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51. 发明专利

TWI486484B 反應腔和MOCVD裝置有权
简体标题：反应腔和MOCVD设备
公开(公告)号：TWI486484B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102145332
申请日：2013-12-10
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：塗冶
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/4584 , C30B25/08

52. 发明专利

TW201432078A ITO薄膜濺鍍加工方法及ITO薄膜濺鍍設備审中-公开
简体标题： ITO薄膜溅镀加工方法及ITO薄膜溅镀设备
公开(公告)号：TW201432078A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102148113
申请日：2013-12-25
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：耿波 , 葉華 , 文莉輝 , 楊玉傑 , 夏威 , 王厚工 , 丁培軍
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/086 , C23C14/3492 , H01L31/022475 , Y02E10/50
摘要：本發明提供的ITO薄膜濺鍍加工方法和ITO薄膜濺鍍設備，其包括以下步驟：S1，在向反應腔體內通入加工氣體之前，開啟直流濺鍍電源以向靶材施加濺鍍功率，並將直流濺鍍電源的輸出電壓設定為一預定電壓值；S2，在經過一預定時間之後，再向反應腔體內通入加工氣體，以完成啟輝； S3，通過直流濺鍍電源向靶材施加濺鍍功率，以進行濺鍍加工。本發明提供的ITO薄膜濺鍍加工方法，其能夠在濺鍍沉積ITO薄膜過程中減小瞬間啟輝電壓，從而避免在啟輝瞬間因粒子能量過高而造成對GaN層的轟擊力度過大，進而有效減少對GaN層的損傷。
简体摘要：本发明提供的ITO薄膜溅镀加工方法和ITO薄膜溅镀设备，其包括以下步骤：S1，在向反应腔体内通入加工气体之前，打开直流溅镀电源以向靶材施加溅镀功率，并将直流溅镀电源的输出电压设置为一预定电压值；S2，在经过一预定时间之后，再向反应腔体内通入加工气体，以完成启辉； S3，通过直流溅镀电源向靶材施加溅镀功率，以进行溅镀加工。本发明提供的ITO薄膜溅镀加工方法，其能够在溅镀沉积ITO薄膜过程中减小瞬间启辉电压，从而避免在启辉瞬间因粒子能量过高而造成对GaN层的轰击力度过大，进而有效减少对GaN层的损伤。

53. 发明专利

TWI449115B 晶圓承載裝置及具有它的半導體處理設備有权
简体标题：晶圆承载设备及具有它的半导体处理设备
公开(公告)号：TWI449115B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW101127966
申请日：2012-08-03
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：管長樂
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/68742 , H01L21/68771

54. 发明专利

TWI449114B 靶材功率載入方法、靶材電源及半導體處理設備有权
简体标题：靶材功率加载方法、靶材电源及半导体处理设备
公开(公告)号：TWI449114B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100133723
申请日：2011-09-20
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：楊柏 , 夏威
IPC分类号： H01L21/67 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3467

55. 发明专利

TW201429648A 機械手和半導體裝置审中-公开
简体标题：机械手和半导体设备
公开(公告)号：TW201429648A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102142849
申请日：2013-11-25
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：鄭金果 , 丁培軍 , 趙夢欣 , 王厚工
IPC分类号： B25J11/00 , B65G49/07 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68707
摘要：本發明公開了一種機械手和半導體裝置。該機械手包括底板、第一調整單元和第二調整單元，其中，在底板上表面形成有基板承載區，基板承載區的形狀和尺寸與所要承載的基板相對應；第一調整單元和第二調整單元彼此相對地設置在底板上表面，且分別位於基板承載區的兩側邊緣外側；第一調整單元和第二調整單元用於調整置於底板上的基板的位置，以使基板位於基板承載區。本發明提供的機械手，不僅可以避免基板從機械手上脫落，而且還可以提高製程效率、降低裝置的使用成本。
简体摘要：本发明公开了一种机械手和半导体设备。该机械手包括底板、第一调整单元和第二调整单元，其中，在底板上表面形成有基板承载区，基板承载区的形状和尺寸与所要承载的基板相对应；第一调整单元和第二调整单元彼此相对地设置在底板上表面，且分别位于基板承载区的两侧边缘外侧；第一调整单元和第二调整单元用于调整置于底板上的基板的位置，以使基板位于基板承载区。本发明提供的机械手，不仅可以避免基板从机械手上脱落，而且还可以提高制程效率、降低设备的使用成本。

