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51. 发明公开

KR1019950028722A 로보트청소기의 전원코드 인입출 제어방법 失效
公开(公告)号：KR1019950028722A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：KR1019940007304
申请日：1994-04-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재봉
IPC分类号： A47L9/26
摘要： 본 발명은 스스로 이동하면서 바닥을 청소하는 유선형자주식 로봇청소기에 관한 것으로, 특히 상기 로보트청소기의 이동시에 발생하는 전원코드의 장력오차를 보정하여 실제 주행거리에 따라 상기 전원코드를 정확하게 인출 또는 인입시키는 로보트청소기의 전원코드인입출제어방법에 관한 것으로써, 제1 및 제2광센서에 의해 빛이 차단되는 순서를 비교하여 전원코드의 인입출여부를 판별하는 인입출판별스텝과, 상기 인입출파별스텝에서 판별된 전원코드의 인입출여부에 따라 상기 전원코드의 실제 인입출길이(SUMP) 및 구동모터 회전수(PCOUNT)를 산출하는 인출길이산출스텝과, 상기 전원코드의 인출 및 인입시에 발생하는 장력오차를 보정하기 위한 시간주기(T)시에 로보트청소기가 콘센트로부터 이동한 거리(d)를 산출하는 이동거리산출스텝과, 상 인출길이산출스텝에서 산출된 전원코드의 실제인출길이(SUMP) 및 상기 이동거리산출스텝에서 산출된 로보트청소기의 이동거리(d)를 비교하여 상기 전원코드의 과다인입 및 과다인출 여부를 판별하는 과다인입출판별스텝과, 상기 과다인입출판별스텝에서 판별된 전원코드의 과다 인입 또는 과다인출 여부에 따라 구동모터회수를 변화하여 모터를 시계 또는 반시계방향으로 회전시킴으로써 상기 전원코드의 장력오차를 보정하는 장력오차보정스텝으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

52. 发明公开

KR1019950008051A 자주식로보트의 전원코드의 장력제어장치 및 그 제어방법 失效
标题翻译：自走式机器人电源线张力控制装置及其控制方法
公开(公告)号：KR1019950008051A
公开(公告)日：1995-04-15
申请号：KR1019930017425
申请日：1993-09-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재봉
IPC分类号： B25J9/00
摘要： 본 발명은 자주식로보트의 전원코드의 장력제어장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 자주식로보트의 주행중 돌발적인 상황이 발생할 경우나 급히 방향전환할 경우 전원코드에 인가되는 장력을 해제하여 주행방향의 흐트러짐을 방지하는 자주식로보트의 전원코드의 장력제어방법에 있어서, 자주식로보트가 방향을 전환하였는지 판별하는 제1방향전환 판별스텝과, 상기 제1방향전환 판별스텝에서 방향을 전환하지 않았다고 판별하였을 경우에는 자주식로보트가 방향전환중인가를 판별하는 제2방향전환 판별스텝과, 상기 제2방향전환 판별스텝에서 자주식로보트가 방향전환중이 아니라고 판별하였을 경우에는 전원코드가 인출되고 있는가를 판별하는 전원코드 인출여부 판별스텝과, 상기 전원코드인출 여부판별스텝에서 전원코드가 인출된다고 판별 였을 경우 카운트(COUNT)값을 증가하는 카운트증가스텝과, 상기 카운트값이 마이크로컴퓨터에 미리 설정된 제1설정값(Z)인지를 판별하는 카운트값 판별스텝과, 상기 카운트값 판별스텝에서 카운트값이 마이크로컴퓨터에 미리 설정된 제1설정값(Z)이라고 판별하였을 경우에는 전원코드에 인가되는 장력이 해제되도록 마이크로컴퓨터에 미리 설정된 제2설정값(Y)만큼 모터를 구동시키는 장력해제스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자주식로보트의 전원코드의 장력제어방법을 특징으로 한다.

