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51. 发明专利

DE102014218903A1 Halbleitereinrichtung 未知
公开(公告)号：DE102014218903A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：DE102014218903
申请日：2014-09-19
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： SAITO JUN , AOI SACHIKO , WATANABE YUKIHIKO , YAMAMOTO TOSHIMASA
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： Eine Halbleitereinrichtung (10) enthält ein Halbleitersubstrat (11) mit einem Elementbereich (12) und einem Abschlussbereich (14). Der Elementbereich enthält einen ersten Körperbereich (36a, 38) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, einen ersten Driftbereich (32a) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, und erste Fließbereiche (34) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp. Der Abschlussbereich enthält FLR-Bereiche (41), einen zweiten Driftbereich (32b) und zweite Fließbereiche (37). Die FLR-Bereiche haben den ersten Leitfähigkeitstyp und umgeben den Elementbereich. Der zweite Driftbereich hat den zweiten Leitfähigkeitstyp, steht in Kontakt mit den FLR-Bereichen und umgibt sie. Die zweiten Fließbereiche haben den ersten Leitfähigkeitstyp und sind von dem zweiten Driftbereich umgeben. Die zweiten Fließbereiche umgeben den Elementbereich. Zumindest einer der zweiten Fließbereiche ist an einer Elementbereichsseite relativ zu dem nächsten der FLR-Bereiche zu dem Elementbereich platziert.

52. 发明公开

EP3232478A4 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP3232478A4
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：EP15867694
申请日：2015-08-03
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： SAITO JUN , NAGAOKA TATSUJI , AOI SACHIKO , WATANABE YUKIHIKO , MIYAHARA SHINICHIRO , KANEMURA TAKASHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7813
摘要： A semiconductor device (1) includes: a semiconductor substrate (10) including a trench (30) provided in an upper surface of the semiconductor substrate (10); a gate insulating film (51) covering an inner surface of the trench (30); and a gate electrode (52) arranged in the trench (30) and insulated from the semiconductor substrate (10) by the gate insulating film (51). The semiconductor substrate 10 includes an n-type source region (11) being in contact with the gate insulating film (51) covering both side surfaces of the trench (30); a p- type base region (12) provided below the source region (11) and being in contact with the gate insulating film (51) covering both side surfaces of the trench (30); and an n-type drift region (15) provided below the base region (12) and being in contact with the gate insulating film (51) covering both side surfaces (31, 32) and a bottom surface (40) of the trench (30). The bottom surface (40) of the trench (30) is provided so that a center part (43) of the bottom surface (40) protrudes upward with respect to a peripheral part (44) of the bottom surface (40) in a short direction. A thickness of the gate insulating film (51) covering the peripheral part (44) is thicker than a thickness of the gate insulating film (51) covering the center part (43).

53. 发明专利

DE102011079268A1 SIC-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011079268A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：DE102011079268
申请日：2011-07-15
申请人： DENSO CORP
发明人： TAKAYA HIDEFUMI , SUGIMOTO MASAHIRO , MORIMOTO JUN , WATANABE YUKIHIKO , MIYAHARA SHINICHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/40
摘要： Eine SiC-Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Reverse-MOSFET, aufweisend: ein Substrat (1); eine Driftschicht (2) und eine Basisregion (3) auf dem Substrat; eine Basiskontaktschicht (5) und eine Sourceregion (4) auf der Basisregion; mehrere Gräben (6) mit einer Längsrichtung in einer ersten Richtung, die die Sourceregion und die Basisregion durchdringt; eine Gateelektrode (9) in jedem Graben mittels eines Gateisolierfilms (8); einen Zwischenschichtisolierfilm (12), der die Gateelektrode bedeckt und ein Kontaktloch (12a) aufweist, durch welches die Sourceregion und die Basiskontaktschicht freigelegt sind; eine Sourceelektrode (11), die mit der Sourceregion und der Basisregion durch das Kontaktloch gekoppelt ist; eine Drainelektrode (13) auf dem Substrat. Die Sourceregion und die Basiskontaktschicht erstrecken sich entlang einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung und sind abwechselnd entlang der ersten Richtung angeordnet. Das Kontaktloch weist eine Längsrichtung in der ersten Richtung auf.

54. 发明专利

DE102009011450A1 未知
公开(公告)号：DE102009011450A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：DE102009011450
申请日：2009-03-03
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , ENDO TAKESHI , WATANABE YUKIHIKO , KATSUNO TAKASHI , ISHIKO MASAYASU , FUJIWARA HIROKAZU , KONISHI MASAKI
IPC分类号： H01L29/872
摘要： A diode includes the following: an n type semiconductor region; a p type semiconductor region provided in a part of a front face of the n type semiconductor region; an anode electrode (front face electrode) which adjoins a front face of the n type semiconductor region and a front face of the p type semiconductor region while at least forming a Schottky junction on a front face of the n type semiconductor region; and an insulating region which has a right-hand side (first side) and a left-hand side (second side) adjacent to the n type semiconductor region, the right-hand side facing a second n type semiconductor region which is located below the Schottky junction, the left-hand side facing a first n type semiconductor region which is located below a pn junction between the n type semiconductor region and the p type semiconductor region.

