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51. 发明申请

WO2015189406A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015189406A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/063204
申请日：2015-06-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander F. , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben. Der Halbleiterchip (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Unterseite (10) und einer der Unterseite (10) gegenüberliegenden Oberseite (14). Von der Unterseite (10) aus gesehen weist die Halbleiterschichtenfolge (1) eine erste Schicht (11) eines ersten Leitungstyps, eine aktive Schicht (12) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung und eine zweite Schicht (13) eines zweiten Leitungstyps in dieser Reihenfolge auf. Der Halbleiterchip (100) umfasst ein auf der Unterseite (10) angebrachtes unteres Kontaktelement (2) und ein auf der Oberseite (14) angebrachtes oberes Kontaktelement (3) zur Einprägung von Strom in die Halbleiterschichtenfolge (1). Auf der Unterseite (10) ist ein Stromverteilungselement (43) angebracht, das im Betrieb Strom entlang der Unterseite (10) verteilt und von dem aus sich eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (41, 42) durch die erste Schicht (11) und durch die aktive Schicht (12) in die Halbleiterschichtenfolge (1) erstreckt. Im Betrieb wird über das obere Kontaktelement (3) in die Halbleiterschichtenfolge (1) eingeprägter Strom zumindest teilweiseüber erste der Durchkontaktierungen (41) zur Unterseite (10) geführt, dort mittels des Stromverteilungselements (43) verteilt, über zweite der Durchkontaktierungen (42) in Richtung Oberseite (14)geführt, und wieder in die Halbleiterschichtenfolge (1) injiziert.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（100）。半导体芯片（100）包括具有底部（10）和上侧（14）相对的底部（10）的半导体层序列（1）。从底部（10）看到的那样，半导体层序列（1）的第一导电类型的第一层（11），用于产生电磁辐射，并且第二导电类型的上依次的第二层（13）的有源层（12）。半导体芯片（100）包括上侧（10），其安装下接触元件（2）和顶部（14），其安装上接触元件（3）用于施加电流到半导体层序列（1）。在底部（10）被连接到电力分配元件（43），其沿着在操作的底部（10）分配的功率和从通过所述第一层的多个通孔（41，42）（11），并通过活性半导体层序列在层（12）（1）。在操作中，半导体层序列中的上接触元件（3）（1）上外加电流至少部分地在第一通孔（41）的所述底部（10）被引导，由当前分配元件（43）的装置上的通孔（42）的第二分配有朝向顶部（14）出来并返回到半导体层序列（1）中的溶液注入。

52. 发明申请

WO2015172937A1 HALBLEITERBAUELEMENT, BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体元件，照明装置和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2015172937A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/EP2015/057096
申请日：2015-03-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , BOGNER, Georg , BRUNNER, Herbert , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/25 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/82 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; - einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; - einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了一种半导体器件（1），包括： - 多个半导体芯片（2），每一个都具有与设置用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 一个辐射出射侧（10），其平行于所述有源区; - 安装侧表面，该表面设置用于固定所述半导体器件和倾斜或垂直于所述辐射出射侧（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 连接其被布置在所述成型体和所述多个半导体芯片彼此电的至少两个半导体芯片的接触结构（50）。此外，提供了用于制造半导体装置的照明装置（9）和一种方法。

53. 发明申请

WO2015124551A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体元件和半导体元件
公开(公告)号：WO2015124551A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053278
申请日：2015-02-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , PFEUFFER, Alexander F. , VARGHESE, Tansen , KREUTER, Philipp
IPC分类号： H01L33/38 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/76898 , H01L31/02245 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/035281 , H01L31/056 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/186 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L2223/5446 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：据说，包括以下步骤制造多个半导体器件（1）的方法：a）提供（2）具有第一半导体层（21），第二半导体层（22的半导体层序列）和一个所述第一半导体层和第二半导体层之间布置，提供了一种用于产生和/或用于接收辐射有源区（25）; 第二半导体层b的侧）形成在其上背向所述第一半导体层的第一连接层（31）; c）形成的多个凹部（29）通过半导体层序列穿过其中; d）形成在凹部用于产生所述第一半导体层和第一连接层之间的导电连接的导体层（4）; 以及e）分离所述多个半导体器件，其中，对于每个半导体器件中的半导体层序列中，一个半导体主体（20）与所述多个凹部中的至少一个可以看到和其至少完全包围在半导体本体的半导体本体的平面图的凹部。此外，半导体器件被提供。

