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51. 发明公开

KR1020150026635A 통지 정보를 전송하기 위한 전자 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：电子装置和发送通知信息的方法
公开(公告)号：KR1020150026635A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130105729
申请日：2013-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서석호 , 김형근 , 박성호 , 손동현 , 정지량 , 한상현 , 홍일성 , 황지영 , 박지현 , 이진혁 , 조나래
IPC分类号： G06F13/14 , G06F13/38 , G06F9/44
CPC分类号： G06F13/14 , G06F3/0482 , G06F3/14 , G06F9/44 , G06F13/38
摘要： The present invention relates to an apparatus and a method for transmitting notification information to peripheral devices in an electronic apparatus. Herein, a method for transmitting notification information comprises the steps of: confirming output characteristics of at least one peripheral device; converting or reconfiguring output information of an event generated by at least one application program based on the output characteristics of the peripheral device; and transmitting the output information of the converted or reconfigured event to the peripheral device. In addition, the electronic apparatus may further comprise other embodiments.
摘要翻译：本发明涉及一种用于向电子设备中的外围设备发送通知信息的装置和方法。这里，发送通知信息的方法包括以下步骤：确认至少一个外围设备的输出特性; 基于所述外围设备的输出特性来转换或重新配置由至少一个应用程序生成的事件的输出信息; 以及将转换或重新配置的事件的输出信息发送到外围设备。此外，电子设备还可以包括其他实施例。

52. 发明公开

KR1020140113246A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020140113246A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130056609
申请日：2013-05-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병희 , 김태수 , 박성호 , 박영주 , 정주영
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76816 , H01L21/31144
摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method of fabricating a semiconductor device includes providing a lower conductor and a first interlayer dielectric formed around the lower conductor, forming a second interlayer dielectric on the first interlayer dielectric and the lower conductor, forming a first hard mask pattern including a first opening part on the second interlayer dielectric, successively forming a planarization layer and a mask layer on the second interlayer dielectric and the first hard mask pattern, forming a second hard mask pattern including a second opening part on the mask layer, allowing the second hard mask pattern to include SiN and forming a mask pattern by patterning the mask layer by using the second hard mask pattern, removing the second hard mask pattern and forming a trench and a via hole in the second interlayer dielectric by using the mask pattern and the first hard mask pattern.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括提供下导体和形成在下导体周围的第一层间电介质，在第一层间电介质和下导体上形成第二层间电介质，形成第一硬掩模图案，其包括第一开口部分所述第二层间电介质，在所述第二层间电介质和所述第一硬掩模图案上依次形成平坦化层和掩模层，在所述掩模层上形成包括第二开口部分的第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案包括 SiN，并且通过使用第二硬掩模图案图案化掩模层并形成掩模图案，通过使用掩模图案和第一硬掩模图案，去除第二硬掩模图案并在第二层间电介质中形成沟槽和通孔。

53. 发明公开

KR1020140032080A 과산화수소 민감성 금속 나노 입자, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 과산화수소 검출 시스템 审中-实审
标题翻译：过氧化氢敏感金属纳米粒子，其生产方法和包含该过程的过氧化氢检测系统
公开(公告)号：KR1020140032080A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098418
申请日：2012-09-05
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 임규현 , 박노경 , 허재현 , 김성지 , 남주택 , 박성호 , 정상화
IPC分类号： B22F1/00 , B82B3/00 , B22F9/24 , G01N25/00
CPC分类号： G01N21/59 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G7/00 , G01N21/25 , G01N2021/5903 , Y10S977/70 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/896 , Y10S977/915 , Y10S977/92 , Y10T428/2982 , Y10T436/20 , Y10T436/206664
摘要： The present invention provides hydrogen peroxide sensitive metal nanoparticles containing metal nanoparticles containing a biocompatibility metal and hydrogen peroxide reacting ions which can be oxidized by hydrogen peroxide. The metal nanoparticles contains metal or silica coated with metal.
摘要翻译：本发明提供含有金属纳米颗粒的过氧化氢敏感性金属纳米颗粒，其含有可被过氧化氢氧化的生物相容性金属和过氧化氢反应离子。金属纳米粒子含有涂有金属的金属或二氧化硅。

54. 发明授权

KR101358854B1 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 금속 게이트 형성 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101358854B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020070090553
申请日：2007-09-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박성호 , 노진서 , 전중석
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823828 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： 우수한 면저항 특성 및 확산 배리어 특성을 갖는 금속 게이트를 구비하는 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 금속 게이트를 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명의 한 유형에 따른 반도체 소자는, 게이트 절연막 위에 형성된 금속 게이트를 구비하고, 상기 금속 게이트는 Al 또는 Si를 포함하는 금속 질화물로 이루어지며, 상기 금속 게이트의 하부 및 상부의 Al 또는 Si의 함량이 상기 금속 게이트의 중심부의 Al 또는 Si의 함량에 비하여 낮은 것을 특징으로 한다.

