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51. 发明专利

TW201330703A 電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201330703A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW102109679
申请日：2005-09-27
申请人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/3065
摘要：盡可能抑制昂貴的氪氣、氙氣消耗量之同時，亦降低電漿處理時對被處理物造成之損壞。使用稀有氣體對基板進行電漿處理時，使用2種以上不同種類之稀有氣體。稀有氣體中之一種係為廉價之氬氣，其他氣體則為與電子碰撞剖面積較氬氣為大之氪氣及氙氣之任一種，或為氪氣以及氙氣，盡可能於抑制昂貴的氪氣、氙氣消耗量之同時，亦降低電漿處理時對被處理物造成之損壞。
简体摘要：尽可能抑制昂贵的氪气、氙气消耗量之同时，亦降低等离子处理时对被处理物造成之损坏。使用稀有气体对基板进行等离子处理时，使用2种以上不同种类之稀有气体。稀有气体中之一种系为廉价之氩气，其他气体则为与电子碰撞剖面积较氩气为大之氪气及氙气之任一种，或为氪气以及氙气，尽可能于抑制昂贵的氪气、氙气消耗量之同时，亦降低等离子处理时对被处理物造成之损坏。

52. 发明专利

TWI374497B 氣體淋板、電漿處理裝置、及製品之製造方法 SHOWER PLATE, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING A PRODUCT 失效
简体标题：气体淋板、等离子处理设备、及制品之制造方法 SHOWER PLATE, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING A PRODUCT
公开(公告)号：TWI374497B
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：TW093129286
申请日：2004-09-27
申请人：大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：配置在氣體淋板(Shower Plate)上的氣體排出孔的每單位面積的配置數目，隨著遠離氣體淋板的中心而增加，或者氣體排出孔的孔的半徑隨著遠離氣體淋板的中心而增大，藉此來使電漿激勵氣體流均一化，以對被處理基板進行均一的處理。
简体摘要：配置在气体淋板(Shower Plate)上的气体排出孔的每单位面积的配置数目，随着远离气体淋板的中心而增加，或者气体排出孔的孔的半径随着远离气体淋板的中心而增大，借此来使等离子激励气体流均一化，以对被处理基板进行均一的处理。

53. 发明专利

TWI343592B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI343592B
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW093115953
申请日：2004-06-03
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/28167 , H01L21/823857 , H01L29/66787 , H01L29/785
摘要：依據本發明，於具有複數個結晶面之立體構造之矽基板表面上，使用電漿形成閘極絕緣膜。電漿閘極絕緣膜於複數個結晶面中亦不會增加界面單位，於立體構造之角部亦具有均勻膜厚。藉由利用電漿形成高品質之閘極絕緣膜而得到良好特性之半導體裝置。
简体摘要：依据本发明，于具有复数个结晶面之三維构造之硅基板表面上，使用等离子形成闸极绝缘膜。等离子闸极绝缘膜于复数个结晶面中亦不会增加界面单位，于三維构造之角部亦具有均匀膜厚。借由利用等离子形成高品质之闸极绝缘膜而得到良好特性之半导体设备。

54. 发明专利

TWI333236B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI333236B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW092133823
申请日：2003-12-02
申请人：大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 寺本章伸 , 赤堀浩史 , 二井啟一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3185 , H01L21/30604 , H01L21/31654 , H01L21/318 , H01L29/6659
摘要：在矽表面上所形成、具有實質(110)晶面方向的半導體裝置中，其矽表面係被平坦化至表面算術平均偏差Ra不大於0.15nm的程度、且較佳的情況是0.09nm，以便製造出具有高遷移率的n-MOS電晶體。這種經過平坦化的矽表面係在充滿氧自由基的空氣中、藉由自犧牲氧化物膜之沈積製程與自犧牲氧化物膜之移除製程的重複進行，或在經過除氣之H2O或低OH密度的空氣中、藉由矽表面的清洗，或者藉由氫或重氫對矽表面進行強烈的終止反應，而加以獲得。該自犧牲氧化物膜之沈積製程可藉由等向氧化法來實行。
简体摘要：在硅表面上所形成、具有实质(110)晶面方向的半导体设备中，其硅表面系被平坦化至表面算术平均偏差Ra不大于0.15nm的程度、且较佳的情况是0.09nm，以便制造出具有高迁移率的n-MOS晶体管。这种经过平坦化的硅表面系在充满氧自由基的空气中、借由自牺牲氧化物膜之沉积制程与自牺牲氧化物膜之移除制程的重复进行，或在经过除气之H2O或低OH密度的空气中、借由硅表面的清洗，或者借由氢或重氢对硅表面进行强烈的终止反应，而加以获得。该自牺牲氧化物膜之沉积制程可借由等向氧化法来实行。