54. 发明申请

WO2015117824A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015117824A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/EP2015/051148
申请日：2015-01-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , MOOSBURGER, Jürgen , ILLEK, Stefan , SINGER, Frank , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/60 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/505 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend - ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), - eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), - Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und - eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist - einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und - auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件（1），包括： - 具有半导体层序列的在生长表面上（21A）生长的层序列（22） - 的光电子半导体芯片（2），包括： - 具有一生长表面（21a）的在生长衬底（21），（221，222，223）与活性区（222）， - 用于半导体层序列（221，222，223），和电接触的接触点（29） - 一个绝缘层（26）被电形成的绝缘 - 一个连接载体（4 ），则（生长表面21a的从（图2A背向）的光电子半导体芯片的顶面）安装，其特征在于， - 半导体层序列（221，222，223）电连接到所述连接架（4）和 - （在生长表面上21a的一个）底表面（背离21c）中生长衬底（21）和（21B）在生长衬底（21）的，转换层（5）施加的所有侧面。

55. 发明申请

WO2015010997A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：表面安装光电半导体器件及其制造方法的至少一个表面安装的光电半导体部件
公开(公告)号：WO2015010997A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/EP2014/065288
申请日：2014-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/483 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben. Das oberflächenmontierbare optoelektronische Halbleiterbauteil (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (10), ein strahlungsdurchlässiges Aufwachssubstrat (1), einen Gehäusekörper (20) und eine elektrisch leitende Verbindung (3), wobei der Gehäusekörper (20) zumindest stellenweise zwischen einer Seitenfläche (11) des Aufwachssubstrats (1) und der elektrisch leitenden Verbindung (3) angeordnet ist, der Gehäusekörper sämtliche Seitenflächen des Aufwachssubstrats vollständig bedeckt und der Gehäusekörper auf einer Fläche (12), die der Seitenfläche des Aufwachssubstrats abgewandt ist, Spuren eines Materialabtrags (13) oder Spuren eines Formwerkzeugs (26) aufweist.
摘要翻译：本发明提供一种表面安装的光电子半导体器件（100）。表面安装的光电子半导体器件（100）包括的光电子半导体芯片（10），它具备放射线穿透性生长衬底（1），外壳体（20）和导电连接件（3），其中，所述外壳体（20）的至少一个侧表面之间局部地（11）中，生长衬底（1）和所述导电连接（3）布置，所述外壳体的生长衬底的所有侧表面被完全覆盖和外壳体的表面上（12），其从生长衬底的侧表面面向远离，材料去除（13）或轨道的痕迹包括一个成型工具（26）。

56. 发明申请

WO2014154632A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体部件和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2014154632A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/055836
申请日：2014-03-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： REILL, Joachim , SINGER, Frank , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L23/49805 , H01L33/005 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einem Halbleiterchip (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die parallel zum aktiven Bereich verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsfläche verläuft und an der zumindest eine Kontaktfläche (51) für die externe elektrische Kontaktierung zugänglich ist; - einem Formkörper (4), der stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktbahn (55), die auf dem Formkörper angeordnet ist und den Halbleiterchip mit der zumindest einen Kontaktfläche elektrisch leitend verbindet. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体器件（1），包括： - 一个半导体芯片（2）具有用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 辐射出射面（10），其延伸平行于所述有源区; - 是安装侧表面，该表面设置用于固定或垂直于辐射出射表面和可访问的所述至少一个接触表面（51），用于外部电接触的半导体装置和倾斜（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 其被设置在模体和与该一个接触片（55）至少导电地连接所述半导体芯片的接触表面。此外，提供了用于制造半导体器件的方法。

57. 发明申请

WO2014048988A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2014048988A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069966
申请日：2013-09-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, wobei auf einem Aufwachssubstrat eine Schichtstruktur mit einer positiv dotierten Halbleiterschicht (2 oder 3) und einer negativ dotierten Halbleiterschicht (3 oder 2) mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Licht und einer Spiegelschicht (4) aufgewachsen wird, wobei die Schichtstruktur über eine Verbindungsschicht (8) auf einer ersten Seite eines Trägers (10) befestigt wird, und wobei über eine zweite Seite des Trägers (10) elektrische Kontakte für die Schichtstruktur eingebracht werden und das Aufwachssubstrat entfernt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件和用于制造光电子器件，其中，在生长衬底上的方法，层状结构，包括一个正掺杂半导体层（2或3）和负掺杂半导体层（3或2）的有源区用于产生光并一镜面层（4）生长时，该层结构是通过一个连接层（8）上的托架（10）的第一侧连接，并且其中，在所述支撑件的第二侧被引入（10）的层结构的电触头和生长衬底被删除。

