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51. 发明专利

DE102010062802A1 Sensoreinrichtung 未知
公开(公告)号：DE102010062802A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：DE102010062802
申请日：2010-12-10
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： GENCOL SEVKI , MAASER MATTHIAS , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： H01L25/16 , B81B3/00 , B81B7/00 , G01L1/18 , G01L9/06 , H01L23/60 , H01L27/118
摘要： Die Erfindung betrifft eine Sensoreinrichtung (1), insbesondere zur Druckmessung, wobei die Sensoreinrichtung (1) aufweist: ein monolithisch ausgebildetes Sensor-Halbleiterbauelement (6), in dem mindestens eine Sensorstruktur (14) und eine analoge Mess-Schaltungseinrichtung (15) zur Ansteuerung und/oder zum Auslesen der Sensorstruktur (14) und zum Erzeugen eines Messsignals (S1) ausgebildet ist, und ein monolithisch ausgebildetes Auswerte-Halbleiterbauelement (5) zur Auswertung des Messsignals (S1) und zur Signalkommunikation, wobei die Sensoreinrichtung (1) eine Signal-Schnittstelleneinrichtung (34) zur Ausgabe digitaler Ausgabesignale (S3) und Aufnahme von Eingangssignalen (S2) aufweist. Hterbauelement (6) zumindest ein Teil der analogen einrichtung (34) ausgebildet ist.

52. 发明专利

DE102010041101A1 Bauelement mit einer Durchkontaktierung 未知
公开(公告)号：DE102010041101A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：DE102010041101
申请日：2010-09-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： AHLES MARCUS , REINMUTH JOCHEN , BENZEL HUBERT , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： H01L23/528 , B81B1/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/28 , H01L21/762
摘要： Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit einer Durchkontaktierung. Das Bauelement umfasst eine erste Schicht (110) aufweisend einen ersten Durchkontaktierungsabschnitt (111), eine erste Grabenstruktur (121), und einen ersten umgebenden Schichtabschnitt, wobei der erste Durchkontaktierungsabschnitt (111) durch die erste Grabenstruktur (121) von dem ersten umgebenden Schichtabschnitt getrennt ist. Das Bauelement umfasst weiter eine zweite Schicht (130) aufweisend einen zweiten Durchkontaktierungsabschnitt (131), eine zweite Grabenstruktur (141), und einen zweiten umgebenden Schichtabschnitt, wobei der zweite Durchkontaktierungsabschnitt (131) durch die zweite Grabenstruktur (141) von dem zweiten umgebenden Schichtabschnitt getrennt ist. Das bauelement umfasst ferner eine zwischen der ersten und zweiten Schicht angeordnete Isolationsschicht (150), wobei die Isolationsschicht (150) eine Öffnung (151) aufweist, so dass der erste und zweite Durchkontaktierungsabschnitt (111, 131) der ersten und zweiten Schicht (110, 130) im Bereich der Öffnung (151) direkt miteinander verbunden sind. Des Weiteren ist vorgesehen, dass der erste Durchkontaund der zweite umgebende Schichtabschnitt der zweiten Schicht (130) in wenigstens einem Teilbereich (210) zueinander überlappend angeordnet sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements.

53. 发明专利

DE102007002273A1 未知
公开(公告)号：DE102007002273A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：DE102007002273
申请日：2007-01-16
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： KRAMER TORSTEN , ARMBRUSTER SIMON , KNESE KATHRIN , BENZEL HUBERT , SCHUERMANN GREGOR , SCHELLING CHRISTOPH
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , G01L9/06 , G01L11/00

54. 发明专利

FR2863603B1 未知
公开(公告)号：FR2863603B1
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：FR0452986
申请日：2004-12-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： BENZEL HUBERT , SCHAEFER FRANK , ARMBRUSTER SIMON , LAMMEL GERHARD , SCHELLING CHRISTOPH , BRASAS JOERG
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , G01L9/00 , H01L21/00 , H01L29/24 , H01L33/00