55. 发明专利

DE102009034953B4 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung 未知
公开(公告)号：DE102009034953B4
公开(公告)日：2022-03-03
申请号：DE102009034953
申请日：2009-07-28
申请人： DENSO CORP
发明人： ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , YAMAMOTO TAKEO , FUJIWARA HIROKAZU , KONISHI MASAKI , WATANABE YUKIHIKO , KATSUNO TAKASHI
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47
摘要： Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung, mit den Schritten:- Bilden eines p-leitenden Halbleiterbereichs (36, 136) derart an einem n-leitenden Halbleitersubstrat (30, 130) aus Siliciumcarbid (SiC) mit einer hexagonalen Kristallstruktur, dass der p-leitende Halbleiterbereich (36, 136) teilweise zu einer oberen Oberfläche (30a, 130a) des Halbleitersubstrats (30, 130) freigelegt ist;- Bilden einer Schottky-Elektrode (22, 122) aus Titan (Ti) oder Molybdän (Mo) derart, dass die Schottky-Elektrode (22, 122) in Schottky-Kontakt mit einem n-leitenden Halbleiterbereich des Halbleitersubstrats (30, 130) ist, wobei der n-leitende Halbleiterbereich zur oberen Oberfläche (30a, 130a) des Halbleitersubstrats (30, 130) freigelegt ist; und- Bilden einer ohmschen Elektrode (24, 124) aus Nickel (Ni) derart, dass die ohmsche Elektrode (24, 124) in ohmschen Kontakt mit dem freigelegten p-leitenden Halbleiterbereich (36, 136) ist; wobei- das Bilden der Schottky-Elektrode (22, 122) vor dem Bilden der ohmschen Elektrode (24, 124) ausgeführt wird,- das Bilden der ohmschen Elektrode (24, 124) ein Bedecken wenigstens eines Abschnitts der Schottky-Elektrode (22, 122) von oberhalb durch die ohmsche Elektrode (24, 124) umfasst,- das Bilden der Schottky-Elektrode (22, 122) vor dem Bilden des p-leitenden Halbleiterbereichs (36, 136) ausgeführt wird, und- die Schottky-Elektrode (22, 122) gleich der ohmschen Elektrode (24, 124) einer Glüh- bzw. Wärmebehandlung bei einer Temperatur von größer oder gleich 400°C unterzogen wird.

56. 发明专利

DE102011077764A1 HALBLEITERVORRICHTUNG, DIE EINEN ZELLBEREICH UND EINEN RANDBEREICH BEINHALTET UND EINE STRUKTUR FÜR HOHE DURCHBRUCHSPANNUNG AUFWEIST 未知
公开(公告)号：DE102011077764A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：DE102011077764
申请日：2011-06-17
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO KENSAKU , SUZUKI NAOHIRO , TAKAYA HIDEFUMI , SUGIMOTO MASAHIRO , MORIMOTO JUN , SOEJIMA NARUMASA; C O K K TOYOTA CHUO KENKY , ISHIKAWA TSUYOSHI , WATANABE YUKIHIKO
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/76 , H01L29/78
摘要： Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleitersubstrat (4) und einen Anschlussteil (13) für ein elektrisches Feld. Das Halbleitersubstrat (4) beinhaltet ein Substrat (1), eine Driftschicht (2), die sich auf einer Oberfläche des Substrats (1) befindet, und eine Basisschicht (3), die sich auf einer Oberfläche der Driftschicht (2) befindet. Das Halbleitersubstrat (4) ist in einen Zellbereich, in dem sich ein Halbleiterelement befindet, und einen Randbereich, der den Zellbereich umgibt, geteilt. Die Basisschicht 3 weist eine Unterseite auf, die sich auf einer gemeinsamen Ebene des gesamten Zellbereichs und Randbereichs befindet, und eine Entspannungsschicht (3a) für ein elektrisches Feld bereitstellt, das in dem Randbereich angeordnet ist. Der Anschlussteil (13) für ein elektrisches Feld umgibt den Zellbereich und einen Abschnitt der Entspannungsschicht (3a) des elektrischen Felds und durchdringt die Entspannungsschicht (3a) für ein elektrisches Feld ausgehend von einer Oberfläche der Entspannungsschicht (3a) des elektrischen Felds bis zur Driftschicht (3).

57. 发明专利

DE102009034953A1 未知
公开(公告)号：DE102009034953A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：DE102009034953
申请日：2009-07-28
申请人： DENSO CORP
发明人： ENDO TAKESHI , OKUNO EIICHI , YAMAMOTO TAKEO , FUJIWARA HIROKAZU , KONISHI MASAKI , WATANABE YUKIHIKO , KATSUNO TAKASHI
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329
摘要： A method of making a semiconductor device includes forming a p-type semiconductor region to an n-type semiconductor substrate in such a manner that the p-type semiconductor region is partially exposed to a top surface of the semiconductor substrate, forming a Schottky electrode of a first material in such a manner that the Schottky electrode is in Schottky contact with an n-type semiconductor region exposed to the top surface of the semiconductor substrate, and forming an ohmic electrode of a second material different from the first material in such a manner that the ohmic electrode is in ohmic contact with the exposed p-type semiconductor region. The Schottky electrode is formed earlier than the ohmic electrode.

