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51. 发明公开

KR1020110069447A 전계방출 장치 및 그 형성방법 有权
标题翻译：场发射装置及其形成方法
公开(公告)号：KR1020110069447A
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：KR1020090126186
申请日：2009-12-17
申请人： 나노퍼시픽(주)
发明人： 유중원 , 박재영 , 박영돈 , 박수영 , 김영석
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J31/123 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/467 , H01J2329/4613 , H01J2329/4634
摘要： PURPOSE: An electric field emitting apparatus and its forming method ar provided to enhance a light emitting efficiency by constituting a gate electrode and a cathode electrode, made of in one driving region, with a plurality of lines. CONSTITUTION: A gate electrode(131) comprises the first gate electrode line, and a plurality of second gate lines and third gate lines. A cathode electrode(121) comprises the first cathode electrode line, the second cathode lines and the third cathode lines. The second substrate is in parallel to the first substrate. A fluorescent layer is formed on the gate electrode and the anode electrode of the second substrate. A spacer(151) separates the first substrate from the second substrate.
摘要翻译：目的：提供一种电场发射装置及其形成方法，用于通过在多个行中构成由一个驱动区域构成的栅极电极和阴极电极来提高发光效率。构成：栅电极（131）包括第一栅极电极线和多个第二栅极线和第三栅极线。阴极电极（121）包括第一阴极电极线，第二阴极线和第三阴极线。第二基板与第一基板平行。在第二基板的栅电极和阳极上形成荧光层。间隔物（151）将第一基板与第二基板分离。

52. 发明授权

KR101160173B1 전계방출 장치 및 그 형성방법 有权
标题翻译：场发射装置及其形成方法
公开(公告)号：KR101160173B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090126186
申请日：2009-12-17
申请人： 나노퍼시픽(주)
发明人： 유중원 , 박재영 , 박영돈 , 박수영 , 김영석
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J31/123 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/467 , H01J2329/4613 , H01J2329/4634
摘要： 전계방출 장치가 제공된다. 이 전계방출 장치는, 제1 방향, 제2 방향 및 제 3방향으로 각각 연장되는 게이트 라인들을 포함하는 게이트 전극, 및 제1 방향, 제2 방향 및 제 3방향으로 각각 연장되는 캐소드 라인들을 포함하는 캐소드 전극을 포함하는 제1 기판, 제1 기판과 대향하며 애노드 전극을 포함하는 제2 기판 및 제1 기판과 제2 기판 사이의 스페이서를 포함한다.
전계방출, 아킹, 스페이서

53. 发明公开

KR1020070035861A 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법 无效
公开(公告)号：KR1020070035861A
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020050090744
申请日：2005-09-28
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 조덕구
IPC分类号： G09G3/22 , G09G3/20
CPC分类号： G09G3/22 , G09G5/06 , G09G2320/043 , G09G2330/021 , G09G2360/12 , H01J2329/08 , H01J2329/4634
摘要： 본 발명은 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프레임 데이터의 크기에 따라 최대 전류의 양을 제어하는 전자 방출 표시소자 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자 방출 표시소자는 복수의 데이터선 및 복수의 주사선이 교차하여 형성되고, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 교차한 영역에 복수의 화소를 구비하며 전 영역에 걸쳐 애노드 전극이 형성되어 있는 화소부, 상기 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부, 상기 주사선에 주사 신호를 순차적으로 인가하는 주사 구동부, 상기 데이터 구동부 및 상기 주사 구동부에 전원을 인가하는 전원 공급부 및 임의의 기준 전류값을 기설정하여, 상기 화소부에 입력되는 비디오 데이터의 총합에 대응하는 전류값이 상기 기준 전류값 이상이 되지 않도록 전압 레벨을 조절하는 제어부를 포함한다.
전자 방출 표시소자, 최대 전류값, 제어 방법, 프레임 데이터, 전압 레벨

54. 发明公开

KR1020100086468A 전하 소산층을 갖는 언더게이트 전계 방출 트라이오드 无效
标题翻译：具有充电放电层的底栅场发射三极管
公开(公告)号：KR1020100086468A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020107009909
申请日：2008-10-03
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 펜니모어,아담 , 쳉,랩-탁,앤드류
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2201/3195 , H01J2329/4634 , H01J1/30 , H01J2201/30469