55. 发明专利

DE102005042648A1 Method for production of communicating hollow spaces, involves providing silicon substrate in which first mask and second mask are brought whereby two differently porous layers in silicon substrate are produced by electrochemical corroding 未知
公开(公告)号：DE102005042648A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：DE102005042648
申请日：2005-09-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： PINTER STEFAN , SCHAEFER FRANK , ARMBRUSTER SIMON , PIRK TJALF
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Method involves providing silicon substrate in which first mask and second mask are brought. Two differently porous layers in the silicon substrate are produced by electrochemical corroding. The highly porous silicon layer relocates itself forming first hollow space covered by epitaxial film. A third mask is applied on the epitaxial film. The epitaxial film is structured by corroding so a second hollow space is created. The second cavity is covered by applying a further layer on the epitaxial film which can be taken off.

56. 发明专利

DE102005038752A1 Method for mounting semiconductor chips on substrate, 未知
公开(公告)号：DE102005038752A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：DE102005038752
申请日：2005-08-17
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： BENZEL HUBERT , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： H01L21/58 , H01L23/12 , H01L23/28 , H01L25/065 , H05K3/30
摘要： A method for mounting semiconductor chips involves initially preparing a semiconductor chip (5) with a surface (O) and with at least one isolating trench (65a-65e) lying between a sensor region and an assembly region, followed by providing a substrate (1) and mounting an assembly region (MB) of the semiconductor chips (5) in flip-chip technique on to the surface of the substrate (1) and then underfilling the assembly region (MB) with an underfill (not indicated here), the isolating trenches serving as a 'break'-zone for the underfill, so that no underfill reaches the sensor region (SB). An independent claim is included for a semiconductor chip arrangement.

57. 发明专利

ITMI20051638A1 ELEMENTO SENSORE MICROMECCANICO 未知
公开(公告)号：ITMI20051638A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：ITMI20051638
申请日：2005-09-06
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： ARMBRUSTER SIMON , BENZEL HUBERT , BRASAS JOERG , FINKBEINER STEFAN , ILLING MATTHIAS , LAMMEL GERHARD , SCHAEFER FRANK , SCHELLING CHRISTOPH

58. 发明专利

FR2863603A1 Production process for a semiconductor element especially a micromechanical element such as a sensor forms a membrane over a cavity on a structured layer by epitaxy 未知
公开(公告)号：FR2863603A1
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：FR0452986
申请日：2004-12-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： BENZEL HUBERT , SCHAEFER FRANK , ARMBRUSTER SIMON , LAMMEL GERHARD , SCHELLING CHRISTOPH , BRASAS JOERG
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/00 , H01L29/24 , H01L33/00
摘要： A production process for a semiconductor, especially a micromechanical, element comprises forming a structured stabilization element with an opening to a doped region in a semiconductor substrate, selectively removing part of this region, forming a membrane (240) by epitaxy and forming a cavity (250). A second epilayer is formed on the substrate. An independent claim is also included for a semiconductor element formed as above.

59. 发明专利

ITMI20042393A1 PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UN COMPONENTE A SEMICONDUTTORE NONCHE' UN COMPONENTE A SEMICONDUTTORE IN PARTICOLARE UN SENSORE A MEMBRANA 未知
公开(公告)号：ITMI20042393A1
公开(公告)日：2005-03-15
申请号：ITMI20042393
申请日：2004-12-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： ARMBRUSTER SIMON , BENZEL HUBERT , BRASAS JOERG , LAMMEL GERHARD , SCHAEFER FRANK , SCHELLING CHRISTOPH
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/00 , H01L29/24 , H01L33/00

60. 发明专利

FR2939564B1 CAPTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知
公开(公告)号：FR2939564B1
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：FR0958726
申请日：2009-12-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REINMUTH JOCHEN , DAVIES NEIL , ARMBRUSTER SIMON , FEYH ANDO
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0264

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