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51. 发明公开

KR1020160090456A 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：有机发光二极管显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160090456A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：KR1020150010125
申请日：2015-01-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 서일훈 , 김병기 , 김희경 , 신영준 , 정윤모
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3248
摘要： 본발명의일 실시예에따른유기발광표시장치는, 화상을표시하는표시영역과상기표시영역의주변에위치하는주변영역을포함하는기판, 상기기판위의상기표시영역에형성되는박막트랜지스터, 상기표시영역에서상기박막트랜지스터를덮는제1 평탄화막, 상기제1 평탄화막위에형성되어상기박막트랜지스터와연결되는유기발광소자, 상기기판위의상기주변영역에형성되며, 복수의아웃개싱홀(out-gassing hole)이형성되는제2 평탄화막을포함하되, 상기주변영역중 적어도일부영역의상기제2 평탄화막의두께가상기제1 평탄화막의두께보다작을수 있다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的有机发光显示装置包括：基板，包括显示图像的显示区域和位于显示区域周围的周边区域; 形成在所述基板的显示区域上的薄膜晶体管; 覆盖显示区域中的薄膜晶体管的第一平面化膜; 形成在所述第一平坦化膜上以连接到所述薄膜晶体管的有机发光元件; 以及第二平坦化膜，其形成在所述基板的周围区域上，并且形成有多个排气孔。外围区域的局部区域中的第二平坦化膜的厚度可以比第一平坦化膜的厚度薄。

52. 发明公开

KR1020130081927A 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130081927A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020120003039
申请日：2012-01-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정윤모 , 이기용 , 서진욱 , 박종력
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L29/78675
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a production method thereof are provided to improve a transistor property by fixing an intrinsic defect in a polycrystalline silicon layer. CONSTITUTION: A first silicon nitrate film (111) is formed on a substrate. A first silicon oxide film is formed directly on the first nitrate film. The thickness of the first silicon oxide film is thinner than 1000Å. A polycrystalline silicon layer (131) hydrogenated is formed on the first silicon oxide film. A silicon oxide film is formed in a lower part of the first silicon nitrate film.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，通过将本征缺陷固定在多晶硅层中来提高晶体管性能。构成：在基板上形成第一硅酸盐膜（111）。第一氧化硅膜直接形成在第一硝酸盐膜上。第一氧化硅膜的厚度小于1000。在第一氧化硅膜上形成氢化的多晶硅层（131）。在第一硅酸镍膜的下部形成氧化硅膜。

53. 发明公开

KR1020130006795A 결정화 장치, 결정화 방법 및 열처리 시스템 审中-实审
标题翻译：结晶装置，结晶方法和热处理系统
公开(公告)号：KR1020130006795A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110061333
申请日：2011-06-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정민재 , 이기용 , 정윤모 , 이동현 , 이길원
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/26
CPC分类号： C30B28/02 , C30B1/06 , C30B29/06
摘要： PURPOSE: A crystallizing apparatus, a crystallizing method, and a thermal process system are provided to reduce crystallization time and costs by complementing a crystallization curing of an object through one thermal process. CONSTITUTION: A chamber(110) maintains a vacuum condition. An object(5) for crystallization is inputted to or outputted from the chamber. A receiving unit(120) includes a heating unit which heats the object. A thermal processing unit(130) heats the object located on the receiving unit and includes a first heating unit(131) and a second heating unit(132).
摘要翻译：目的：提供结晶装置，结晶方法和热处理系统，以通过一个热处理补充物体的结晶固化来减少结晶时间和成本。构成：室（110）保持真空状态。用于结晶的物体（5）被输入到腔室或从腔室输出。接收单元（120）包括加热物体的加热单元。热处理单元（130）加热位于接收单元上的物体，并包括第一加热单元（131）和第二加热单元（132）。

