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51. 发明公开

KR1020170108500A 필터리스 컬러 이미지 센서 有权
公开(公告)号：KR1020170108500A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160032520
申请日：2016-03-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이수연 , 정병기 , 김성근 , 황도경 , 주현수 , 이영택
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146 , G02B5/22 , H04N9/73
CPC分类号： H01L31/0324 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/1129
摘要： 실시예들은기판, 기판상에형성된제1 색상을위한제1 칼코지나이드물질층, 상기제1 칼코지나이드물질층상에형성된제2 색상을위한제2 칼코지나이드물질층및 상기제2 칼코지나이드물질층상에형성된제3 색상을위한제3 칼코지나이드물질층을포함하는칼코지나이드물질기반의필터리스컬러이미지센서에관련된다.

52. 发明公开

KR1020170055860A 냉간변형을 이용한 열전소재 제조장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：利用冷变形制造热电材料的设备和方法
公开(公告)号：KR1020170055860A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150159168
申请日：2015-11-12
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 백승협 , 정성진 , 권범진 , 김성근 , 최지원 , 강종윤 , 현도빈 , 김진상
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/12 , H01L35/32 , H01L35/16 , H01L35/18
摘要： 본발명은열전물성의재현성을향상시킴과함께열전소재의캐리어농도를선택적으로제어할수 있는냉간변형을이용한열전소재제조장치및 방법에관한것으로서, 본발명에따른냉간변형을이용한냉간변형을이용한열전소재제조방법은열전물질을용융, 냉각하여열전재료덩어리를제조하는단계; 열전재료덩어리에압력을가하는냉간변형을실시하여, 열전재료덩어리내부의캐리어농도를증가시키는단계; 및냉간변형이실시된열전재료를열간압출하여열전소재를제조하는단계;를포함하여이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用冷变形制造热电材料的装置和方法，所述冷变形能够改善热电性质的再现性并选择性地控制热电材料的载流子浓度，一种用于制造材料的方法包括以下步骤：通过熔化和冷却热电材料来制备热电材料块; 进行冷变形以向热电材料块施加压力以增加热电材料块中的载流子浓度; 并且热挤压经受冷变形的热电材料以产生热电材料。

53. 发明公开

KR1020160115240A 열전모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：热电模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160115240A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150042493
申请日：2015-03-26
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 백승협 , 김진상 , 현도빈 , 권범진 , 김성근 , 강종윤 , 최지원
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/02 , H01L35/14
摘要： 본발명은소결열전소재와단결정열전소재를조합하여열전모듈을구성함에있어서소결열전소재와단결정열전소재의저항차이를최소화하여저항매칭을간소화함과함께열전성능을향상시킬수 있는열전모듈및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른열전모듈은 p형열전소재와 n형열전소재로이루어지는열전셀을복수개포함하며, 상기 p형열전소재와 n형열전소재중 어느하나는소결열전소재를포함하여구성되며, 상기 p형열전소재와 n형열전소재중 어느하나는, 소결열전소재와, 상기소결열전소재의양단상에구비되어물질의고상확산을방지하는확산방지층과, 상기소결열전소재양단의확산방지층중 적어도어느하나이상의확산방지층상에구비되는금속블록층을포함하여구성되며, 상기금속블록층은상기소결열전소재보다상대적으로전기저항값이낮은것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明通过具有最小化烧结热电材料和单晶热电材料之间的电阻差改善了热性能和简化的电阻匹配sikilsu热电模块和生产，在通过组合的烧结热电材料和单晶热电材料构成的热电模块本发明涉及一种方法，在本发明中，热电模块根据包括多个p型热电材料形成的热电单元和所述n型热电材料中，p型热电材料中的任一个和所述n型热电材料是，包括烧结热电材料配置是，在和所述p型热电材料的任一项所述的n型热电材料是烧结热电材料和扩散阻挡层和在两端的烧结热电材料，以防止在烧结热电材料的两个单相具有的材料的固相扩散防扩散层和金属阻挡层具有比烧结热电材料更低的电阻值。罗汉。

