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    • 68. 发明公开
    • 반도체 소자 및 그의 제조 방법
    • 半导体器件及其制造方法
    • KR1020150104420A
    • 2015-09-15
    • KR1020140026139
    • 2014-03-05
    • 삼성전자주식회사
    • 김범석구봉진임종성최한메
    • H01L21/20H01L33/00
    • H01L31/03529H01L21/02532H01L21/0262H01L21/26513H01L31/1804H01L31/1864Y02P70/521
    • 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 리세스 영역 및 상기 리세스 영역에 의해 정의되는 돌출부들을 포함하는 제 1 반도체층, 상기 돌출부들 상에 제공되고, 상기 돌출부들의 측벽으로 연장되는 제 1 절연 패턴들 및 상기 리세스 영역을 채우며 상기 제 1 절연 패턴들을 덮는 제 2 반도체층을 포함하고, 상기 돌출부들은 제 1 방향으로 상호 이격되어 행을 이루는 제 1 그룹의 돌출부들 및 상기 제 1 그룹의 돌출부들로부터 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이격되되, 상기 제 1 방향으로 상호 이격되어 행을 이루는 제 2 그룹의 돌출부들을 포함하고, 상기 제 2 그룹의 돌출부들은 제 1 그룹의 돌출부들로부터 상기 제 1 방향으로 시프트 되어 배치되는 반도체 소자가 제공된다.
    • 本发明涉及一种半导体器件。 所述半导体器件包括:第一半导体层,包括凹部区域和由所述凹部区域限定的突出部; 第一绝缘图案,设置在突起上并延伸到突起的侧壁; 以及通过填充所述凹部区域覆盖所述第一绝缘图案的第二半导体层。 突起包括:形成沿第一方向相互间隔的线的第一组的突起; 以及第二组的突起,在与第一方向的第一方向相交的第二方向上与第一组的突起间隔开,在第一方向上,通过在第一方向上相互间隔形成有线。 第二组的突起在从第一组的突起沿第一方向移位之后被布置。