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51. 发明公开

EP1342112A2 GUIDE D'ONDE COMPORTANT UN CANAL DANS UN SUBSTRAT OPTIQUE 审中-公开
标题翻译：与通道光学衬底中波导
公开(公告)号：EP1342112A2
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：EP01270789.9
申请日：2001-12-14
申请人： Ion Beam Services
发明人： TISSERAND, Stéphane , ROUX, Laurent , TORREGROSSA, Frank , FLORY, François , ESCOUBAS, Ludovic , DROUARD, Emmanuel
IPC分类号： G02B6/134
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B2006/121
摘要： The invention concerns a waveguide comprising a channel (12) on an optical substrate (11), the refractive index of said channel being higher than that of the substrate. Said waveguide comprises at least a guide layer (13) provided on the channel, the index of said guide layer being higher than that of the substrate. In addition, the channel (12) is integrated in the substrate (11). Advantageously, the guide further comprises a covering layer (14) arranged on the guide layer (13), the index of said covering layer being less than that of the guide layer and that of the channel. The invention also concerns a method for making said waveguide.

52. 发明公开

EP0660380A3 Bandgap tuning of semiconductor quantum well structures 失效
标题翻译：调谐半导体量子阱结构的带隙。
公开(公告)号：EP0660380A3
公开(公告)日：1996-01-03
申请号：EP94309534.9
申请日：1994-12-20
申请人： NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA
发明人： Charbonneau, Sylvain , Koteles, Emil S.
IPC分类号： H01L21/22 , H01L33/00 , H01S3/19
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/1347 , G02B2006/12169 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02694 , H01L21/182 , H01S5/3413 , H01S5/3414
摘要： A method of selectively tuning the bandedge of a semiconductor heterostructure includes repeatedly forming a disordered region that is spatially separated from a quantum well active region and subsequently annealing the heterostructure each time after the disordered region is formed, so that vacancies/defects in the disordered region diffuse into the quantum well region and enhance interdiffuslon at the well-barrier heterojunctions. Repeating, the disordering followed by annealing allows for a greater range in bandgap tuning. The heterostructures of interest are III-V material systems, such as AlGaAs/GaAs, where the active region includes structures such as a single quantum well, a multiple quantum well, or a superlattice.

53. 发明公开

EP0660140A1 Procédé de réalisation d'une structure en relief sur un support en matériau semi-conducteur 失效转让
标题翻译： Herstellungsverfahrenfüreine Reliefstruktur auf einem Substrat aus Halbleitermaterial。
公开(公告)号：EP0660140A1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：EP94402969.3
申请日：1994-12-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Bruel, Michel
IPC分类号： G02B5/18 , G02B6/12
CPC分类号： G02B5/1895 , G02B5/1857 , G02B5/1876 , G02B6/1347 , H01L21/76254 , Y10T156/1052
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure en relief sur un support en matériau semiconducteur, consistant à soumettre une plaquette (1) de ce matériau semiconducteur comportant une face plane (2) aux trois étapes suivantes :

une première étape d'implantation par bombardement de la face plane (2) de la plaquette (1) au moyen d'ions (3), créant des zones de microbulles gazeuses (4,7) dans le volume de la plaquette, chaque zone étant située par rapport à la face plane à une profondeur dépendant de l'énergie d'implantation des ions reçue par cette zone pour que l'ensemble des zones implantées définisse un profil dans le volume de la plaquette, ce profil délimitant, du côté de la face plane, une région supérieure de la plaquette constituant un film mince et, du côté opposé à la face plane, une région inférieure constituant la masse du substrat,
une deuxième étape de solidarisation de la face plane de ladite plaquette avec un raidisseur constitué d'au moins une couche de matériau rigide ;
une troisième étape de traitement thermique de l'ensemble constitué par la plaquette et le raidisseur à une température suffisante pour créer une séparation (12) entre le film mince et la masse du substrat le long du profil, la séparation procurant une structure en relief sur le film mince et une structure en relief inversé sur le substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种在由半导体材料制成的衬底（支撑体）上制造浮雕结构的方法，该方法包括：对具有平面（2）的该半导体材料的晶片（1）进行以下三个步骤：通过离子（3）轰击晶片（1）的平面（2），在晶片的体积内产生气体微泡区域（4,7），每个区域都位于第一步，相对于平面，在取决于由该区域接收的离子注入能量的深度处，使得所有注入区域在晶片的体积内限定轮廓，该轮廓在包含平面的一侧上限定为所述晶片的上部区域构成薄膜，并且在与所述平面相反的一侧形成构成所述基板主体的下部区域; - 第二步，其中由至少一层刚性材料构成的加强件牢固地附接到所述晶片的平面; - 第三步骤，其中由晶片和加强件形成的组件在足以在薄膜和沿着轮廓的基底的主体之间产生分离（12）的温度下进行热处理，分离产生浮雕薄膜上的结构和基板上的反向浮雕结构。