55. 发明专利

TW563183B 電漿製程裝置失效
简体标题：等离子制程设备
公开(公告)号：TW563183B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW090106495
申请日：2001-03-20
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：鐘築律夫 , 田寺孝光 , 山本達志 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4401 , C23C16/511
摘要：一種能夠在不需要的位置防止電漿產生的電漿製程裝置，其可達到穩定地執行均勻電漿製程。該電漿製程裝置包含一處理室(1,2)，其具有一內壁面；一微波輻射構件(5)，其具有一壁面及面對該處理室之內壁面的其它壁面，並可配置成在該其它壁面與一部份該內壁面之間形成一空間，並在該處理室當中傳遞及輻射微波；以及一反應氣體供應構件(14,15,21,22)，其包含一反應氣體通道(15)，其具有形成在該微波輻射構件的其它壁面及該內壁面之間的一空間；及配置在一區域上的一微波傳送防止構件(16)，其面對著該微波輻射構件的其它壁面之反應氣體供應通道。
简体摘要：一种能够在不需要的位置防止等离子产生的等离子制程设备，其可达到稳定地运行均匀等离子制程。该等离子制程设备包含一处理室(1,2)，其具有一内壁面；一微波辐射构件(5)，其具有一壁面及面对该处理室之内壁面的其它壁面，并可配置成在该其它壁面与一部份该内壁面之间形成一空间，并在该处理室当中传递及辐射微波；以及一反应气体供应构件(14,15,21,22)，其包含一反应气体信道(15)，其具有形成在该微波辐射构件的其它壁面及该内壁面之间的一空间；及配置在一区域上的一微波发送防止构件(16)，其面对着该微波辐射构件的其它壁面之反应气体供应信道。

56. 实用新型

TW479773U 流體控制閥及流體供給,排氣裝置失效
简体标题：流体控制阀及流体供给,排气设备
公开(公告)号：TW479773U
公开(公告)日：2002-03-11
申请号：TW089222640
申请日：1997-11-28
申请人：大見忠弘 , 高橋研 , 藤金股份有限公司 , 東北特殊鋼股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 高橋研 , 山路道雄 , 谷川毅 , 池田信一 , 土肥亮介 , 西野功二
IPC分类号： F16K
CPC分类号： F16K31/082 , F16K7/14 , F16K31/0655 , F16K31/0672 , Y10T137/8242
摘要：本創作提供一種流體控制閥及流體供給．排氣裝置，可控制壓力約10kg/cm2之流體，閥之響應時間係數msec級，閥也可小型化，用多個閥構築時氣體之逆流少。
本創作之流體控制閥係關於藉著使用驅動部開閉閥座和閥座壓件之間，控制在閥本體中移動之流體之流體控制閥，其特徵在於該驅動部由經由該閥座壓件及閥桿施壓之桿狀軸和固定於該桿狀軸之周圍之零件a構成，該零件a係磁性材料，在和該軸之間有空間部並設於和該軸平行之位置之線圈利用電磁感應使該零件a上下移動，而且也利用彈簧力開閉閥座和閥座壓件之間。
简体摘要：本创作提供一种流体控制阀及流体供给．排气设备，可控制压力约10kg/cm2之流体，阀之响应时间系数msec级，阀也可小型化，用多个阀构筑时气体之逆流少。本创作之流体控制阀系关于借着使用驱动部开闭阀座和阀座压件之间，控制在阀本体中移动之流体之流体控制阀，其特征在于该驱动部由经由该阀座压件及阀杆施压之杆状轴和固定于该杆状轴之周围之零件a构成，该零件a系磁性材料，在和该轴之间有空间部并设于和该轴平行之位置之线圈利用电磁感应使该零件a上下移动，而且也利用弹簧力开闭阀座和阀座压件之间。

