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51. 发明申请

WO2020212590A1 MEMORY-ASSISTED RADIO FREQUENCY BEAM TRAINING FOR MIMO CHANNELS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020212590A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/EP2020/060894
申请日：2020-04-17
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： TIWARI, Krishan Kumar
IPC分类号： H04B7/06 , H04B7/08
摘要： The present invention regards selecting beams (T1, …, T9; R1, R2, R3) in a multiple input multiple output (MIMO) system. The MIMO system (100) includes multiple transmitters (26) and multiple receivers (28) for providing first beams (R1, R2, R3) and second beams (T1, …, T9). For each of the beams (T1, …, T9; R1, R2, R3) a probability for establishing a 5 communication link (30) based on beam data including statistically analysed history data generated by operating the MIMO system (100) is provided. First beams (R1, R2, R3) and second beams (T1, …, T9) are selected based on their probability for establishing a communication link (30) in an iterative process until a communication link (30) is established between a selected first beam (R2) and a selected second beam (T5). This allows providing a method and radio frequency (RF) beamforming system (100) with reduced training time and thus less power consumption.

52. 发明申请

WO2019122377A1 OUTPUT COMMON MODE VOLTAGE REGULATED VARIABLE GAIN AMPLIFIER 审中-公开
公开(公告)号：WO2019122377A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/EP2018/086694
申请日：2018-12-21
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： EISSA, Mohamed , KISSINGER, Dietmar , KO, Minsu
IPC分类号： H03G1/00 , H03F3/45 , H03F1/48 , H03F3/195 , H03F3/08
CPC分类号： H03G1/0023 , H03F1/486 , H03F3/087 , H03F3/195 , H03F3/45089 , H03F3/45475 , H03F3/45511 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2203/45528 , H03G1/0029
摘要： A variable gain amplifier for amplifying a differential pair of input voltage signals, comprising a control input for receiving a differential pair of gain control voltage signals, a differential signal input for receiving a differential pair of input voltage signals, a current commuting stage receiving the pair of input voltage signals and the gain control voltage, and comprising a pair of cascode circuits for providing a differential pair of current components of respective current amounts that depend on the respective input voltage signal and on the received gain control voltage, a differential load stage receiving the current components and having respective resistive loads of a respective load resistance amount for generating a differential pair of output voltage signals having respective output voltage amounts that depend on the respective current amounts and on the load resistance amounts and a differential signal output having respective differential signal output nodes for providing the differential pair of output voltage signals, wherein the variable gain amplifier further comprises a common-mode bias servo stage that receives a reference voltage of a reference voltage amount and the differential pair of output voltage signals, and that comprises a pair of closed loop differential amplifiers, each configured to generate a respective DC bias voltage of a DC bias voltage amount depending on a difference between the respective output voltage amount and the reference voltage amount, and each feeding the respective generated DC bias voltage back to the respective differential signal output node.

53. 发明申请

WO2016113412A1 ELEKTRISCHER SCHALTKREIS MIT STRAHLUNGSSCHUTZ UND BETRIEBSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：电路辐射防护和操作方法
公开(公告)号：WO2016113412A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/EP2016/050818
申请日：2016-01-15
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： SCHOOF, Gunter
IPC分类号： H03K19/003
CPC分类号： H03K19/0033 , H03K3/0375
摘要： Die Erfindung betrifft einen elektrischen Schaltkreis, mitzwei redundanten Master-SlaveSpeichern, die jeweils ein Master-Speicherelement und ein Slave-Speicherelement aufweisen,einem Signaleingang, der mit einem Eingang eines ersten der MasterSpeicherelemente verbunden und zum Anschluss an eine kombinatorische Logikschaltung bestimmt ist,einem Ausgangsauswahlelement,das eingangsseitig jeweils mit einem Ausgang der Slave-Speicherelemente verbunden ist,zwei Zwischenauswahlelementen, die eingangsseitig jeweils mit einem Ausgang beider Master-Speicherelemente und ausgangsseitig mit verschiedenen der Slave-Speicherelemente verbunden sind. Erfindungsgemäß sind an dem elektrischen Schaltkreis ein Multiplexer und ein Eingangsspeicherelement vorgesehen, die eingangsseitig mit dem Signaleingang verbunden sind. Der Multiplexer ist eingangsseitig außerdem mit einem Ausgang des Eingangsspeicherelements und ausgangsseitig mit einem Eingang eines zweiten der Master- Speicherelemente verbunden. Der Schaltkreis ist derart ausgebildet, dass dem MasterSlave-Speicherund dem Eingangsspeicherelement ein Speichertaktsignal mit einer gemeinsamen Speichertaktfrequenz zuführbar unddem Multiplexer ein Umschalttaktsignal mit einer Umschalttaktfrequenz zum eingangsseitigen Umschalten des Multiplexers zuführbarist.
摘要翻译：本发明涉及一种电电路，其具有两个冗余主从存储器，每一个都具有一个主存储元件和从存储元件，其被连接到第一主存储元件的输入端和用于连接到一个组合逻辑电路，一个输出选择器元件的信号输入，其输入连接到从存储器元件的输出，在输入侧上的两个中间选择元件的每个连接到两个主存储元件的输出和在输出侧与各个从属存储元件。根据本发明，多路复用器和设置在该电路上的输入存储元件的输入侧连接到所述信号输入端。多路复用器输入侧也连接到主存储元件中的第二个的输入到输入存储元件和一个输出端输出。该电路被设计成使得所述主存储器和从zuführbarist输入存储器元件是具有提供给公共存储器复用器以及所述与Umschalttaktfrequenz一个Umschalttaktsignal到多路复用器的输入侧切换的时钟频率的存储器时钟信号。

