합나노구조체를 가진 친수성 알루미늄 표면체 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102070296B1
公开(公告)日：2020-01-28
申请号：KR1020170184625
申请日：2017-12-29
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 문명운 , 윤선미 , 이광렬 , 이혜빈 , 이영아
IPC分类号： C23C22/68 , C23C22/73 , C23C8/16

65. 发明授权

KR101983599B1 가상 캐소드 시뮬레이션 방법 및 이를 지원하는 전자 장치 有权
公开(公告)号：KR101983599B1
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：KR1020170084730
申请日：2017-07-04
申请人： 한국과학기술연구원 , 서울대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이광렬 , 한상수 , 이민호 , 조경재 , 조맹효 , 임진명 , 김두호 , 황태순 , 김동철 , 이병주 , 이은구
IPC分类号： G06F17/50

66. 发明授权

KR101909491B1 고체상 물질에서 불순물 구조 및 결함 구조의 특성 산출방법 및 이를 지원하는 전자 장치 有权
公开(公告)号：KR101909491B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020160119113
申请日：2016-09-19
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김승철 , 한상수 , 이광렬 , 허가현
IPC分类号： G06F19/00
摘要： 본발명은고체상물질에서불순물구조및 결함구조의특성산출방법및 이를지원하는전자장치가개시된다. 본발명의전자장치는고체상물질에서호스트(host) 물질및 불순물의물질정보를포함하는사용자입력을수신하는입력부및 사용자입력에따라적어도일부의불순물구조및 결함구조를생성하고, 생성된불순물구조및 결함구조의에너지를산출하며, 산출된에너지를기초로불순물구조및 결함구조의열역학적에너지를산출하고, 산출된열역학적에너지를기초로특정불순물구조및 특정결함구조의종류및 농도를결정하며, 결정된특정불순물구조및 특정결함구조의특성을분석하는제어부를포함한다.

67. 发明公开

KR1020170085238A 고체 전해질 인터페이스 시뮬레이션 방법 및 이를 지원하는 전자 장치 有权
标题翻译：固体电解质界面模拟方法及其配套电子装置
公开(公告)号：KR1020170085238A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004597
申请日：2016-01-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이광렬 , 한상수 , 이민호
IPC分类号： G01R31/36 , G06F17/50 , H01M10/42 , H01M4/02
摘要： 본발명은음극고체전해질인터페이스시뮬레이션방법및 이를지원하는전자장치에관한것이다. 본발명에따른음극고체전해질인터페이스시뮬레이션을지원하는전자장치는음극고체전해질인터페이스의시뮬레이션분석을컴퓨팅장치기반으로수행하는데관련된적어도하나의데이터를저장하는메모리와, 메모리에전기적으로연결되는프로세서를포함한다. 프로세서는사용자입력에따라음극고체전해질인터페이스의이전작업리스트또는현재작업리스트를포함하는로비페이지를출력하거나또는사용자입력에따라음극고체전해질인터페이스의생성, 시뮬레이션, 및분석중 적어도하나를수행할수 있는작업페이지를출력하도록설정된다.
摘要翻译：本发明涉及阴极固体电解质界面模拟方法和支持其的电子装置。的是，根据本发明支持阳极的固体电解质界面模拟电子装置至少包括用于存储一条数据的存储器，处理器，其电耦合到参与到基于所述计算设备执行所述阳极的固体电解质界面的模拟分析存储器。可以根据用户的输入，模拟和阳极的固体电解质界面的分析响应于用户输入执行上述任务列表中的至少一个，或者输出包含当前任务列表大厅页面或创建一个阴极的固体电解质界面的处理器任务并设置为输出一个页面。

68. 发明公开

KR1020170085236A 가상 애노드 시뮬레이션 방법 및 이를 지원하는 전자 장치 有权
标题翻译：虚拟阳极模拟方法及其配套电子装置
公开(公告)号：KR1020170085236A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004593
申请日：2016-01-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이광렬 , 한상수 , 이민호
IPC分类号： G01R31/36 , G06F17/50 , H01M10/42 , H01M4/02
摘要： 본발명은가상애노드시뮬레이션방법및 이를지원하는전자장치에관한것이다. 본발명에따른전자장치는이차전지에적용되는애노드물질을컴퓨팅장치를기반으로가상으로설계하는데관련된적어도하나의데이터를저장하는메모리와, 메모리에전기적으로연결되는프로세서를포함한다. 프로세서는사용자입력에따라애노드물질설계와관련한애노드물질을선택할수 있는로비페이지, 또는애노드물질설계와관련한적어도하나의입력을처리하는작업페이지중 적어도하나를출력하도록설정된다.
摘要翻译：虚拟阳极模拟方法和支持其的电子装置技术领域本发明涉根据本发明的电子设备包括所述存储器中的至少一个用于存储数据的，电耦合到相关联的待施加的阳极材料的设计的存储器是电池是否是基于所述虚拟计算设备的处理器。该处理器被配置为输出的作业页处理相关的给大厅的页面的至少一个输入，或可相对于所述阳极材料的阳极材料可根据用户输入的设计选择设计中的阳极材料的至少一个。

69. 发明授权

KR101675348B1 이차전지 시뮬레이션 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于二次细胞发育的模拟方法和系统
公开(公告)号：KR101675348B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020150161348
申请日：2015-11-17
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이광렬 , 한상수 , 이민호
IPC分类号： G06F17/50 , H01M10/48
摘要： 본발명은이차전지설계를위한시뮬레이션방법및 시스템에관한것이다. 상기목적을달성하기위해본 발명은이온전지전극과관련된설정정보를입력받는단계, 상기설정정보에근거하여시뮬레이션방식을결정하는단계, 상기결정된시뮬레이션방식에근거하여서로다른시뮬레이션을수행하는복수의시뮬레이션서버들중 적어도하나의서버로상기설정정보를전송하는단계및 상기설정정보가전송된서버로부터시뮬레이션결과를수신하는경우, 상기시뮬레이션결과를출력하는단계를포함하는이차전지시뮬레이션방법을제공한다. 본발명에따른이차전지시뮬레이션시스템은초보자도손쉽게시뮬레이션을이용하여이차전지의음극, 양극, 전해질관련소재를설계하고각 전극의안정성및 신뢰성을예측할수 있도록하여이차전지개발의효율성을제고시킬수 있다.

70. 发明授权

KR101529527B1 실리콘 함유 다이아몬드상 카본 박막, 그 제조 방법 및 용도 有权
标题翻译：含硅金刚石碳膜，其制造方法及其使用
公开(公告)号：KR101529527B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020127013507
申请日：2009-10-08
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 문명운 , 이광렬 , 이진우 , 김해리
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/26 , A61L27/303 , A61L31/084 , A61L33/025 , C23C16/30 , Y10T428/13 , Y10T428/24355
摘要： 본발명은실리콘함유다이아몬드상카본박막, 그제조방법및 용도에관한것으로서, 상기실리콘함유다이아몬드상카본박막은내부및 표면에실리콘을함유한다이아몬드상카본박막의표면에, 상기박막표면에존재하는탄소및 규소원자와상기박막의표면에친수성을부여하는원자 (A) 사이의화학결합이있는것을특징으로한다.

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