57. 发明专利

TW473456B 稀有氣體之回收方法及裝置失效
简体标题：稀有气体之回收方法及设备
公开(公告)号：TW473456B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW087119857
申请日：1998-12-01
申请人：日本氧氣股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 石原良夫
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B23/001 , B01D53/00 , B01D2256/18 , B01D2258/0216 , B01J3/00 , C23C16/4412 , Y02C20/30
摘要：本發明係關於一種稀有氣體之回收方法及裝置；也就是說，本發明係關於一種能夠相當有效率地回收著該由稀有氣體使用設備而被排放出之稀有氣體，並且，還能夠相當穩定地供應著該所規定純度之稀有氣體至前述之稀有氣體使用設備中，同時，也可以減低稀有氣體之消耗量之稀有氣體之回收方法及裝置。該稀有氣體之回收方法及裝置，係在回收著該由減壓之狀態下而進行著運轉之稀有氣體使用設備之所排放出之排氣中之稀有氣體之時，於減壓之狀態下，切換著所謂將前述之排氣導入至回收系統中之導入切換操作、以及所謂將前述之排氣排放出至排氣系統中之排放出切換操作，同時，係配合著前述之排氣中之所包含之不純物成分之濃度和稀有氣體使用設備之運轉狀態，而進行著前述之導入及排放出之切換操作。
简体摘要：本发明系关于一种稀有气体之回收方法及设备；也就是说，本发明系关于一种能够相当有效率地回收着该由稀有气体使用设备而被排放出之稀有气体，并且，还能够相当稳定地供应着该所规定纯度之稀有气体至前述之稀有气体使用设备中，同时，也可以减低稀有气体之消耗量之稀有气体之回收方法及设备。该稀有气体之回收方法及设备，系在回收着该由减压之状态下而进行着运转之稀有气体使用设备之所排放出之排气中之稀有气体之时，于减压之状态下，切换着所谓将前述之排气导入至回收系统中之导入切换操作、以及所谓将前述之排气排放出至排气系统中之排放出切换操作，同时，系配合着前述之排气中之所包含之不纯物成分之浓度和稀有气体使用设备之运转状态，而进行着前述之导入及排放出之切换操作。

58. 发明专利

TW360919B 清洗液及清洗方法失效
公开(公告)号：TW360919B
公开(公告)日：1999-06-11
申请号：TW086100543
申请日：1997-01-17
申请人：大見忠弘 , 烏魯特拉克寧德諾羅濟開發研究所股份有限公司 , 普雷德古股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 原田康之 , 都田昌之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C11D3/3947 , A61B90/70 , B08B3/12 , C11D11/0047 , C11D11/007
摘要：本發明乃提供(1)於室溫下不必進行加熱也能處理(2)藥品、水的使用量很少(3)不需要特別的裝置，且(4)不需要使用特別的藥品之清洗液及清洗方法。
本發明之清洗液的特徵在於純水中氧含量在20ppb～100ppb，氮含量在2ppb以上。
本發明之清洗方法，其特徵在於純水中將氧含量在20ppb～100ppb，含氮2ppb～15ppb的清洗液，使用30kHz以上的超音波清洗被洗淨物。另外其特徵在於含OH-電解離子水中，將含有氧含量20ppb～100ppb之清洗液以30kHz以上的超音波，清洗被洗淨物。
简体摘要：本发明乃提供(1)于室温下不必进行加热也能处理(2)药品、水的使用量很少(3)不需要特别的设备，且(4)不需要使用特别的药品之清洗液及清洗方法。本发明之清洗液的特征在于纯水中氧含量在20ppb～100ppb，氮含量在2ppb以上。本发明之清洗方法，其特征在于纯水中将氧含量在20ppb～100ppb，含氮2ppb～15ppb的清洗液，使用30kHz以上的超音波清洗被洗净物。另外其特征在于含OH-电解离子水中，将含有氧含量20ppb～100ppb之清洗液以30kHz以上的超音波，清洗被洗净物。