54. 发明申请

WO2016071523A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR MULTIPLIKATION ZUR ERSCHWERUNG VON SEITENKANALANGRIFFEN 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR乘法边信道攻击的复杂化
公开(公告)号：WO2016071523A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075993
申请日：2015-11-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： DYKA, Zoya , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： G06F7/53 , H04L9/00
CPC分类号： G06F7/5324 , G06F2207/7252 , G06F2207/7257 , H04L9/003 , H04L2209/08
摘要： Es wird eine Vorrichtung zur Multiplikation zweier Bitfolgen beschrieben. Eine Steuereinheit wählt aus einer Vielzahl paralleler Multiplikationseinheiten in Abhängigkeit von einem Zufallssignal genau eine Multiplikationseinheit aus und aktiviert diese. Eine von allen Multiplikationseinheiten gemeinsam genutzte Teilmultipliziereinheit empfängt und multipliziert von der jeweils aktivierten Multiplikationseinheit gebildete Operanden miteinander. Jede der Multiplikationseinheiten implementiert eine andere Multiplikationsmethode zur Durchführung einer Multiplikation und weist dafür eine entsprechend der implementierten Multiplikationsmethode ausgebildete Auswahleinheit und eine entsprechend der implementierten Multiplikationsmethode ausgebildete Akkumulationseinheit auf. Die jeweilige Auswahleinheit wählt Schritt für Schritt Segmente der zu multiplizierenden Bitfolgen nach einem der jeweiligen Multiplikationsmethode angepassten Auswahlplan aus, bildet aus einem oder mehreren Segmenten Operanden und gibt sie an die Teilmultipliziereinheit aus. Die jeweilige Akkumulationseinheit empfängt von der Teilmultipliziereinheit ausgegebene Teilprodukte Schritt für Schritt, akkumuliert sie nach einem entsprechend der implementierten Multiplikationsmethode angepassten, zum Auswahlplan passenden Akkumulationsplan und gibt nach Abschluss der Akkumulation das so ermittelte Produkt der Bitfolgen aus.
摘要翻译：它是用于描述的两个比特序列中的乘法装置。控制单元选择在响应多个平行的乘法单元的一个随机信号正好一个乘法器单元并激活它们。由所有乘法单元Teilmultipliziereinheit接收并乘以操作符的由彼此分别激活乘法单元形成的共享。每个乘法单元的实现用于执行乘法另一乘法方法并将其分配给训练相应实现的乘法方法选择单元，并且相应地执行乘法方法训练累积单元。由比特序列的步骤的段相应的选择单元步骤，通过改编自选择计划相应乘法方法中的一个相乘，形成一个或多个段的操作数和将其输出到Teilmultipliziereinheit。各个累积单元从Teilmultipliziereinheit输出部分乘积步步接收，它累积由适于选择计划匹配累积计划的实现的方法的相应的乘法和，如从确定该位序列的产物的积累完成之后。