58. 发明专利

DE102009012855A1 未知
公开(公告)号：DE102009012855A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：DE102009012855
申请日：2009-03-12
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , ENDO TAKESHI , KONISHI MASAKI , FUJIWARA HIROKAZU , WATANABE YUKIHIKO , KATSUNO TAKASHI , ISHIKO MASAYASU
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/872
摘要： A manufacturing method of a diode includes: forming a P type semiconductor film on a N type semiconductor layer with a crystal growth method; forming a first metallic film on the P type semiconductor film so that the first metallic film contacts the P type semiconductor film with an ohmic contact; forming a mask having an opening on the first metallic film; etching a part of the first metallic film and a part of the P type semiconductor film via the opening so that a part of the N type semiconductor layer is exposed; and forming a second metallic film on the part of the N type semiconductor layer so that the second metallic film contacts the N type semiconductor layer with a Schottky contact.

59. 发明专利

DE102017125360A1 Herstellungsverfahren für ein Leitungsbauteil 未知
公开(公告)号：DE102017125360A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：DE102017125360
申请日：2017-10-30
申请人： DENSO CORP
发明人： ISHIGURO KENJI , WATANABE YUKIHIKO
IPC分类号： B21K1/16
摘要： Ein Herstellungsverfahren für eine Sammelschiene (Leitungsbauteil), in dem ein zentraler Durchflusskanal und ein abgezweigter Durchflusskanal ausgebildet sind, umfasst einen Schmiedeschritt und einen Entfernungsschritt. Bei dem Schmiedeschritt wird ein Grundwerkstoff (50), der in einer soliden Stabform vorliegt, geschmiedet, um ein geschmiedetes Produkt (60) auszubilden. Das geschmiedete Produkt (60) umfasst: einen geschmiedeten zentralen Abschnitt (61), der einem zentralen Leitungsabschnitt entspricht; geschmiedete abgezweigte Abschnitte (62), die abgezweigten Leitungsabschnitten entsprechen; und geschmiedete Rohlingabschnitte (63). Jeder geschmiedete Rohlingabschnitt (63) steht von dem geschmiedeten zentralen Abschnitt (61) hervor und ist auf einer gegenüberliegenden Seite des geschmiedeten zentralen Abschnitts (61) angeordnet, die den geschmiedeten abgezweigten Abschnitten (62) gegenüberliegt. Bei dem Entfernungsschritt werden die geschmiedeten Rohlingabschnitte (63) von dem geschmiedeten Produkt (60) entfernt.

60. 发明专利

JP2014150126A Silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014150126A
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：JP2013017147
申请日：2013-01-31
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： MORINO TOMOO , MIZUNO SHOJI , TAKEUCHI YUICHI , SOENO AKITAKA , WATANABE YUKIHIKO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/761 , H01L27/088 , H01L29/0615 , H01L29/0642 , H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7815
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To alleviate electric field concentration at a lower part of an element isolation layer and prevent conduction between a main cell and a sense cell while appropriately performing element isolation between the main cell and the sense cell by forming the element isolation layer between those cells.SOLUTION: An element isolation layer 14 is provided so as to electrically separate between a main cell region Rm and a sense cell region Rs. In addition, an electric field alleviation layer 15 is provided so as to alleviate electric field concentration at a bottom part of the element isolation layer 14, and further, the electric field alleviation layer 15 is separated into the main cell region Rm side and the sense cell region Rs side by the element isolation layers 14. Thereby, by forming the element isolation layer 14 between the main cell region Rm and the sense cell region Rs, element isolation between those regions is appropriately performed, and electric field concentration at a lower part of the element isolation layer 14 can be alleviated by the electric field alleviation layer 15. Further, conduction between the main cell region Rm and the sense cell region Rs can be prevented by the electric field alleviation layer 15.
摘要翻译：要解决的问题：为了减轻元件隔离层的下部的电场浓度，并且通过在主单元和感测单元之间形成元件隔离层，适当地执行主单元和感测单元之间的元件隔离，从而防止主单元和感测单元之间的导通这些单元。解决方案：提供元件隔离层14，以便在主单元区域Rm和感测单元区域Rs之间电隔离。此外，设置电场缓和层15以减轻元件隔离层14的底部的电场浓度，此外，电场缓解层15被分离成主电池区域Rm侧和感测由此，通过在主单元区域Rm和感测单元区域Rs之间形成元件隔离层14，适当地进行这些区域之间的元件隔离，在下部的电场集中可以通过电场缓和层15来缓和元件隔离层14的透过。此外，可以通过电场缓和层15来防止主单元区域Rm和感测单元区域Rs之间的导通。

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