55. 发明授权

KR101185563B1 쇼트키 배리어 트랜지스터 제조방법 有权
标题翻译：制造肖特基势垒晶体管的方法
公开(公告)号：KR101185563B1
公开(公告)日：2012-09-24
申请号：KR1020070136399
申请日：2007-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박성호 , 노진서 , 전중석 , 배은주
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/7839
摘要： 쇼트키 배리어 트랜지스터 제조방법에 관하여 개시된다. 개시된 쇼트키 배리어 트랜지스터 제조방법은, 기판 상에 소정 깊이로 서로 나란한 소스 형성부 및 드레인 형성부를 위한 한 쌍의 캐버티와 상기 캐버티들 사이에 핀(fin) 형상의 채널형성부를 형성하는 제1 단계; 상기 캐버티를 금속으로 채우는 제2 단계; 상기 채널 형성부의 길이방향에 대해서 직교하는 방향으로 상기 채널 형성부, 상기 소스 형성부, 상기 드레인 형성부를 패터닝하여 채널, 소스 및 드레인을 형성하는 제3 단계; 상기 기판 상에서, 상기 소스, 상기 드레인, 상기 채널을 덮는 게이트 산화물층 및 게이트 금속층을 순차적으로 형성하는 제4 단계; 및 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 상기 채널층 상에 게이트 전극을 형성하는 제5 단계;를 구비한다. 상기 제2 단계 내지 상기 제5 단계 중 어느 한 단계에서 상기 기판을 열처리하여 쇼트키 배리어를 형성하는 단계를 더 포함한다.

56. 发明公开

KR1020120055961A 휴대 단말기 및 그 휴대 단말기에서 배경 이미지 활용 방법 有权
标题翻译：移动终端和利用其背景图像的方法
公开(公告)号：KR1020120055961A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100117428
申请日：2010-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경민 , 박성호 , 홍상호 , 편승배 , 신용욱
IPC分类号： G06F3/0484 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/0488 , H04M1/725
CPC分类号： G06F3/04886 , G06F3/0484 , G06F3/04817 , G06F3/0482 , G06F3/0488 , H04M1/72583 , H04M2250/22
摘要： PURPOSE: A portable terminal and an background image utilizing method thereof are provided to supply a specified user interface according to preference of a user. CONSTITUTION: A control unit displays a background image on a display unit(410). If an input event is sensed in the displayed background image, the control unit confirms a coordinate of the input event(420,430). If there is a function which maps with the confirmed coordinate, the control unit performs the function(440,445).
摘要翻译：目的：提供便携式终端及其背景图像利用方法，以根据用户的偏好来提供指定的用户界面。构成：控制单元在显示单元（410）上显示背景图像。如果在所显示的背景图像中感测到输入事件，则控制单元确认输入事件的坐标（420,430）。如果存在与所确定的坐标进行映射的功能，则控制单元执行功能（440,445）。

57. 发明公开

KR1020120037683A 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 有权
标题翻译：晶体管，其制造方法和包含晶体管的电子器件
公开(公告)号：KR1020120037683A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100099292
申请日：2010-10-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송이헌 , 후아샹잉 , 전상훈 , 박성호
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/14 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/14681 , H01L27/14692 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： PURPOSE: A transistor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the same are provided to improve reliability and uniformity of a device by preventing the property change of an active layer through a photo sensor layer made of a plurality of material layers with different energy bandgaps. CONSTITUTION: A gate(G1) is formed on a substrate(SUB1). A gate insulating layer(GI1) is formed on the gate. An active layer(A1) made of oxide semiconductor is formed on the gate insulation layer. A source electrode(S1) and a drain electrode(D1) are respectively contacted with both sides of the active layer. A passivation layer covers the active layer, the source electrode, and the drain electrode and is formed on the gate insulation layer.
摘要翻译：目的：提供一种晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件，以通过防止由具有不同的多个材料层制成的光电传感器层的有源层的特性变化来提高器件的可靠性和均匀性能量带隙。构成：在基板（SUB1）上形成栅极（G1）。在栅极上形成栅极绝缘层（GI1）。在栅绝缘层上形成由氧化物半导体构成的有源层（A1）。源电极（S1）和漏电极（D1）分别与有源层的两侧接触。钝化层覆盖有源层，源电极和漏电极，并形成在栅极绝缘层上。