55. 发明申请

WO2016050242A1 PHOTONISCH INTEGRIERTER CHIP, OPTISCHES BAUELEMENT MIT PHOTONISCH INTEGRIERTEM CHIP UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光子集成芯片，具有用于集成光子芯片和方法光学元件及其
公开(公告)号：WO2016050242A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/DE2015/200463
申请日：2015-09-25
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN , IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： RHEE, Hanjo , HENNIGES, Marvin , MEISTER, Stefan , THEISS, Christoph , SELICKE, David , STOLAREK, David , ZIMMERMANN, Lars , RICHTER, Harald H.
IPC分类号： G02B6/124
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/136 , G02B6/42 , G02B6/4206 , G02B2006/12097 , G02B2006/12107
摘要： Die Erfindung bezieht sich unter anderem auf einen photonisch integrierten Chip (2) mit einem Substrat (20), einer Mehrzahl an auf einer Oberseite (21) des Substrats (20) angeordneten Materialschichten, einem optischen Wellenleiter, der in einer oder mehreren wellenführenden Materialschichten des Chips (2) integriert ist, und einem in dem optischen Wellenleiter ausgebildeten Gitterkoppler (60), der eine Strahlumlenkung von in dem Wellenleiter geführter Strahlung in Richtung aus der Schichtebene der wellenführenden Materialschicht oder der wellenführenden Materialschichten heraus oder eine Strahlumlenkung von in den Wellenleiter einzukoppelnder Strahlung in Richtung in die Schichtebene der wellenführenden Materialschicht oder der wellenführenden Materialschichten hinein bewirkt. Erfindungsgemäß ist bezüglich des Chips vorgesehen, dass in einer oberhalb oder unterhalb des optischen Gitterkopplers (60) befindlichen Materialschicht des Chips (2) oder in mehreren oberhalb oder unterhalb des optischen Gitterkopplers (60) befindlichen Materialschichten oder auf der Rückseite des Substrats (20) eine optische Beugungs- und Brechungsstruktur (100, 100a) integriert ist, die eine Strahlformung der Strahlung vor Einkopplung in den Wellenleiter oder nach dem Auskoppeln aus dem Wellenleiter vornimmt.
摘要翻译：本发明涉及除其他事项外的光子集成芯片（2），其具有基片（20），多个上材料的基板（20）的层的上表面（21），在所述材料的一个或多个波传导层的光波导芯片被集成（2），和在所述光学波导光栅（60），一个形成具有在材料离开的波导电层材料的导波层或或einzukoppelnder的光束偏转到波导辐射的层平面的方向上的波导辐射引导的光束偏转在材料中的波的导电层材料的导波层或层平面的方向的效果。根据芯片的本发明，提供相对于该包含在上方或下方的光栅耦合器（60）的材料（2）或多个以上或以下的光栅耦合器上的芯片的层（60），其设置的材料或在所述基板（20）上的背面层光学衍射和折射结构（100，100A）被集成，这使得辐射束整形耦合到波导之前，或耦合出波导的后。

56. 发明申请

WO2015055669A1 AUFWECKEMPFÄNGERSCHALTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2015055669A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/EP2014/072041
申请日：2014-10-14
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： METHFESSEL, Michael , KRAEMER, Rolf
IPC分类号： H04W52/02
CPC分类号： H04W52/0229 , Y02D70/166
摘要： Aufweckempfängerschaltung, mit einem Energiespeicher in Form eines SAW- Resonators, der eingangsseitig über einen Schalttransistor mit einer Antenne verbindbar ist, auf deren Antennenfrequenz seine Resonatorfrequenz abgestimmt ist, wobei der Schalttransistor ausgebildet und angeordnet ist, über ein ihm zuführbares Taktsignal, das pro Taktperiode eine Ladephase und eine Entladephase definiert, in der Ladephase den SAW-Resonator mit der Antenne zu verbinden und in der Entladephase den SAW- Resonator von der Antenne zu trennen, und mit einem mit dem SAW-Resonator gekoppelten und zu ihm parallelgeschalteten Ausgangszweig, der einen auf die Resonatorfrequenz des SAW-Resonators abgestimmten Parallelschwingkreis bildet und über dem in der Entladephase ein Aufwecksignal abgreifbar ist.
摘要翻译： Aufweckempfängerschaltung，在一个SAW谐振器的形式，其输入端通过开关晶体管连接与所述天线频率的天线他的谐振器频率被调谐，其中，所述开关晶体管被形成并布置在zuführbares每时钟周期一个充电阶段他时钟信号中的能量存储和定义为连接所述充电阶段放电阶段中，SAW谐振器连接到天线，并在放电阶段天线的SAW谐振器中分离，并具有将其输出分支一个耦合到SAW谐振器和并联的输出，则的SAW谐振器的谐振器频率调谐并联谐振电路的形式，并且一个唤醒信号可以在放电阶段被拾取脱过。