59. 发明专利

TW208086B 半導體裝置(二) 失效
简体标题：半导体设备(二)
公开(公告)号：TW208086B
公开(公告)日：1993-06-21
申请号：TW080106031
申请日：1991-08-01
申请人：大見忠弘 , 柴田直
发明人：大見忠弘 , 柴田直
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G06F7/5013 , G06F7/49 , G06F2207/482 , G06F2207/4826 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C11/5621 , G11C16/0408 , G11C27/005 , G11C2211/5611 , H01L29/7881 , H03K19/0944
摘要：本發明之目的係能夠使源極隨耦器電路之常態的電力消耗幾乎為零，且可高速動作，同時完全不產生電壓增益的降低。
本發明之半導體裝置具有多數的ｎ道道MOS電晶體及ｐ通道MOS電晶體；其特徵在於：將第一ｎ通道MOS電晶體的源極及第一ｐ通道MOS型電晶體的源極作電性連接，且將該第一ｎ通道MOS型電晶體的閘電極及該第一ｐ通道MOS電晶體的閘電極作電性連接，同時使該第一ｎ通道MOS電晶體的汲源與該第一ｐ通道MOS電晶體的汲極相較為高電位。
简体摘要：本发明之目的系能够使源极随耦器电路之常态的电力消耗几乎为零，且可高速动作，同时完全不产生电压增益的降低。本发明之半导体设备具有多数的ｎ道道MOS晶体管及ｐ信道MOS晶体管；其特征在于：将第一ｎ信道MOS晶体管的源极及第一ｐ信道MOS型晶体管的源极作电性连接，且将该第一ｎ信道MOS型晶体管的闸电极及该第一ｐ信道MOS晶体管的闸电极作电性连接，同时使该第一ｎ信道MOS晶体管的汲源与该第一ｐ信道MOS晶体管的汲极相较为高电位。

60. 发明专利

TWI380450B 顯示裝置等電子裝置之製造裝置、製造方法、及顯示裝置等之電子裝置 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE SUCH AS A DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE SUCH AS A DISPLAY DEVICE 失效
简体标题：显示设备等电子设备之制造设备、制造方法、及显示设备等之电子设备 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE SUCH AS A DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE SUCH AS A DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TWI380450B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW094132277
申请日：2005-09-19
申请人：大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 森本明大 , 加藤丈佳
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之目的係藉由在電子裝置製造時所使用之加熱處理裝置中的環境氣體，找出所製造電子裝置的特性會受不良影響之處，再減輕該不良影響。為達成此目的，需將加熱處理裝置內表面用氧化物鈍態膜包覆，同時將該內表面之表面粗糙度以中心平均粗糙度Ra訂為1μm以下。如此加熱處理裝置中，在進行熱硬化性樹脂之硬化處理時，可藉由熱硬化性樹脂之分解、離解等來減輕熱硬化性樹脂之惡化。
简体摘要：本发明之目的系借由在电子设备制造时所使用之加热处理设备中的环境气体，找出所制造电子设备的特性会受不良影响之处，再减轻该不良影响。为达成此目的，需将加热处理设备内表面用氧化物钝态膜包覆，同时将该内表面之表面粗糙度以中心平均粗糙度Ra订为1μm以下。如此加热处理设备中，在进行热硬化性树脂之硬化处理时，可借由热硬化性树脂之分解、离解等来减轻热硬化性树脂之恶化。

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