54. 发明公开

KR1020160109589A 전구체의 경쟁흡착을 이용한 원자층 증착방법 无效
标题翻译：使用竞争性沉积物沉积的原子层沉积
公开(公告)号：KR1020160109589A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150034310
申请日：2015-03-12
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성근 , 조철진 , 백승협 , 권범진 , 강종윤 , 최지원 , 정두석 , 김진상
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02109 , H01L21/205
摘要： 본발명의일 실시예에따른전구체경쟁흡착을이용한원자층증착방법은 (a) 기판상에제1전구체를주입하는단계, (b) 상기기판상에산소원료를주입하는단계, (c) 상기기판상에제1전구체및 제2전구체를함께주입하는단계및 (d) 상기기판상에산소원료를주입하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：使用根据本发明的实施方案的前体的竞争性吸附的原子层沉积方法可以包括（a）将第一前体注入到基底上的步骤，（b）将氧（原料）注入到所述基板，（c）将所述第一前体和所述第二前体注入到所述基板上的步骤，以及（d）将氧（原料）注入到所述基板上的工序。因此，可以在形成电介质薄膜时控制精细的掺杂浓度。

55. 发明授权

KR101610738B1 하이브리드 에너지 발생 장치 有权
标题翻译：用于产生混合动力的装置
公开(公告)号：KR101610738B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020140067694
申请日：2014-06-03
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 강종윤 , 윤석진 , 김진상 , 최지원 , 백승협 , 김성근 , 권범진 , 정우석
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/16 , H01L41/047
摘要： 본발명은이종(異種)의에너지발생수단들을결합하여하이브리드에너지를생성하는에너지발생장치에관한것이다. 본발명에따른하이브리드에너지발생장치는, 압전물질을포함하는적어도하나의압전부를구비한제 1 층및 정전물질을포함하는적어도하나의정전부를구비한제 2 층을포함하고, 제 1 층에가해지는외력에의한압력에따라압전부는압전에너지를생성하고, 외력에의한제 1 층과제 2 층의접촉및 분리에따라정전부는정전에너지를생성하는하이브리드에너지발생장치.

56. 发明授权

KR101455713B1 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법 有权
标题翻译：使用冷加工制备高性能热电材料的方法
公开(公告)号：KR101455713B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130044554
申请日：2013-04-23
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 백승협 , 정성진 , 현도빈 , 김성근 , 김진상
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/41 , H01L41/187
摘要： 본 발명은 열전 물질의 종류에 제약이 없이 다양한 열전 소재를 제조하고, 또한 경제적이며 동시에 친환경적인 방법으로 열전 소재를 제조하기 위한 것으로, 열전 물질을 녹인 후 냉각시켜 잉곳(ingot)을 제조하는 잉곳 제조 단계; 상기 제조된 잉곳을 냉간 성형하여 열전 소재를 제조하는 냉간 성형 단계; 및 상기 제조된 열전 소재를 열처리하는 열처리 단계; 를 포함하는 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种经济且环保的方法制造热电材料的方法，能够制造各种热电材料而不受热电材料种类的限制。提供一种制造使用冷加工的热电材料的方法，该方法包括：通过在热电材料熔化之后冷却热电材料来制造锭的锭制造步骤; 通过制造锭的冷加工制造热电材料的冷加工步骤; 以及对所制造的热电材料进行热处理的热处理步骤。