55. 发明授权

KR100879473B1 전자 방출 소자 및 이를 구비한 발광 장치 및 전자 방출소자 제조 방법 失效
标题翻译：电子发射装置，其发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100879473B1
公开(公告)日：2009-01-20
申请号：KR1020070094160
申请日：2007-09-17
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이소라 , 김재명 , 김윤진 , 문희성 , 주규남 , 박현기 , 조영석
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J1/304 , H01J1/316 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J63/02 , H01J2201/30453 , H01J2201/316 , H01J2203/0236 , H01J2329/0444 , H01J2329/0486 , H01J2329/4634
摘要： An electron-emissive element and a light emitting device are provided to minimize remaining coal in the surface of an electron emission unit and increase the emission efficiency of electronics by using a non-photosensitive / low temperature resolvability binder when an electronic emitting layer is coated with screen printing. An electron-emissive element(20) comprises first electrodes(22), second electrodes(24), first electron emission units(26), and second electron emission units(38). The first electrodes is extended to the first direction on the substrate. The first electrodes are separated from each other. The second electrodes are extended to second direction opposite to the first direction. The second electrodes are positioned between the first electrodes. The first electron emission unit is formed in the side of the first electrodes. The second electron emission unit is formed in the side of the second electrodes. Gap is formed between the first electron emission units and the second electron emission units which are adjacent.
摘要翻译：提供电子发射元件和发光器件以最小化电子发射单元的表面中的剩余煤，并且当电子发射层涂覆有电子发射层时，通过使用非光敏/低温可分解性粘合剂来增加电子器件的发射效率丝网印刷。电子发射元件（20）包括第一电极（22），第二电极（24），第一电子发射单元（26）和第二电子发射单元（38）。第一电极在衬底上延伸到第一方向。第一电极彼此分离。第二电极延伸到与第一方向相反的第二方向。第二电极位于第一电极之间。第一电子发射单元形成在第一电极的侧面。第二电子发射单元形成在第二电极的侧面。在第一电子发射单元和邻近的第二电子发射单元之间形成间隙。

56. 发明专利

TW201309081A 對稱型四極結構無隔離支柱場發射顯示器审中-公开
简体标题：对称型四极结构无隔离支柱场发射显示器
公开(公告)号：TW201309081A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101108085
申请日：2012-03-09
申请人：福州大學
发明人：郭太良 , 葉芸 , 林志賢 , 張永愛 , 胡利勤 , 遊玉香
IPC分类号： H05B33/00
CPC分类号： H01J63/04 , H01J29/08 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2329/08 , H01J2329/4604 , H01J2329/4608 , H01J2329/4634 , H01J2329/4669 , H01J2329/4673 , H01J2329/4682
摘要：本發明涉及一種以匯流電極為對稱中心的對稱型四極結構無隔離支柱場發射顯示器，其特徵在於：上基板設有縱向陽極電極以及由橫向連接帶和多個縱向工作帶組成的梳狀介質層，其上沿縱向交替設有螢光體層和陽極阻隔介質層，各縱向工作帶的兩旁側上分別設有閘極電極，以形成以匯流電極為對稱中心的指叉式電極結構；下基板設有橫向陰極電極和縱向輔助電極，各陰極電極上沿橫向交替設有限流電阻層和保護介質層，各輔助電極與陰極電極的相交處以保護介質層隔離。該場發射顯示器結構新穎，技術簡單，且圖像均勻，調製電壓低，電子發射穩定可靠。
简体摘要：本发明涉及一种以汇流电极为对称中心的对称型四极结构无隔离支柱场发射显示器，其特征在于：上基板设有纵向阳极电极以及由横向连接带和多个纵向工作带组成的梳状介质层，其上沿纵向交替设有萤光体层和阳极阻隔介质层，各纵向工作带的两旁侧上分别设有闸极电极，以形成以汇流电极为对称中心的指叉式电极结构；下基板设有横向阴极电极和纵向辅助电极，各阴极电极上沿横向交替设有限流电阻层和保护介质层，各辅助电极与阴极电极的相交处以保护介质层隔离。该场发射显示器结构新颖，技术简单，且图像均匀，调制电压低，电子发射稳定可靠。