53. 发明公开

KR1020090014732A 플라즈마 식각장치 无效
标题翻译：等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020090014732A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070078905
申请日：2007-08-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정화준 , 이재봉 , 김정욱 , 임용호
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32495
摘要： A plasma etching apparatus is provided to allow a user to exchange or repair only a liner member in which problem is generated by several liner members which are mutually separated to protect the inner wall of the process chamber. The plasma-etching apparatus comprises the chamber body(10), the upper electrode(40), and the bottom electrode(30) and wall liner(50). It has the process chamber in which the process gas is injected the chamber body. A plasma etching apparatus includes a chamber body, an upper electrode, a bottom electrode and wall liner. The chamber body has a process chamber into which the process gas is injected. The upper electrode is installed on the top of the chamber body, and the bottom electrode is installed in the lower part of the chamber body. The wall liner protects the inner wall of the chamber body while being installed inside the chamber body. The wall liner is composed of a plurality of liner members(51) which is capable of being mutually separated.
摘要翻译：提供了一种等离子体蚀刻装置，以允许使用者仅仅更换或修理其中相互分离以保护处理室的内壁的多个衬套构件产生问题的衬垫构件。等离子体蚀刻装置包括室主体（10），上电极（40）以及底电极（30）和壁衬（50）。它具有处理室，其中处理气体注入室体。等离子体蚀刻装置包括室主体，上电极，底电极和壁衬。腔体具有处理室，注入工艺气体。上电极安装在室主体的顶部，底电极安装在腔体的下部。壁衬套在安装在腔室内部的同时保护腔室主体的内壁。壁衬由多个可相互分离的衬垫构件（51）组成。

54. 发明公开

KR1020050009808A 식각장치 失效
标题翻译：控制密度，沉积速率，蚀刻速率和等离子体均匀性的蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020050009808A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：KR1020030048881
申请日：2003-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이진석 , 김동철 , 이재봉 , 최인호 , 김정욱 , 백동석
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/3244
摘要： PURPOSE: An etching apparatus is provided to control a density, a deposition rate, an etch rate and uniformity of plasma by adjusting a gas density and gas speed on a wafer in a chamber. CONSTITUTION: A gas supply part(22) has at least a pair of gas supply holes. At least one gas distribution part(2) is separated from the gas supply part by an isolated space, including an upper partition wall and a lower partition wall. The upper partition wall is of a loop type, protruding from the center region of the upper plate of the gas distribution part. The lower partition wall is of a loop type, protruding from the center region of the lower plate of the gas distribution part. A shower head injects process gas into a chamber(1), separated from the gas distribution part by an isolated space.
摘要翻译：目的：提供蚀刻装置，通过调节腔室中的晶片上的气体密度和气体速度来控制密度，沉积速率，等离子体的蚀刻速率和均匀性。构成：气体供给部（22）具有至少一对气体供给孔。至少一个气体分配部分（2）通过包括上分隔壁和下分隔壁的隔离空间与气体供应部分分离。上分隔壁是从气体分配部的上板的中心区域突出的环状。下分隔壁是从气体分配部的下板的中心区域突出的环状。淋浴头将处理气体注入到室（1）中，与气体分配部分隔开隔离空间。

55. 发明公开

KR1020010053750A 반도체 장치의 금속 패턴 제조 방법 无效
标题翻译：形成半导体器件金属图案的方法
公开(公告)号：KR1020010053750A
公开(公告)日：2001-07-02
申请号：KR1019990054245
申请日：1999-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤석훈 , 이재봉 , 김태룡
IPC分类号： H01L21/283
摘要： PURPOSE: A method for forming a metal pattern of a semiconductor device is provided to obtain an excellent etch profile of the metal pattern with using existing facilities and without increasing etch selectivity of metal to photoresist. CONSTITUTION: The method includes forming in twice the metal pattern(251,253) to etch a metal layer thicker than a superjacent photoresist pattern. In the method, after a tungsten plug(230) is formed in an interlayer dielectric layer(210) so as to be connected with an impurity doping region(200a) in a substrate(200), an insulating pattern(245) such as an oxide layer is formed thereon. Next, to form the first metal pattern(251), the first metal layer is deposited in and over the insulating pattern(245) and then polished. Thereafter, the second metal layer for the second metal pattern(253) is deposited thereon and then etched through the superjacent photoresist pattern. Preferably, a barrier metal layer(262) and an anti-reflective layer(272) may be formed on the second metal pattern(253). After formation of the metal pattern(251,253) is completed, the photoresist pattern and the anti-reflective layer(272) are removed.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的金属图案的方法，以利用现有的设备获得优异的金属图案的蚀刻轮廓，并且不增加金属对光致抗蚀剂的蚀刻选择性。构成：该方法包括形成金属图案（251,253）的两倍以蚀刻比相邻的光致抗蚀剂图案更厚的金属层。在该方法中，在层间电介质层（210）中形成与衬底（200）中的杂质掺杂区域（200a）连接的钨插塞（230）之后，将绝缘图案（245）氧化层形成在其上。接下来，为了形成第一金属图案（251），第一金属层沉积在绝缘图案（245）中并在其上方抛光。此后，第二金属图案（253）的第二金属层沉积在其上，然后通过相邻的光致抗蚀剂图案进行蚀刻。优选地，可以在第二金属图案（253）上形成阻挡金属层（262）和抗反射层（272）。在完成金属图案（251,253）的形成之后，去除光致抗蚀剂图案和抗反射层（272）。