57. 发明授权

KR101405318B1 텔루르화 비스무트-셀렌화 인듐 나노복합체 열전 소재 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： BISMUTH TELLURIDE-INDIUM SELENIDE NANOCOMPOSITE THERMOELECTRIC MATERIALS AND METHOD OF MANUIFACTTING THE SAME
公开(公告)号：KR101405318B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020130031654
申请日：2013-03-25
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김진상 , 이득희 , 백승협 , 강종윤 , 서상희 , 최지원 , 김성근
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/14 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34
摘要： The present invention relates to bismuth telluride-indium selenide nanocomposite thermoelectric materials. The thermoelectric materials have the same composition as a chemical formula (Bi2(TeSe)3)1-x(In4Se3)x and in the chemical formula, the x provides the bismuth telluride-indium selenide nanocomposite thermoelectric materials having a value from 0.001 to 0.5. The bismuth telluride-indium selenide nanocomposite thermoelectric materials indicate significantly improved thermoelectric performance in a wide temperature range higher than room temperature, compared to existing thermoelectric materials and are helpfully used for a non-refrigerant refrigerator, general cooling machines such as an air conditioner, waste heat power generation, and structure materials of micro cooling /power generation systems.
摘要翻译：本发明涉及碲化铋硒化铟纳米复合热电材料。热电材料具有与化学式（Bi 2（TeSe）3）1-x（In 4 Se 3）x相同的组成，并且在化学式中，x提供了具有0.001至0.5的值的碲化铋 - 铟硒化物纳米复合热电材料。碲化铋 - 硒化铟纳米复合热电材料与现有的热电材料相比，在比室温高的宽温度范围内显示出明显改善的热电性能，有助于非制冷剂制冷机，一般冷却机如空调，废料热发电和微型冷却/发电系统的结构材料。

58. 发明公开

KR1020140052162A 산화물 센서 및 그 제조방법 无效
标题翻译：氧化物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140052162A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120117042
申请日：2012-10-22
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김진상 , 백승협 , 윤석진 , 최지원 , 문선영 , 김성근 , 강종윤
IPC分类号： G01N27/02 , G01N27/12 , G01J1/42
摘要： The present invention relates to an oxide sensor and a method to manufacture the oxide sensor. The present invention provides an oxide sensor including: an oxide substrate; an oxide thin film layer formed on the oxide substrate and generating a two-dimensional electron gas (2DEG) layer on the bonding interface with the oxide substrate by including an oxide which is a different kind of the oxide substrate; and an electrode wiring connected to the 2DEG layer generated on the bonding interface of the oxide substrate and the oxide thin film layer. Furthermore, the present invention provides a method to manufacture the oxide sensor comprising the steps of: forming the oxide thin film layer generating the 2DEG layer on the bonding interface with the oxide substrate by depositing the oxide whereby is a different kind of the oxide substrate on the oxide substrate; etching the oxide thin film layer; and forming the electrode wiring connected to the 2DEG layer by depositing conductive materials on an etched portion. According to the present invention, it is possible to be ultra slim because the sensitivity of the ultra-thin film is high in principality whereby electrical conductivity of the 2DEG generated on the bonding interface with a different kind of changed oxide is used and be able to provide at a low cost by a simple manufacturing process.
摘要翻译：本发明涉及氧化物传感器和制造氧化物传感器的方法。本发明提供一种氧化物传感器，包括：氧化物基板; 氧化物薄膜层，其形成在所述氧化物基板上，并且通过包含作为所述氧化物基板的不同种类的氧化物，在与所述氧化物基板的接合界面上产生二维电子气（2DEG）层; 以及连接到在氧化物基板和氧化物薄膜层的接合界面上产生的2DEG层的电极配线。此外，本发明提供一种制造氧化物传感器的方法，包括以下步骤：通过沉积氧化物形成在与氧化物基板的接合界面上产生2DEG层的氧化物薄膜层，由此作为氧化物基板的不同种类氧化物基板; 蚀刻氧化物薄膜层; 以及通过在蚀刻部分上沉积导电材料来形成连接到2DEG层的电极配线。根据本发明，由于超薄膜的灵敏度高，因此使用在不同种类的改变的氧化物的接合界面上产生的2DEG的导电性，因此可以超薄通过简单的制造过程以低成本提供。

59. 发明授权

KR102029180B1 황화주석(II)(SnS) 박막 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102029180B1
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：KR1020170122094
申请日：2017-09-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성근 , 백인환 , 김상태 , 백승협 , 최지원 , 김진상 , 강종윤
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , G01N27/12

60. 发明授权

KR102028145B1 맥신을 포함하는 열전 복합 재료 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102028145B1
公开(公告)日：2019-10-04
申请号：KR1020170174387
申请日：2017-12-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김진상 , 구종민 , 백승협 , 김성근 , 강종윤 , 홍순만 , 황승상 , 최지원 , 윤석진 , 김광천 , 백경열 , 조상호
IPC分类号： H01L35/12 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/24 , H01L35/34

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