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51. 发明专利

TWI664481B 液晶顯示裝置、ＥＬ顯示裝置以及其製造方法有权
简体标题：液晶显示设备、ＥＬ显示设备以及其制造方法
公开(公告)号：TWI664481B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106108996
申请日：2012-11-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G02F1/136 , H01L21/786 , H01L21/336

52. 发明专利

TWI652828B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI652828B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106116894
申请日：2013-07-25
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 村山佳右 , MURAYAMA, KEISUKE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28

53. 发明专利

TW201907488A 液晶顯示裝置、ＥＬ顯示裝置以及其製造方法审中-公开
简体标题：液晶显示设备、ＥＬ显示设备以及其制造方法
公开(公告)号：TW201907488A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107138221
申请日：2012-11-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/786 , G02F1/136
摘要：本發明的課題是不增加在具有電晶體的顯示裝置的製程中使用的光掩模個數而提高電晶體的可靠性。在該電晶體中，省略用來形成島狀半導體層的光微影製程及蝕刻製程，不增加光掩模個數而製造島狀半導體層。明確地說，藉由形成閘極電極的製程、形成用來減少蝕刻製程等所造成的損傷的保護層的製程、形成源極電極及汲極電極的製程、形成接觸孔的製程、形成像素電極的製程的五個光微影製程製造液晶顯示裝置。並且本發明的一個方式的液晶顯示裝置具有在形成接觸孔的製程同時形成且用來斷開半導體層的溝槽部分。
简体摘要：本发明的课题是不增加在具有晶体管的显示设备的制程中使用的光掩模个数而提高晶体管的可靠性。在该晶体管中，省略用来形成岛状半导体层的光微影制程及蚀刻制程，不增加光掩模个数而制造岛状半导体层。明确地说，借由形成闸极电极的制程、形成用来减少蚀刻制程等所造成的损伤的保护层的制程、形成源极电极及汲极电极的制程、形成接触孔的制程、形成像素电极的制程的五个光微影制程制造液晶显示设备。并且本发明的一个方式的液晶显示设备具有在形成接触孔的制程同时形成且用来断开半导体层的沟槽部分。

54. 发明专利

TW201904025A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201904025A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107118780
申请日：2010-12-10
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L27/11
摘要：設置第一電晶體，其包括通道形成區域、第一閘極絕緣層、第一閘極電極、及第一源極電極和第一汲極電極；第二電晶體，其包括氧化物半導體層、第二源極電極和第二汲極電極、第二閘極絕緣層、及第二閘極電極；以及一電容器，其包括第二源極電極和第二汲極電極之一、第二閘極絕緣層、及設置成在第二閘極絕緣層上方重疊第二源極電極和第二汲極電極之一的電極。第一閘極電極及第二源極電極和第二汲極電極之一彼此電連接。
简体摘要：设置第一晶体管，其包括信道形成区域、第一闸极绝缘层、第一闸极电极、及第一源极电极和第一汲极电极；第二晶体管，其包括氧化物半导体层、第二源极电极和第二汲极电极、第二闸极绝缘层、及第二闸极电极；以及一电容器，其包括第二源极电极和第二汲极电极之一、第二闸极绝缘层、及设置成在第二闸极绝缘层上方重叠第二源极电极和第二汲极电极之一的电极。第一闸极电极及第二源极电极和第二汲极电极之一彼此电连接。

55. 发明专利

TWI644304B 顯示裝置的驅動電路及具備該驅動電路的顯示裝置有权
简体标题：显示设备的驱动电路及具备该驱动电路的显示设备
公开(公告)号：TWI644304B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW101144214
申请日：2012-11-26
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/30

56. 发明专利

TW201832350A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201832350A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107106013
申请日：2010-11-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
摘要：本發明所揭示的是充作多值記憶體裝置之半導體裝置，包括：記憶體單元，其串聯連接；驅動器電路，其選擇記憶體單元及驅動第二信號線和字元線；驅動器電路，其選擇寫入電位的任一個及將其輸出到第一信號線；讀取電路，其比較位元線的電位與參考電位；以及電位產生電路，其產生該寫入電位和該參考電位。該記憶體單元的其中之一包括：第一電晶體，其連接到該位元線和源極線；第二電晶體，其連接到該第一和第二信號線；以及第三電晶體，其連接到該字元線、位元線、和源極線。該第二電晶體包括氧化物半導體層。該第一電晶體的閘極電極連接到該第二電晶體之源極和汲極電極的其中之一。
简体摘要：本发明所揭示的是充作多值内存设备之半导体设备，包括：内存单元，其串联连接；驱动器电路，其选择内存单元及驱动第二信号线和字符线；驱动器电路，其选择写入电位的任一个及将其输出到第一信号线；读取电路，其比较比特线的电位与参考电位；以及电位产生电路，其产生该写入电位和该参考电位。该内存单元的其中之一包括：第一晶体管，其连接到该比特线和源极线；第二晶体管，其连接到该第一和第二信号线；以及第三晶体管，其连接到该字符线、比特线、和源极线。该第二晶体管包括氧化物半导体层。该第一晶体管的闸极电极连接到该第二晶体管之源极和汲极电极的其中之一。