57. 发明专利

TW200829074A 場發射顯示裝置审中-公开
简体标题：场发射显示设备
公开(公告)号：TW200829074A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095149947
申请日：2006-12-29
申请人：大同股份有限公司 TATUNG CO., LTD.
发明人：李宏元 LI, HUNG YUAN , 鄭健民 JHEG, JIAN MIN
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01J29/30 , H01J29/04 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2329/04 , H01J2329/4634
摘要：本發明係關於一種場發射顯示裝置,尤指一種具有下閘極場發射結構的場發射顯示裝置,其包括:一下基板;一上基板;一形成於此上基板之相對於此下基板之表面的陽極層;複數個形成於此下基板之相對於此上基板之表面的閘極層;一覆蓋此下基板之表面及此等閘極層的絕緣層;複數個形成於此絕緣層之表面的陰極層;以及複數個形成於此等陰極層之表面的場發射層。因此,本發明之場發射顯示裝置不僅可藉由其下閘極場發射結構提供之均勻化的閘極電場以控制其各顯示畫素的作動,其亦可降低其閘極層與其場發射層之間發生不正常導通的機率。
简体摘要：本发明系关于一种场发射显示设备,尤指一种具有下闸极场发射结构的场发射显示设备,其包括:一下基板;一上基板;一形成于此上基板之相对于此下基板之表面的阳极层;复数个形成于此下基板之相对于此上基板之表面的闸极层;一覆盖此下基板之表面及此等闸极层的绝缘层;复数个形成于此绝缘层之表面的阴极层;以及复数个形成于此等阴极层之表面的场发射层。因此,本发明之场发射显示设备不仅可借由其下闸极场发射结构提供之均匀化的闸极电场以控制其各显示像素的作动,其亦可降低其闸极层与其场发射层之间发生不正常导通的概率。

58. 发明专利

TW201126559A 場發射裝置及其形成方法 A FIELD EMISSION DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：场发射设备及其形成方法 A FIELD EMISSION DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201126559A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099125387
申请日：2010-07-30
申请人：奈米太平洋股份有限公司
发明人：劉仲原 , 朴在英 , 朴永敦 , 朴修榮 , 金永錫
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J31/123 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/467 , H01J2329/4613 , H01J2329/4634
摘要：本發明提供一種場發射裝置。該場發射裝置包括一第一基板,其包括一包括分別於第一、第二,以及第三方向延伸的閘極線之閘極以及一包括分別於第一、第二,以及第三方向延伸的陰極線之陰極;一面對該第一基板並包括一陽極的第二基板;以及一介於該第一基板與該第二基板之間的空間。
简体摘要：本发明提供一种场发射设备。该场发射设备包括一第一基板,其包括一包括分别于第一、第二,以及第三方向延伸的闸极线之闸极以及一包括分别于第一、第二,以及第三方向延伸的阴极线之阴极;一面对该第一基板并包括一阳极的第二基板;以及一介于该第一基板与该第二基板之间的空间。

59. 发明专利

TWI474750B 對稱型四極結構無隔離支柱場發射顯示器有权
简体标题：对称型四极结构无隔离支柱场发射显示器
公开(公告)号：TWI474750B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101108085
申请日：2012-03-09
申请人：福州大學
发明人：郭太良 , 葉芸 , 林志賢 , 張永愛 , 胡利勤 , 遊玉香
IPC分类号： H05B33/00
CPC分类号： H01J63/04 , H01J29/08 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2329/08 , H01J2329/4604 , H01J2329/4608 , H01J2329/4634 , H01J2329/4669 , H01J2329/4673 , H01J2329/4682

60. 发明专利

TW200939280A 具有電荷散逸層之在閘極下方的場發射三極體 UNDER-GATE FIELD EMISSION TRIODE WITH CHARGE DISSIPATION LAYER 审中-公开
简体标题：具有电荷散逸层之在闸极下方的场发射三极管 UNDER-GATE FIELD EMISSION TRIODE WITH CHARGE DISSIPATION LAYER
公开(公告)号：TW200939280A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097138298
申请日：2008-10-03
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：亞當費尼摩爾 FENNIMORE, ADAM , 雷泰安德魯陳 CHENG, LAP-TAK ANDREW
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2201/3195 , H01J2329/4634
摘要：本發明提供下閘極場發射三極體裝置及用於其中之陰極總成,該等陰極總成含有電荷散逸層。該電荷散逸層可位於陰極電極及/或電場發射極之下方或上方。
简体摘要：本发明提供下闸极场发射三极管设备及用于其中之阴极总成,该等阴极总成含有电荷散逸层。该电荷散逸层可位于阴极电极及/或电场发射极之下方或上方。

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