56. 发明公开

KR1020000073749A 반도체 장치의 제조방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020000073749A
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR1019990017220
申请日：1999-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재봉 , 이현철 , 이혁준
IPC分类号： H01L27/10
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve productivity of the semiconductor device, by minimizing a step difference between a cell region and a periphery without a planarization process. CONSTITUTION: An insulating layer is formed on a substrate(50), and the insulating layer is patterned to form a contact hole(58) on the substrate. Polysilicon is stacked on the insulating layer and contact hole to form a polysilicon layer. After photoresist is applied on the polysilicon layer, the photoresist is patterned by a photolithography method to form a photoresist pattern on the polysilicon layer. A storage electrode(70) is formed by etching an inside of a cell of the polysilicon layer vertically and by etching a side of a periphery slantingly with a mixture gas composed of HBr, Cl2, He, and O2 gas, using the photoresist pattern as an etching mask. A dielectric layer and a plate electrode are sequentially formed on the storage electrode.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过最小化单元区域和周边之间的阶梯差而不进行平坦化处理来提高半导体器件的生产率。构成：在基板（50）上形成绝缘层，并对绝缘层进行图案化以在基板上形成接触孔（58）。多晶硅层叠在绝缘层和接触孔上以形成多晶硅层。在多晶硅层上施加光致抗蚀剂之后，通过光刻法将光致抗蚀剂图案化以在多晶硅层上形成光致抗蚀剂图案。存储电极（70）通过使用光致抗蚀剂图案作为垂直方向蚀刻多晶硅层的单元的内部并且通过用由HBr，Cl 2，He和O 2气体组成的混合气体倾斜地蚀刻外围而形成蚀刻掩模在存储电极上依次形成电介质层和平板电极。

57. 发明公开

KR1020000050641A 산화막에 대해 높은 식각 선택비를 갖는 질화막 식각 방법 无效
标题翻译：用于蚀刻具有氧化层的高蚀刻选择比例的氮化物层的方法
公开(公告)号：KR1020000050641A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990000657
申请日：1999-01-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재봉 , 김한성 , 이혁준 , 이현철
IPC分类号： H01L21/36
摘要： PURPOSE: A method for etching a nitride layer is provided to prevent a semiconductor substrate from being damaged, by having a high etching selection ratio regarding an oxidation layer. CONSTITUTION: A method for etching a nitride layer having a high etching selection ratio regarding an oxidation layer comprises the steps of: forming an oxidation layer along the surface of the structure formed on a semiconductor substrate; forming a nitride layer on the oxidation layer; and forming a spacer on both sidewalls of the structure by etching the nitride layer, in which the etching process is carried out by etching gas including HBr/Cl2 gas or SF6/He gas in poly-etching facilities having a condition of low pressure and high power.
摘要翻译：目的：提供一种用于蚀刻氮化物层的方法，以通过对氧化层具有高蚀刻选择比来防止半导体衬底损坏。构成：蚀刻具有高氧化层蚀刻选择比的氮化物层的方法包括以下步骤：沿着形成在半导体衬底上的结构的表面形成氧化层; 在氧化层上形成氮化物层; 并且通过蚀刻氮化物层在该结构的两个侧壁上形成间隔物，其中通过在具有低压和高压条件的多个蚀刻设备中蚀刻包括HBr / Cl 2气体或SF 6 / He气体的气体进行蚀刻处理功率。