58. 发明申请

WO2013186035A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013186035A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/EP2013/060882
申请日：2013-05-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/62 , H05K1/02 , H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L23/5386 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05K1/0289 , H05K2201/0969 , H05K2201/10106 , H01L2924/00
摘要： Optoelektronischer Halbleiterchip (100), umfassend - eine Verdrahtungsschicht (3) mit einer ersten elektrisch leitenden Kontaktschicht (21) und einer zweiten elektrisch leitenden Kontaktschicht (22), - einer Isolationsschicht (5), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - zwei optoelektronische Halbleiterkörper (7), wobei jeder der optoelektronischen Halbleiterkörper (7) einen aktiven Bereich (73) umfasst, der zur Strahlungserzeugung vorgesehen ist, wobei - die Isolationsschicht (5) an einer den optoelektronischen Halbleiterkörpern (7) zugewandten Oberseite der zweiten elektrisch leitenden Kontaktschicht (22) angeordnet ist, - die erste elektrisch leitende Kontaktschicht (21) an einer der zweiten elektrisch leitenden Kontaktschicht (22) abgewandten Oberseite der Isolationsschicht (5) angeordnet ist, und - die optoelektronischen Halbleiterkörper (7) durch die Verdrahtungsschicht (3) elektrisch parallel zueinander verschaltet sind.
摘要翻译：光电子半导体芯片（100）包括： - 具有第一导电接触层（21）和第二导电接触层（22）的布线层（3）， - 一个绝缘层（5），其与一个电绝缘材料形成，以及 - 两个光电子半导体本体（7），每个所述的光电子半导体本体（7）包括设置用于产生辐射，其中的有源区（73） - 所述隔离层（5）上的面朝所述光电子半导体本体（7）的第二导电的顶接触层被布置（22）， - 所述绝缘层（5）的顶侧上，所述上背离所述第二导电接触层中的一个（22）第一导电接触层（21）的位置，以及 - 所述光电子半导体本体（7）经由配线层（3）并联电连接。

59. 发明申请

WO2023046373A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2023046373A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/EP2022/072915
申请日：2022-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , HETZL, Martin , VARGA, Horst , BOESCKE, Tim
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/0475 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/0203 , H02M3/335 , H01S5/42
摘要： Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Träger (7) für den Sender (1), der eine Deckfläche (71) und eine Bodenfläche (72) aufweist,- einem ersten Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil der elektromagnetischen Strahlung (2) zu empfangen und zumindest einen Teil einer Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) zumindest einen Oberflächenemitter (10) umfasst, - der zumindest eine Oberflächenemitter (10) des Senders (1) an der Deckfläche (71) des Trägers (7) befestigt ist und zumindest einen Teil der elektromagnetischen Strahlung (2) durch den Träger (71) abstrahlt, - der erste Empfänger (3) zumindest eine Fotodiode (30) umfasst, und - der erste Empfänger (3) an der Bodenfläche (72) des Trägers (7) angeordnet ist.

60. 发明申请

WO2023041429A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2023041429A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/EP2022/075098
申请日：2022-09-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , SCHOLZ, Dominik
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/647
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10) mit einem ersten Bereich (101) einer ersten Leitfähigkeit, einem zweiten Bereich (102) einer zweiten Leitfähigkeit und einem aktiven Bereich (103) umfasst. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement (1) einen ersten metallischen Kühlkörper (21), einen zweiten metallischen Kühlkörper (22) und eine Dünnfilmisolationsschicht (30). Der erste Kühlkörper (21) und der zweite Kühlkörper (22) sind auf einer Montageseite (10A) des Halbleiterkörpers (10) angeordnet. Der erste Kühlkörper (21) kontaktiert den ersten Bereich (101) elektrisch. Die Dünnfilmisolationsschicht (30) isoliert den ersten Kühlkörper (21) von dem zweiten Kühlkörper (22) elektrisch. Die Dünnfilmisolationsschicht (30) steht in direktem Kontakt zu dem ersten Kühlkörper (21) und dem zweiten Kühlkörper (22). Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

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