54. 发明授权

EP0433859B1 Optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 失效
标题翻译：一种光学部件和方法，用于其生产。
公开(公告)号：EP0433859B1
公开(公告)日：1994-09-28
申请号：EP90123873.3
申请日：1990-12-12
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： Buchal, Christoph, Dr. , Sohler, Wolfgang, Dr.
IPC分类号： G02B6/10 , H01S3/16
CPC分类号： G02B6/1347

55. 发明公开

EP0433859A1 Optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 失效
标题翻译： Optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung。
公开(公告)号：EP0433859A1
公开(公告)日：1991-06-26
申请号：EP90123873.3
申请日：1990-12-12
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： Buchal, Christoph, Dr. , Sohler, Wolfgang, Dr.
IPC分类号： G02B6/10 , H01S3/16
CPC分类号： G02B6/1347
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauelementes. Dabei wird ein räumlich beschränkter, als optischer Wellenleiter (SWL) vorgesehener Bereich eines Substrats (US) aus dielektrischem Material mit Ionen durch Implantation dotiert. Ziel ist es, einen zusätzlichen, als optischen Wellenleiter (SWL) fungierenden Bereich des Substrats (US) mit Laserionen zu dotieren. Erfindungsgemäß werden hierzu als Dotierungsionen Seltene-Erd-Ionen oder Ionen eines Übergangsmetalls durch Implantation mit Energien von 50 keV und 10 MeV in den Bereich des Wellenleiters (SWL) eingebracht. Dabei können auch räumlich unterschiedliche Bereiche des Substrats (US) zur Erzeugung räumlich voneinander getrennter optischer Wellenleiter mit Ionen dotiert werden. Die Erfindung bezieht sich ferner auf das erfindungsgemäß hergestellte elektrooptische Bauelement, bei dem der räumlich beschränkte Bereich des Wellenleiters (SWL) als Dotierungsionen Seltene-Erd-Ionen oder Ionen von Übergangsmetallen enhält.
摘要翻译：本发明涉及一种光学元件的制造方法。在这种情况下，由介电材料制成的衬底（US）的作为光波导（SWL）的空间有限的区域通过注入掺杂离子。目的是用激光离子掺杂衬底（US）作为光波导（SWL）的附加区域。根据本发明，为此，将过渡金属的稀土离子或离子作为具有50keV和10MeV的能量的掺杂离子注入到波导（SWL）的区域中。在这种布置中，衬底（US）的空间不同的区域也可以掺杂离子，以便产生相互空间分离的光波导。此外，本发明涉及根据本发明制造的电光元件，其中波导（SWL）的空间有限的区域包含稀土离子或过渡金属的离子作为掺杂离子。 ... ...

56. 发明公开

EP0401971A2 Optical waveguide and method for its manufacture 失效
标题翻译： Optischer Wellenleiter和Verfahren zur Herstellung。
公开(公告)号：EP0401971A2
公开(公告)日：1990-12-12
申请号：EP90304772.8
申请日：1990-05-02
申请人： NORTHERN TELECOM LIMITED
发明人： Kalnitsky, Alexander , Ellul, Joseph Paul , Boothroyd, Albert Roy
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/1347
摘要： An optical waveguide is made by forming a layer of SiO₂ on a substrate and implanting a region of the SiO₂ layer with Si ions to define a region containing a stoichiometric excess of Si which defines a region having an elevated refractive index surrounded by a region having a lower refractive index. The resulting optical waveguide is stable at the high temperatures required for many semiconductor processing methods, and is useful for optical interconnection in integrated optical and optoelectronic devices.
摘要翻译：通过在衬底上形成SiO 2层并用Si离子注入SiO 2层的区域来制造光波导，以限定含有化学计量过量的Si的区域，该区域具有由具有较低的折射率。所得到的光波导在许多半导体处理方法所需的高温下是稳定的，并且对于集成光学和光电子器件中的光学互连是有用的。