57. 发明申请

WO2015039926A1 VERFAHREN ZUR AUTOMATISCHEN ANTENNENAUSRICHTUNG UND SENDELEISTUNGSREGULIERUNG UND RICHTFUNKSYSTEM 审中-公开
标题翻译：及程序自动天线对准发送功率控制无线电中继系统
公开(公告)号：WO2015039926A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/EP2014/069197
申请日：2014-09-09
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： PETRI, Markus , EHRIG, Marcus
IPC分类号： H01Q1/12
CPC分类号： H01Q1/1257
摘要： Verfahren zur automatischen Ausrichtung von Antennen von Stationen einer Richtfunkstrecke, wobei eine Station als Master und mindestens eine andere Station als Slave konfiguriert ist und bei dem in einer ersten Phase der Master und der Slave eine Bestimmung einer wechselseitigen Grobausrichtung zum Signalaustausch durchführen und wobei in einer zweiten Phase der Master je eine Steuerungsstrahlrichtung des Masters und des Slaves bestimmt und dem Slave dessen Slave-Steuerungsstrahlrichtung vorgibt. Anschließend gibt über eine Anzahl von Iterationen jeweils der Master eine neue Slave-Strahlrichtung und eine Verweilzeitfür den Slave vor. Der Master sendet anschließend Suchsignale in eine vorbestimmte Anzahl seiner Master-Strahlrichtungenohne eine Wartezeit, der Slave führt während der Verweilzeit eine Signalqualitätsparameterbestimmung für jedes empfangene Signal durch und speichert deren Ergebnisse. Nach dem Ablauf der Verweilzeit richten sich beide Stationen in die jeweilige Steuerungsstrahlrichtung aus, der Slave übermittelt Signalqualitätsparameterbestimmungsergebnisse und eine optimale Ausrichtung der Antennen von Master und Slave wird bestimmt und durchgeführt.
摘要翻译：一种用于自动对准的无线电链路的站的天线，其中一个站作为主站和至少一个其它站被配置为从属和在该方法中在主站和从站，用于信号交换的相互粗对准的判定的第一阶段进行，并且在第二所述主的相位曾经确定主机和从机的控制波束方向，并指定从控制波束方向从机。然后一个新的从站的波束方向和Verweilzeitfür设置在多个每个主的迭代从站。然后主机发送在其主波束方向的预定数量的搜索信号，而不等待时间，用于在所述的停留时间每个接收信号的从执行信号质量参数确定，并将结果存储它们。的停留时间期满后，两个站中的各控制波束方向对齐时，从接收到的信号质量参数确定结果，主设备和从设备的天线的最优取向被确定并执行。

58. 发明申请

WO2014198944A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON NANOSPITZEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置的制备纳米TIPS
公开(公告)号：WO2014198944A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/EP2014/062462
申请日：2014-06-13
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MEHR, Wolfgang , WOLFF, André
IPC分类号： H01J37/073
CPC分类号： C23F4/00 , B81C1/00111 , C23C16/50 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01J2201/30411 , H01J2209/0226 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： Verfahren zur Herstellung von mindestens einer Nanospitze aus einem Spitzenmaterial, umfassend das Bereitstellen eines Substrates (210), das aus dem Spitzenmaterial besteht oder dieses in Form einer Beschichtung aufweist, das Herstellen einer Maske aus einem Maskenmaterial (220), wobei das Maskenmaterial so gewählt ist, dass in einem vorbestimmten reaktiven lonenatzprozess das Maskenmaterial mit einer geringeren Ätzrate entfernt wird als das Spitzenmaterial und das Durchführen des reaktiven lonenätzprozesses in einer Ätzkammer, wobei Maskenmaterials zusätzlich derart ausgewählt wird, dass beim reaktiven lonenätzprozess aus dem Maskenmaterial eine gasförmige Komponente (230) freigesetzt wird, die beim reaktiven lonenätzprozess aus dem Spitzenmaterial nicht freigesetzt wird und wobei das Verfahren weiterhin die Schritte Detektieren der gasförmigen Komponente während der Durchführung des lonenätzprozesses, wiederholtes Ermitteln während des lonenätzprozesses, ob eine Menge der gasförmigen Komponente in der Ätzkammer einen vorbestimmten unteren Schwellwert erreicht, und sobald der untere Schwellwert erreicht ist: Stoppen des reaktiven lonenätzprozesses, umfasst.
摘要翻译：一种用于至少产生一个顶材料的纳米尖端，其包括：提供衬底（210），它由尖端的材料制成，或该具有涂层的形式，制备由掩模材料（220），的掩模，其中所述掩模材料被选择，以便处理的是，在预定的反应性lonenatzprozess掩模材料被以较慢的蚀刻速度比所述顶部材料取出，并在蚀刻室，其中，所述掩模材料的反应离子蚀刻的气体成分时的掩模材料被进一步选择，使得进行所述反应性lonenätzprozesses（230）被释放未在反应性离子蚀刻工艺从尖端材料释放，并且其中所述方法还包括lonenätzprozesses的执行期间检测所述气态组分，lonenätzprozesses期间反复确定是否量的步骤气体成分达到在蚀刻室的预定下阈值，并且当达到所述下阈值时：停止所述反应性lonenätzprozesses包括。