58. 发明公开

KR1020110074355A 트랜지스터 无效
标题翻译：晶体管
公开(公告)号：KR1020110074355A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020090131292
申请日：2009-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상훈 , 송이헌 , 김창정 , 박성호
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L29/45
摘要： PURPOSE: A transistor is provided to prevent etching issue, lack of uniformity, and a leakage current by increasing threshold voltage through an insertion layer between a source electrode and a channel layer. CONSTITUTION: In a transistor, a channel layer(C1) including an oxide semiconductor is formed on a substrate(SUB1). A gate electrode(G1) is formed on the channel layer. A source electrode(S1) and a drain electrode(D1) are respectively contacted with both ends of the channel layer. A semiconductor insertion layer(A1) is formed between the source electrode and the channel layer. A potential barrier between the source electrode and the channel layer is increased by the semiconductor insertion layer.
摘要翻译：目的：提供晶体管，以通过增加源电极和沟道层之间的插入层的阈值电压来防止蚀刻问题，缺乏均匀性和漏电流。构成：在晶体管中，在衬底（SUB1）上形成包括氧化物半导体的沟道层（C1）。在沟道层上形成栅电极（G1）。源电极（S1）和漏电极（D1）分别与沟道层的两端接触。在源电极和沟道层之间形成半导体插入层（A1）。源电极和沟道层之间的势垒由半导体插入层增加。

59. 发明公开

KR1020100121256A 씨모스 이미지 센서 有权
标题翻译： CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR1020100121256A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040323
申请日：2009-05-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박성호 , 송이헌 , 이욱 , 김상욱 , 김선일 , 박재철
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689
摘要： PURPOSE: A CMOS image sensor is provided to reduce the size of a unit pixel and improve the sensitivity of the unit pixel at the same time by increasing the area of a photodiode within the unit pixel. CONSTITUTION: A plurality of photo diodes(102) is arranged in two dimension array. An inter-layer insulating film(110) is formed on the photo diode. A first metal layer(120) is formed on the inter-layer insulating film. A first inter-metal insulator(130) is formed on the first metal layer. An oxide semiconductor transistor layer(140) is formed on the first inter-metal insulator.
摘要翻译：目的：提供CMOS图像传感器，通过增加单位像素内的光电二极管的面积来减小单位像素的大小，同时提高单位像素的灵敏度。构成：多个光电二极管（102）被布置成二维阵列。在光电二极管上形成层间绝缘膜（110）。第一金属层（120）形成在层间绝缘膜上。第一金属间绝缘体（130）形成在第一金属层上。在第一金属间绝缘体上形成氧化物半导体晶体管层（140）。

60. 发明公开

KR1020100107611A 단말 제어 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于控制终端的装置和方法
公开(公告)号：KR1020100107611A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090025760
申请日：2009-03-26
申请人： 삼성전자주식회사 , 더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티
发明人： 박준아 , 수쿠마란,애브헤이 , 머래이,캐서린 , 방원철 , 나스,크리포드 , 박성호
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/14 , H04B1/40
CPC分类号： H04M1/72583 , G06F3/04883 , G06F3/04886 , H04M2250/22 , G06F3/0488 , G06F3/0354 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/14
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for controlling a terminal are provided to expand a display area to an external area of the terminal. CONSTITUTION: A space setting unit(110) sets a virtual display space corresponding to the outside of a touch display. The space setting unit sets a border space on the touch display adjacent to the virtual display space. A mapping unit(120) maps at least one of files on the virtual display space. When a touch signal is sensed through the touch display in the border space, a control unit(130) controls a file processing operation of the terminal for the mapped file.
摘要翻译：目的：提供一种用于控制终端的装置和方法，以将显示区域扩展到终端的外部区域。构成：空间设定单元（110）设定与触摸显示器的外部对应的虚拟显示空间。空间设置单元设置与虚拟显示空间相邻的触摸显示器上的边界空间。映射单元（120）映射虚拟显示空间上的文件中的至少一个。当通过边界空间中的触摸显示器感测到触摸信号时，控制单元（130）控制用于映射文件的终端的文件处理操作。

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