54. 发明授权

KR101223489B1 기판 가공 장치 有权
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：KR101223489B1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：KR1020100062876
申请日：2010-06-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박병건 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 나흥열 , 양태훈 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 백원봉 , 마이단축이반 , 소병수 , 정재완
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , H01L51/56
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/67309 , H01L21/6732
摘要： 본 발명은 다수의 기판을 동시에 박막을 형성하거나 열처리하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정을 위하여 가공 챔버로 반입되는 보트에 적층된 다수의 기판이 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 다수의 기판을 균일하게 가공할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판을 지지하기 위한 기판 지지대 및 하나 또는 다수의 분사구가 형성된 제 1 가스 배관을 포함하는 기판 홀더; 다수의 기판 홀더가 적층되며, 상기 제 1 가스 배관과 연결되는 제 2 가스 배관을 포함하는 보트; 상기 보트에 적층된 다수의 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 가공 챔버; 상기 보트를 상기 가공 챔버의 내부로 반입 및 반출시키기 위한 이송부; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 제 1 가열 수단; 및 상기 제 2 가스 배관과 연결되는 제 3 가스 배관을 포함하며, 상기 제 2 가스 배관으로 가열 또는 냉각된 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.

55. 发明公开

KR1020120130518A 스퍼터링용 분할 타겟 장치 및 그것을 이용한 스퍼터링 방법 审中-实审
标题翻译：用于溅射的分离目标装置和使用其的溅射方法
公开(公告)号：KR1020120130518A
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020110048503
申请日：2011-05-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정윤모 , 이기용 , 정민재
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/08 , H01J37/3402 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3423
摘要： PURPOSE: A split target device for sputtering and a sputtering method using the same are provided to obtain a display device with uniform brightness by reducing deposition differences on a substrate. CONSTITUTION: A split target device for sputtering(100) comprises a base plate(110) and a plurality of segment targets(120) which are attached in regular rows to the base plate. Gaps(121) between the segment targets are arranged at an angle between a first direction corresponding to the row direction and a second direction perpendicular to the first direction.
摘要翻译：目的：提供一种用于溅射的分割目标器件和使用其的溅射方法，以通过减小衬底上的沉积差异来获得具有均匀亮度的显示器件。构成：用于溅射的分离目标装置（100）包括基板（110）和以规则行附接到基板的多个分段目标（120）。分段目标之间的间隙（121）以对应于行方向的第一方向和垂直于第一方向的第二方向之间的角度布置。

56. 发明公开

KR1020120020941A 다결정 실리콘층의 제조 방법, 상기 다결정 실리콘층 제조 방법을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 有权
标题翻译：聚晶硅层的制造方法，包括其的薄膜晶体管的制造方法，由其制造的薄膜晶体管和包含其的有机发光装置
公开(公告)号：KR1020120020941A
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：KR1020100084892
申请日：2010-08-31
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정윤모 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 박승규 , 손용덕 , 소병수 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 이탁영 , 박종력
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/52
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1218 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/78603 , H01L27/1214 , H01L29/04
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a poly-crystallization silicon layer, a method for manufacturing a thin film transistor including the same, a thin film transistor manufactured by the same, and an organic light emitting apparatus including a thin film transistor are provided to improve the electrical characteristic of a thin film transistor by reducing the dynamic range dispersion of the thin film transistor. CONSTITUTION: A buffer layer(110a) is formed on a substrate. The buffer layer is processed by hydrogen plasma. An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A metal catalytic layer(140) for crystallization is formed on the amorphous silicon layer. The amorphous silicon layer is crystallized to the polycrystalline silicon layer by a thermal process.
摘要翻译：目的：制造多晶硅层的方法，包括该多晶硅硅层的薄膜晶体管的制造方法，由其制造的薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的有机发光装置，以改善通过减小薄膜晶体管的动态范围色散，薄膜晶体管的电特性。构成：在衬底上形成缓冲层（110a）。缓冲层由氢等离子体处理。在缓冲层上形成非晶硅层（120）。在非晶硅层上形成用于结晶的金属催化剂层（140）。非晶硅层通过热处理结晶到多晶硅层。