57. 发明公开

EP0285499A1 Procédé pour augmenter localement les indices de réfraction d'un matériau électro-optique utilisable en optique guidée et matériau obtenu par ce procédé 失效
$Procédé pour augmenter localement les indices de réfraction d'un matériau électro-optique utilisable en optique guidée et matériau obtenu par ce procédé$
标题翻译：一种用于局部增加电光的折射率的方法，以便在通过该方法制备的材料的导波光学和材料一起使用。
公开(公告)号：EP0285499A1
公开(公告)日：1988-10-05
申请号：EP88400685.9
申请日：1988-03-22
申请人： ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre Délégué des Postes et Télécommunications
发明人： Carenco, Alain , Rao, Elchuri , Fouchet, Sylvie
IPC分类号： C30B31/22 , G02B6/12 , G02F1/03
CPC分类号： C30B31/22 , G02B6/125 , G02B6/1347 , Y10S117/906
摘要： Procédé pour augmenter localement les indices de réfraction d'un matériau électro-optique utilisable en optique guidée et matériau obtenu par ce procédé.
Le procédé selon l'invention consiste à réaliser une implantation d'ions (6) de soufre ou d'un dopant métallique susceptible de prendre la place d'un cation du réseau cristallin du matériau ferro-électrique (2) suivie d'un recuit entre 300 et 600°C pour ré-arranger le réseau cristallin perturbé lors de l'implantation et pour activer les ions implantés. L'implantation ionique est réalisée suivant une direction inclinée ( ) par rapport à la normale à la surface du matériau monocristallin (2). Pour un monocristal en LiNbO₃, on utilise des ions de Ti comme dopant. Ce procédé permet la réalisation d'une couche guidante (4) ayant des indices de réfraction ordinaire et extraordinaire supérieurs à ceux du monocristal pur.
摘要翻译：过程besteht在执行在硫的或能够代替铁电材料的晶体晶格的阳离子的金属掺杂剂（6）的离子注入（2）随后在退火C 300和600℃之间，以重新排列晶格在植入并激活注入的离子的干扰。离子注入的方向倾斜（）相对进行的法线以单晶材料（2）的表面上。在一个铌酸锂单晶的情况下，钛离子作为掺杂剂。这个过程使得有可能产生一个导引层（4），其寻常和非寻常折射率比纯单晶的高。 ... ...

58. 发明申请

WO2017185964A1 SPIRAL OPTICAL WAVEGUIDE TERMINATION 审中-公开
标题翻译：螺旋光波导截止
公开(公告)号：WO2017185964A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/CN2017/079758
申请日：2017-04-07
申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人： DUMAIS, Patrick
IPC分类号： H01P9/02
CPC分类号： G02B6/243 , G02B6/122 , G02B6/125 , G02B6/134 , G02B6/1347 , G02B6/136
摘要： An optical waveguide termination comprising a light-receiving inlet for receiving light to be terminated, a curved section extending from the inlet and having a continuously decreasing radius of curvature, and a light-terminating tip at an end of the curved section. The curved section may define a spiral waveguide, for example a logarithmic spiral, having a waveguide width that continuously decreases from the inlet to the tip.
摘要翻译：光波导终端包括用于接收待终止光的光接收入口，从入口延伸并且具有连续减小的曲率半径的弯曲部分，以及在终端处的光终止尖端的弯曲部分。弯曲部分可以限定螺旋波导，例如对数螺旋，其波导宽度从入口到末端连续减小。