58. 发明公开

KR1020000021052A 반도체 장치의 콘택 플러그 형성 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件接触片的方法
公开(公告)号：KR1020000021052A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039973
申请日：1998-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이현철 , 서정근 , 이재봉
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing contact plug is provided to use selective deposition process in semiconductor device. CONSTITUTION: An isolated inter layer(102) provided in semiconductor substrate is partially etched to form a contact hole(102a). A barrier metal layer(104) is formed onto the isolated inter layer comprising a contact hole. Negative photoresist layer is formed on barrier metal layer as to fill completely contact hole. By further using contact hole forming mask, negative photoresist layer is etched to form photoresist pattern. After photoresist pattern is flowed, barrier metal layer is etched using the reflowed photoresist pattern as mask so as to expose the upper surface of the isolated inter layer on both sides of contact hole. After removing photoresist pattern, a tungsten layer is selectively deposited onto the barrier layer as to fill contact hole, thereby forming a tungsten contact plug(108). Therefore, it enables tungsten to deposit onto desired region, resulting in selectively forming a tungsten contact plug onto desired region without etching process.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造接触插塞的方法，以在半导体器件中使用选择性沉积工艺。构成：设置在半导体衬底中的隔离层（102）被部分蚀刻以形成接触孔（102a）。在包括接触孔的隔离层间层上形成阻挡金属层（104）。在阻挡金属层上形成负光致抗蚀剂层以填满完全接触孔。通过进一步使用接触孔形成掩模，蚀刻负性光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。在光致抗蚀剂图案流动之后，使用回流光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻阻挡金属层，以暴露接触孔两侧的隔离层间的上表面。在去除光致抗蚀剂图案之后，钨层被选择性地沉积到阻挡层上以便填充接触孔，从而形成钨接触插塞（108）。因此，能使钨沉积到所需区域上，导致钨接触塞选择性地形成所需区域而不进行蚀刻工艺。

59. 发明公开

KR1020000019101A 반도체소자의 식각방법 无效
标题翻译：半导体器件的蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020000019101A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980037029
申请日：1998-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재현 , 심광보 , 이재봉 , 이현철
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: A method can etch effectively a poly film used in a semiconductor device using plasma formed by using an etching apparatus of TCP(transformer coupled plasma) type. CONSTITUTION: A method performs etching using plasma formed by using a TCP etching apparatus. The etching process according to the present invention uses a mixed gas including a Cl2 gas and a HBr gas as a main etching gas, and the pressure in the process chamber where the etching process is performed is maintained to a high pressure of 20 mTorr or 50 mTorr. The method improves the selectivity with an oxide film(36) and prevents the generation of a stringer and undercut.
摘要翻译：目的：一种方法可以有效地蚀刻使用通过使用TCP（变压器耦合等离子体）型蚀刻装置形成的等离子体的半导体器件中使用的多晶硅膜。方案：一种方法使用通过使用TCP蚀刻装置形成的等离子体进行蚀刻。根据本发明的蚀刻工艺使用包括Cl 2气体和HBr气体的混合气体作为主蚀刻气体，并且将进行蚀刻处理的处理室中的压力保持在20mTorr或50℃的高压毫托。该方法提高了氧化膜（36）的选择性，并防止产生桁条和底切。

60. 发明公开

KR1019990069665A 반도체 건식식각공정의 이피디용 파장 결정방법 및 이를 이용한이피디방법 失效
公开(公告)号：KR1019990069665A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980004056
申请日：1998-02-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이휘건 , 이재봉
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 주식각시간을 측정하는 반도체 건식식각공정의 이피디용 파장 결정방법 및 이를 이용한 이피디 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 건식식각공정의 이피디용 파장 결정방법은, 제 1 특정막 및 제 1 포토레지스트 패턴이 형성된 제 1 반도체기판에 대해서 제 1 플라즈마 식각공정을 진행한 후 형성된 제 1 반응생성물에서 방출되는 빛의 파장에 대한 인텐시티를 분석하는 제 1 스펙트럼 분석단계, 제 2 특정막 및 제 2 포토레지스트 패턴이 형성된 제 2 반도체기판에 대해서 제 2 플라즈마 식각공정을 진행한 후 형성된 제 2 반응생성물에서 방출되는 빛의 파장에 대한 인텐시티를 분석하는 제 2 스펙트럼 분석단계, 상기 제 1 스펙트럼 분석에 의한 제 1 스펙트럼의 피크와 상기 제 2 스펙트럼 분석에 의한 제 2 스펙트럼의 피크의 차의 절대값을 구하는 단계 및 상기 절대값의 최대치에 대응하는 빛의 파장을 구하여 이를 상기 제 1 특정막 및 제 2 특정막이 연속하여 형성� � 반도체장치의 건식식각공정의 이피디의 파장으로 결정하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 이피디를 용이하게 진행할 수 있는 효과가 있다.

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