56. 发明专利

TW201426866A 深矽蝕刻方法审中-公开
简体标题：深硅蚀刻方法
公开(公告)号：TW201426866A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102143143
申请日：2013-11-27
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：蔣中偉
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/30655
摘要：本發明公開一種深矽蝕刻方法，該方法包括：沉積步驟，生成保護層以對蝕刻側壁進行保護；蝕刻步驟，對蝕刻底部和蝕刻側壁進行蝕刻；重複該沉積步驟和蝕刻步驟至整個深矽蝕刻過程結束；其中，還包括底部平滑步驟，該底部平滑步驟為：利用含氟氣體執行電漿處理，以去除蝕刻底部由於沉積產生的聚合物；並且，該底部平滑步驟採用的製程壓力小於該蝕刻步驟採用的製程壓力，在整個深矽蝕刻過程中執行該底部平滑步驟至少一次。通過上述深矽蝕刻方法，在深矽蝕刻過程中抑制了蝕刻底部聚合物的逐漸增加，抑制微遮罩或者矽草的產生，從而提高深矽蝕刻的蝕刻速率以及選擇比，並改善蝕刻底部的粗糙度。
简体摘要：本发明公开一种深硅蚀刻方法，该方法包括：沉积步骤，生成保护层以对蚀刻侧壁进行保护；蚀刻步骤，对蚀刻底部和蚀刻侧壁进行蚀刻；重复该沉积步骤和蚀刻步骤至整个深硅蚀刻过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，该底部平滑步骤为：利用含氟气体运行等离子处理，以去除蚀刻底部由于沉积产生的聚合物；并且，该底部平滑步骤采用的制程压力小于该蚀刻步骤采用的制程压力，在整个深硅蚀刻过程中运行该底部平滑步骤至少一次。通过上述深硅蚀刻方法，在深硅蚀刻过程中抑制了蚀刻底部聚合物的逐渐增加，抑制微遮罩或者硅草的产生，从而提高深硅蚀刻的蚀刻速率以及选择比，并改善蚀刻底部的粗糙度。

57. 发明专利

TW201421578A 基片刻蝕方法审中-公开
简体标题：基片刻蚀方法
公开(公告)号：TW201421578A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102138574
申请日：2013-10-25
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：蔣中偉
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137 , B81C1/00531 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
摘要：本發明提供一種基片刻蝕方法，其包括以下步驟：沉積作業，用以在矽槽側壁上沉積聚合物；刻蝕作業，用以對所述矽槽側壁進行刻蝕；重複所述沉積作業和刻蝕作業至少兩次；其中，在完成所述刻蝕作業的全部迴圈次數的過程中，反應腔室的腔室壓力按預設規則由預設的最高壓力值降低至最低壓力值。本發明提供之基片刻蝕方法能夠避免產生側壁傷害的問題，從而可以使側壁形貌光滑。
简体摘要：本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的全部循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按默认守则由默认的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供之基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。