59. 发明申请

WO2011089386A1 ELECTRO-OPTICE DEVICE COMPRISING A RIDGE WAVEGUIDE AND A PN JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING SAID DEVICE 审中-公开
标题翻译：包含一个波峰波形和一个PN结的电选装置和制造装置的方法
公开(公告)号：WO2011089386A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：PCT/GB2011/000060
申请日：2011-01-20
申请人： UNIVERSITY OF SURREY , THOMSON, David , GARDES, Frédéric , REED, Graham
发明人： THOMSON, David , GARDES, Frédéric , REED, Graham
IPC分类号： G02F1/025
CPC分类号： G02F1/025 , G02B6/134 , G02B6/1347 , G02B6/136 , G02B2006/12173 , G02F2001/0152 , G02F2201/063
摘要： An electro-optic device (10), comprising an insulating layer (14) and a layer (16, 18a, 18b, 20a, 20b) of light-carrying material adjacent the insulating layer. The layer of light-carrying material, such as silicon, comprises a first doped region (18a, 18b) of a first type and a second doped region (20a, 20b) of a second, different type abutting the first doped region to form a pn junction. The first doped region has a first thickness at the junction, and the second doped region has a second thickness at the junction, the first thickness being greater than the second thickness the two regions thereby, defining a waveguide rib (21) in the first doped region for propagating optical signals. Since the position of the junction coincides with the sidewall of the waveguide rib (21) a self-aligned process can be used in order to simplify the fabrication process and increase yield.
摘要翻译：一种电光器件（10），包括绝缘层（14）和邻近绝缘层的轻载体材料层（16,18a，18b，20a，20b）。光载体材料如硅的层包括第一类型的第一掺杂区域（18a，18b）和与第一掺杂区域邻接的第二不同类型的第二掺杂区域（20a，20b），以形成 pn结。所述第一掺杂区在所述结处具有第一厚度，并且所述第二掺杂区在所述结处具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，从而限定所述第一掺杂区中的波导肋（21）用于传播光信号的区域。由于接头的位置与波导肋（21）的侧壁重合，所以可以使用自对准工艺来简化制造工艺并提高产量。

60. 发明申请

WO2006106524A3 AMORPHOUS AND CRYSTALLINE POTASSIUM LITHIUM TANTALATE NIOBATE (KLTN) STRUCTURES FOR OPTICAL AND ELECTRO-OPTIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：光电和电光器件的非晶态和结晶钾钛酸钾（KLTN）结构
公开(公告)号：WO2006106524A3
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/IL2006000449
申请日：2006-04-09
申请人： YISSUM RES DEV CO , AGRANAT AHARON
发明人： AGRANAT AHARON
IPC分类号： G02F1/035 , G02B6/122 , G02B6/134 , G02F1/00 , G02F1/05 , G02F1/225 , G02F1/31
CPC分类号： C23C14/48 , B82Y20/00 , G02B1/02 , G02B6/1347 , G02F1/225 , G02F1/31 , G02F2201/307 , G02F2202/20 , G02F2202/32 , G02F2203/15
摘要： Amorphous and crystalline potassium lithium tantalate niobate (KLTN) structures for electro-optic devices. Amorphous regions are formed in KLTN crystal by ion bombardment using light ions (protons, helium etc.) > 1 MeV. Amorphous regions (cladding)have a lower refractive index (n) than the crystalline material to define waveguide regions in crystals. Selective bombardment via a metal shadow mask produces produce three dimensional structures for: ring resonators, tunable electro-optic resonators, electroholographic alpha gratings, photonic crystals and modulators. Vertical layers of amorphous / crystalline material form a Bragg grating (Raman-Nath diffraction). KLTN (ferroelectric with oxygen perovskite structure) has a large quadratic electro-optic effect in paraelectric phase above the composition dependent Curie (transition) temperature T C . Electroholographic gratings consisting of alternating regions of KLTN with differing compositions (different T C ) formed by a selective removal of amorphous material and a regrowth step allow wavelength selective E-O beam steering devices (no n difference at E=0) to be made.
摘要翻译：非晶和结晶钾酸锂铌酸锂（KLTN）结构的电光器件。通过使用轻离子（质子，氦等）> 1MeV的离子轰击在KLTN晶体中形成无定形区域。无定形区域（包层）具有比结晶材料更低的折射率（n），以限定晶体中的波导区域。通过金属荫罩的选择性轰击产生三维结构，用于：环形谐振器，可调电光谐振器，电子照相Alpha光栅，光子晶体和调制器。非晶/晶体材料的垂直层形成布拉格光栅（Raman-Nath衍射）。 KLTN（具有氧钙钛矿结构的铁电体）在高于组成依赖居里（转变）温度T C C以上的顺电阶段中具有大的二次电光效应。由选择性去除非晶材料形成的具有不同组成（不同TTA）的KLTN的交替区组成的电致光栅由再生长步骤允许波长选择性EO光束转向装置（在E = 0处没有n个差异）被制造。

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