59. 发明申请

WO2013087124A1 DIGITAL POLAR MODULATOR FOR A SWITCH MODE RF POWER AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：数字极性调制器，用于开关模式RF功率放大器
公开(公告)号：WO2013087124A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/EP2011/073118
申请日：2011-12-16
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , ETRI ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE , OSTROVSKYY, Pylyp , SCHEYTT, Johann Christoph , JUNG, Jae Ho , PARK, Bong Hyuk , LEE, Sung Jun
发明人： OSTROVSKYY, Pylyp , SCHEYTT, Johann Christoph , JUNG, Jae Ho , PARK, Bong Hyuk , LEE, Sung Jun
IPC分类号： H03F3/217
CPC分类号： H04L27/367 , H03F3/2175 , H03M3/404 , H04L25/4927
摘要： A digital polar modulator (DPM) for transforming a baseband signal into a modulated digital modulator output signal comprises an input unit and two low-pass delta-sigma modulators, a first one being connected downstream from the first input part and configured to provide at its output a first pulse train in dependence on an amplitude- modulating baseband signal component, and a second one being connected downstream from the second input part and configured to provide at its output a multilevel quantized signal in dependence on a phase modulating baseband signal component; a multiphase generator, which is configured to provide a set of square-wave carrier signals having a common carrier frequency and exhibiting discrete phase shifts with respect to each other; a multiplexer, which is configured to provide a multiplexer output signal that is formed by switching, in dependence on a signal received at a select input as a function of time, between selected ones of the carrier signals; and a combiner unit.
摘要翻译：用于将基带信号变换为调制数字调制器输出信号的数字极调制器（DPM）包括输入单元和两个低通Δ-Σ调制器，第一个调制器连接在第一输入部分的下游，根据幅度调制基带信号分量输出第一脉冲序列，第二脉冲序列连接在第二输入部分的下游，并且被配置为根据相位调制基带信号分量在其输出端提供多级量化信号; 多相发生器，其被配置为提供具有相同载波频率并且相对于彼此呈现离散相移的一组方波载波信号; 多路复用器，其被配置为提供多路复用器输出信号，所述多路复用器输出信号通过根据在选择输入端接收的信号作为时间的函数在所选择的载波信号之间进行切换而形成; 和组合器单元。

60. 发明申请

WO2013079688A1 HETERO-SUBSTRAT ZUR HERSTELLUNG VON INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN MIT OPTISCHEN, OPTO-ELEKTRONISCHEN UND ELEKTRONISCHEN KOMPONENTEN 审中-公开
标题翻译：异质基板制造具有光学，亚光电子和电子元器件集成电路
公开(公告)号：WO2013079688A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012/074141
申请日：2012-11-30
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , ZIMMERMANN, Lars , RICHTER, Harald , YAMAMOTO, Yuji
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02532 , H01L21/76262 , H01L21/84 , H01L27/1207
摘要： Hetero-Substrat, mit einer Vielzahl darin enthaltener erster Gebiete, die von einer Substrat-Oberfläche ausgehend, in einer vertikalen Richtung bezüglich des Hetero-Substrats eine SOI-Struktur aufweisen, und mit einer Vielzahl zweiter Gebiete, die in zur vertikalen Richtung senkrechten, lateralen Richtungen jeweils den ersten Gebieten mit einem Abstand benachbart sind und die in der vertikalen Richtung, von der Substrat-Oberfläche ausgehend, bis in unmittelbare Nähe der Substrat-Rückseite durchgehend aus einkristallinem Silizium gebildet sind.
摘要翻译：包含在第一区域，其显示出在基材的表面，相对于所述异质衬底，SOI结构开始在垂直方向上的各种异质基板，和多个第二区域，在垂直方向上的垂直，横向方向对应于所述第一区域相邻于一个间距和在垂直方向上，在此基础上在衬底表面的单晶硅的连续形成，到衬底背面的附近。

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