57. 发明公开

KR1020120002139A 기판 가공 장치 有权
标题翻译：加工基材的装置
公开(公告)号：KR1020120002139A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020100062876
申请日：2010-06-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박병건 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 나흥열 , 양태훈 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 백원봉 , 마이단축이반 , 소병수 , 정재완
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , H01L51/56
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/67309 , H01L21/6732
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly process a plurality of substrates by uniformly heating the substrates and maintaining a set temperature. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus comprises substrate holders(120), a boat(110), a processing chamber(130), a transfer unit(140), a first heating unit(150), and a gas supply unit(160). The substrate holders comprise a substrate support and a first gas pipe(122) with one or more gas jetting holes. The boat, in which the substrate holders are stacked, comprises a second gas pipe(112) connected to the first gas pipe. The processing chamber offers a space for processing the substrates on the boat. The transfer unit carries the boat in and out of the processing chamber. The first heating unit is located outside the processing chamber. The gas supply unit comprises a third gas pipe(161) connected to the second gas pipe and supplies heated or cooled gas to the second gas pipe.
摘要翻译：目的：提供基板处理装置，通过均匀地加热基板并保持设定温度来均匀地处理多个基板。构成：衬底处理设备包括衬底保持器（120），舟皿（110），处理室（130），转移单元（140），第一加热单元（150）和气体供应单元（160）。衬底保持器包括衬底支撑件和具有一个或多个气体喷射孔的第一气体管道（122）。衬底保持器堆叠在其中的船包括连接到第一气体管的第二气体管道（112）。处理室为处理船上的基板提供了空间。转运单元将船进出处理室。第一加热单元位于处理室外。气体供给单元包括连接到第二气体管道的第三气体管道（161），并向第二气体管道提供加热或冷却的气体。

58. 发明公开

KR1020110061284A 소스 가스 공급 유닛 및 이를 구비하는 증착 장치 无效
标题翻译：源气供应单元和具有该气源的沉积装置
公开(公告)号：KR1020110061284A
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR1020090117888
申请日：2009-12-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 양태훈 , 정윤모 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 백원봉 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 정재완
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67098 , H01L21/67242
摘要： PURPOSE: A source gas supply unit and a depositing device including the same are provided to improve the uniformity of an inner temperature in a canister by reducing the temperature difference between the edge and the center of the canister. CONSTITUTION: A canister(110) accepts a source(S). A carrier gas supply unit(130) supplies carrier gas and including a carrier gas storage(131). A mixed gas discharge unit(150) discharges the mixed gas of the evaporated source gas and the carrier gas to the outside. The mixed gas discharge unit includes a mixed gas discharge line(151) and a discharge valve(153) which controls the movement of the discharged mixed gas.
摘要翻译：目的：提供源气体供应单元和包括该源气体供应单元的沉积装置，以通过减小罐的边缘和中心之间的温度差来改善罐内部温度的均匀性。构成：罐（110）接受源（S）。载气供应单元（130）提供载气并且包括载气储存器（131）。混合气体放电单元（150）将蒸发的源气体和载气的混合气体排出到外部。混合气体排出单元包括控制排出的混合气体的运动的混合气体排出管线（151）和排出阀（153）。

59. 发明公开

KR1020100006483A 자장 형성 제어 유니트 및 이를 갖는 마그네트론 스퍼터링장치, 자장 형성 제어 유니트를 사용한 마그네트론스퍼터링 방법 无效
标题翻译：用于控制磁场成形和磁控溅射装置的装置和使用该装置的磁控溅射方法
公开(公告)号：KR1020100006483A
公开(公告)日：2010-01-19
申请号：KR1020080066723
申请日：2008-07-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정윤모 , 이기용 , 정민재 , 나흥열 , 홍종원 , 강유진
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3408 , H01J37/3458 , H01J37/3482
摘要： PURPOSE: A unit for controlling magnetic field forming and a magnetron sputtering apparatus and a magnetron sputtering method using the same are provided to prevent the magnetization of a target after supporting process. CONSTITUTION: A magnetron sputtering apparatus comprises a processing chamber(100), a target(200), a magnetic field forming unit(400), a process control unit(500), and a controller for magnetic field forming unit(600). The magnetic field form unit supplies constant magnetic field to target. The target is formed with a magnetic body. The target is deposited on the substrate. A controller for magnetic field forming unit receives an electrical signal from the outside.
摘要翻译：目的：提供一种用于控制磁场形成的单元和磁控溅射装置以及使用该单元的磁控溅射方法，以防止在支撑过程之后的目标物的磁化。构成：磁控溅射装置包括处理室（100），靶（200），磁场形成单元（400），过程控制单元（500）和磁场形成单元（600）的控制器。磁场形式单元为目标提供恒定的磁场。目标由磁体形成。靶材沉积在基材上。用于磁场形成单元的控制器从外部接收电信号。

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