57. 发明专利

TW201832210A 驅動液晶顯示裝置的方法审中-公开
简体标题：驱动液晶显示设备的方法
公开(公告)号：TW201832210A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106146569
申请日：2010-12-08
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI
IPC分类号： G09G3/36
摘要：液晶顯示裝置包括具備一端子部、一切換電晶體、一驅動電路部、及包含一像素電晶體及複數像素的一像素電路部的一第一基板、具備通過切換電晶體電性連接至端子部的一共用電極之一第二基板、及在一像素電極與共用電極之間的液晶。在將一靜態影像切換至一動態影像的期間中，依序執行下列步驟：一第一步驟，將共同電位供應至共用電極；一第二步驟，將一電源供應電壓供應至驅動電路部；一第三步驟，將一時脈信號供應至驅動電路部；及一第四步驟，將一起始脈衝信號供應至驅動電路部。
简体摘要：液晶显示设备包括具备一端子部、一切换晶体管、一驱动电路部、及包含一像素晶体管及复数像素的一像素电路部的一第一基板、具备通过切换晶体管电性连接至端子部的一共享电极之一第二基板、及在一像素电极与共享电极之间的液晶。在将一静态影像切换至一动态影像的期间中，依序运行下列步骤：一第一步骤，将共同电位供应至共享电极；一第二步骤，将一电源供应电压供应至驱动电路部；一第三步骤，将一时脉信号供应至驱动电路部；及一第四步骤，将一起始脉冲信号供应至驱动电路部。

58. 发明专利

TW201830586A 記憶體裝置及半導體裝置审中-公开
简体标题：内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TW201830586A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107113575
申请日：2011-08-25
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14
摘要：提供一種能夠長時間固持資料的記憶體裝置。記憶體裝置包含記憶元件及電晶體，電晶體用作為切換元件，用以控制記憶元件中的電荷之供應、儲存、及釋出。電晶體包含用以控制臨界電壓之第二閘極電極以及一般閘極電極。此外，由於電晶體的主動層包含氧化物半導體，所以，電晶體的關閉狀態電流相當低。在記憶體裝置中，未藉由高電壓以將電荷注入至絕緣膜圍繞的浮動閘極，而是藉由經過關閉狀態電流相當低的電晶體來控制記憶元件的電荷量，以儲存資料。
简体摘要：提供一种能够长时间固持数据的内存设备。内存设备包含记忆组件及晶体管，晶体管用作为切换组件，用以控制记忆组件中的电荷之供应、存储、及发佈。晶体管包含用以控制临界电压之第二闸极电极以及一般闸极电极。此外，由于晶体管的主动层包含氧化物半导体，所以，晶体管的关闭状态电流相当低。在内存设备中，未借由高电压以将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动闸极，而是借由经过关闭状态电流相当低的晶体管来控制记忆组件的电荷量，以存储数据。

59. 发明专利

TW201824273A 儲存裝置审中-公开
简体标题：存储设备
公开(公告)号：TW201824273A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106142155
申请日：2011-09-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA,JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4193
摘要：所公開的發明的目的之一在於：在儲存裝置中，在確保資料的保持期間的同時，提高單位面積的儲存容量。儲存裝置包括：設置在基板上的驅動電路；以及設置在驅動電路上並被驅動電路驅動的多個儲存單元陣列，其中多個儲存單元陣列的每一個具有多個儲存單元，多個儲存單元的每一個具有第一電晶體，該第一電晶體具有與氧化物半導體層重疊的第一閘極電極；以及電容元件，該電容元件具有源極電極或汲極電極、第一閘極絕緣層以及導電層，並且，多個儲存單元陣列配置為彼此重疊。由此，在儲存裝置中，在確保資料的保持期間的同時，提高單位面積的儲存容量。
简体摘要：所公开的发明的目的之一在于：在存储设备中，在确保数据的保持期间的同时，提高单位面积的存储容量。存储设备包括：设置在基板上的驱动电路；以及设置在驱动电路上并被驱动电路驱动的多个存储单元数组，其中多个存储单元数组的每一个具有多个存储单元，多个存储单元的每一个具有第一晶体管，该第一晶体管具有与氧化物半导体层重叠的第一闸极电极；以及电容组件，该电容组件具有源极电极或汲极电极、第一闸极绝缘层以及导电层，并且，多个存储单元数组配置为彼此重叠。由此，在存储设备中，在确保数据的保持期间的同时，提高单位面积的存储容量。

60. 发明专利

TW201820612A 顯示裝置审中-公开
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TW201820612A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106139959
申请日：2013-11-12
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/52
摘要：本發明提供一種能夠提高可靠性的新穎的顯示裝置。本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：設置在第一佈線與第二佈線之間的絕緣層，其中，絕緣層包括第一絕緣層以及以與第一絕緣層重疊的方式設置的第二絕緣層，絕緣層包括第二絕緣層的一部分被去除的區域，並且，該區域用作保護電路。另外，本發明的一個方式是一種顯示裝置，其中在絕緣層與電晶體所具有的半導體層重疊的區域中包括第一絕緣層及第二絕緣層。另外，本發明的一個方式是一種顯示裝置，其中在將第一佈線與第二佈線直接連接的區域中包括第一絕緣層及第二絕緣層被去除的區域。
简体摘要：本发明提供一种能够提高可靠性的新颖的显示设备。本发明的一个方式是一种显示设备，包括：设置在第一布线与第二布线之间的绝缘层，其中，绝缘层包括第一绝缘层以及以与第一绝缘层重叠的方式设置的第二绝缘层，绝缘层包括第二绝缘层的一部分被去除的区域，并且，该区域用作保护电路。另外，本发明的一个方式是一种显示设备，其中在绝缘层与晶体管所具有的半导体层重叠的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层。另外，本发明的一个方式是一种显示设备，其中在将第一布线与第二布线直接连接的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层被去除的区域。

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