58. 发明专利

TW201420796A 物理氣相沉積裝置审中-公开
简体标题：物理气相沉积设备
公开(公告)号：TW201420796A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102142958
申请日：2013-11-26
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：陳鵬 , 趙夢欣 , 丁培軍 , 王厚工 , 武學偉 , 劉建生 , 耿波 , 邱國慶 , 文莉輝
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
摘要：本發明提供一種物理氣相沉積裝置，包括：反應腔室；基片支撐部件，該基片支撐部件設置在該反應腔室的底部且與該濺射靶材相對；直流電源，該直流電源耦接於該濺射靶材；射頻電源，該射頻饋入部件耦接於該濺射靶材，該射頻饋入部件包括分配環和沿所述分配環的圓周方向間隔設置的複數分配條，該分配環與該射頻電源耦接，該分配環經由該等分配條耦接至該濺射靶材。根據本發明的物理氣相沉積裝置，其能降低在濺射靶材上產生的負偏壓，進而減小對基片或晶圓產生的損傷，同時顯著提高沉積速率，藉此提高製程效率。
简体摘要：本发明提供一种物理气相沉积设备，包括：反应腔室；基片支撑部件，该基片支撑部件设置在该反应腔室的底部且与该溅射靶材相对；直流电源，该直流电源耦接于该溅射靶材；射频电源，该射频馈入部件耦接于该溅射靶材，该射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的圆周方向间隔设置的复数分配条，该分配环与该射频电源耦接，该分配环经由该等分配条耦接至该溅射靶材。根据本发明的物理气相沉积设备，其能降低在溅射靶材上产生的负偏压，进而减小对基片或晶圆产生的损伤，同时显着提高沉积速率，借此提高制程效率。

59. 发明专利

TW201319293A 基片處理設備及其腔室裝置审中-公开
简体标题：基片处理设备及其腔室设备
公开(公告)号：TW201319293A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101127960
申请日：2012-08-03
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：趙夢欣 , 王厚工 , 劉旭 , 文莉輝 , 丁培軍
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/541 , C23C16/46
摘要：本發明提供一種基片處理設備及其腔室裝置。所述腔室裝置係包括：一腔室本體，其內限定有一處理腔室；一透明介質窗，所述透明介質窗設在所述處理腔室內，並且所述透明介質窗的外周沿與所述腔室本體的內周壁相連，藉以將所述處理腔室隔成一上部腔室和一下部腔室；一加熱部件，設在所述上部腔室內的頂部；一支承台，其設在所述下部腔室內，所述支承台的上表面用於支撐基片並且與所述加熱部件相對；一勻熱板，設在該下部腔室內且位於該支承台的上方。本發明之腔室裝置，可以將由加熱燈產生的熱量均勻化後再通過熱輻射和熱對流等方式傳導給基片，因此可以均勻加熱基片。
简体摘要：本发明提供一种基片处理设备及其腔室设备。所述腔室设备系包括：一腔室本体，其内限定有一处理腔室；一透明介质窗，所述透明介质窗设在所述处理腔室内，并且所述透明介质窗的外周沿与所述腔室本体的内周壁相连，借以将所述处理腔室隔成一上部腔室和一下部腔室；一加热部件，设在所述上部腔室内的顶部；一支承台，其设在所述下部腔室内，所述支承台的上表面用于支撑基片并且与所述加热部件相对；一匀热板，设在该下部腔室内且位于该支承台的上方。本发明之腔室设备，可以将由加热灯产生的热量均匀化后再通过热辐射和热对流等方式传导给基片，因此可以均匀加热基片。

60. 发明专利

SG11201606759TA REACTION CHAMBER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS 未知
公开(公告)号：SG11201606759TA
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：SG11201606759T
申请日：2014-12-03
申请人： BEIJING NMC CO LTD
发明人： LI XINGCUN , WEI GANG , LI DONGSAN , GUAN CHANGLE , QIU MINGDA , ZHAO LONGCHAO , SONG MINGMING
IPC分类号： C23C16/452
摘要： A reaction chamber is provided. The reaction chamber includes a chamber body, a dielectric window, and a power supplier. The dielectric window is provided on top of the chamber body along a first direction and hermetically connected with the chamber body. Each coil of a plurality of sets of coils is wound around an outer surface of the dielectric window at an interval along the first direction. The plurality of sets of coils are connected in parallel, with first ends electrically coupled to the power supplier for supplying power to each set of the plurality of sets of coils, and with second ends grounded. The second ends of the plurality of sets of coils are arranged in proximity between the first ends.

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