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51. 发明授权

KR1019950005476B1 포토리지스트를 이용한 반도체 소자 특성 개선 방법 失效
标题翻译：使用光刻胶的半导体的特性改进方法
公开(公告)号：KR1019950005476B1
公开(公告)日：1995-05-24
申请号：KR1019920016714
申请日：1992-09-15
申请人： (주)대우
发明人： 이재월
IPC分类号： H01L29/78
摘要： The damage of a poly gate layer and a gate oxide layer of MOS device is prevented by suppressing transmission of high energy, high density ion through poly-gate layer by using residual photo-resist. The method includes the steps of; (A) forming a poly-gate layer by a first photomasking process; (B) etching a poly-silicon layer (4) and UV processing the residual photo-resist; (C) spraying photoresist (6) to form a source and drain region; (D) masking a second photo-mask; (E) baking the device about 30 minutes with temperature of 130 degree; (F) injecting ion on a source and a drain region; and (G) removing a residual photo-resist (6).
摘要翻译：通过使用残留光刻胶抑制通过多晶硅层的高能量，高密度离子的透射来防止MOS器件的多晶硅栅极层和栅极氧化物层的损伤。该方法包括以下步骤：（A）通过第一光掩模工艺形成多晶硅层; （B）蚀刻多晶硅层（4）和UV处理残留光刻胶; （C）喷涂光致抗蚀剂（6）以形成源区和漏区; （D）掩蔽第二光掩模; （E）在130度的温度下烘烤约30分钟; （F）在源极和漏极区域注入离子; 和（G）去除残留的光致抗蚀剂（6）。

52. 实用新型

KR200087043Y1 콘크리트 슬라브의 철근 절곡용 다이(Die) 失效
标题翻译：模具用于加固混凝土板的弯曲
公开(公告)号：KR200087043Y1
公开(公告)日：1995-04-20
申请号：KR2019910015709
申请日：1991-09-25
申请人： (주)대우
发明人： 박형철
IPC分类号： E04G21/12

53. 实用新型

KR2019950007625U 전자식 형광등용 안정기 케이스 失效
公开(公告)号：KR2019950007625U
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR2019930015814
申请日：1993-08-17
申请人： (주)대우
发明人： 김종효 , 이형종
IPC分类号： H05B41/00

54. 实用新型

KR200086364Y1 입방체형의 조립식 콘크리트 건물 생산용 벽체형틀의 코너가이드장치 失效
公开(公告)号：KR200086364Y1
公开(公告)日：1995-03-08
申请号：KR2019910016716
申请日：1991-10-10
申请人： (주)대우
发明人： 이호우
IPC分类号： E04G11/02

55. 发明授权

KR100080716B1 반도체용 웨이퍼의 세정조 失效
公开(公告)号：KR100080716B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019910018532
申请日：1991-10-21
申请人： (주)대우
发明人： 송영국
IPC分类号： H01L21/304

56. 发明授权

KR1019940011615B1 입방체형의 조립식 콘크리트 건물 생산용 벽체형틀 장치 및 그에 의한 건물생산 공법 失效
标题翻译：制造建筑物的方法和使用该建筑物的形式
公开(公告)号：KR1019940011615B1
公开(公告)日：1994-12-22
申请号：KR1019910017044
申请日：1991-09-30
申请人： (주)대우
发明人： 이호우
IPC分类号： E04G11/02
摘要： The die is for producing the concrete structure with uniform quality on a large scale. Four wall panels (1,2) formed in square include corner guide (3,3') and posts (4,5) at inside of the corners to enlarge or reduce itself. The corner guides are connected to a number of links (6,6',7,7') rotatively. The post (4) is installed at inside of the links such that they are movable together. After solidifying the concrete, the crane pulls up the panels to separate the die from the solidified concrete wall structure.
摘要翻译：该模具用于大规模生产质量均匀的混凝土结构。形成在正方形中的四个墙板（1,2）包括角部导向件（3,3'）和在角部内部的柱（4,5）以放大或缩小自身。拐角导向器可旋转地连接到多个连杆（6,6'，7,7'）。柱（4）安装在链节内部，使得它们可以一起移动。在混凝土固化后，起重机拉起板将模具与凝固的混凝土墙体结构分开。

57. 发明公开

KR1019940018751A 다운로드 방식의 범용 주변 접속 제어장치 失效
标题翻译：下载式通用外设访问控制设备
公开(公告)号：KR1019940018751A
公开(公告)日：1994-08-18
申请号：KR1019930000309
申请日：1993-01-12
申请人： (주)대우
发明人： 한동일 , 천영선 , 강호용
IPC分类号： G06F13/00
摘要： 본 발명은 접속기 운용에 필요한 응용프로그램을 용도에 따라 변결할 수 있는 다운로드 방식의 범용주변 접속 제어장치에 관한 것이다. 상기 다운로드 방식의 범용주면 접속 제어장치는 주변기기 간의 부호 전송을 위한 접속 수단과, 상기 부호를 번역하는 번역 수단과, 상기 접속 수단을 제어하는 접속 제어 수단과, 프로세서 내부에 상기 프로세서를 운용할 응용프로그램을 휘발성 메모리 소자에 저장하기 위한 메모리 수단과, 상기 메모리 수단이 응용프로그램을 외부로 부터 적절하게 유입되어 저장하게 하고 상기 프로세서 수단이 상기 응용프로그램을 임의 갱신할 수 없도록 상기 메모리 수단을 보호, 제어, 관리 및 갱신하는 다운로드 제어수단을 구비한다.

58. 发明授权

KR1019940007056B1 반도체의 이중금속층 절연막 형성방법 失效
标题翻译：中间层绝缘膜的形成方法
公开(公告)号：KR1019940007056B1
公开(公告)日：1994-08-04
申请号：KR1019910008064
申请日：1991-05-17
申请人： (주)대우
发明人： 이재월
IPC分类号： H01L21/302
摘要： The method includes the steps of forming an oxide layer on a silicon wafer, depositing a first aluminum on the oxide layer by sputtering, depositing an oxidised nitride having compressive stress on first aluminum by plasma chemical vapor deposition method, forming a predetermined photoresist pattern on the oxidized nitride, forming a via hole in a predetermined portion and carrying out planarizing process, forming a second aluminum layer on the resultant.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：在硅晶片上形成氧化物层，通过溅射在氧化物层上沉积第一铝，通过等离子体化学气相沉积方法在第一铝上沉积具有压应力的氧化氮化物，在氧化氮化物，在预定部分形成通孔并进行平面化处理，在所得物上形成第二铝层。

59. 发明公开

KR1019940001449A 초고주파용 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019940001449A
公开(公告)日：1994-01-20
申请号：KR1019920011085
申请日：1992-06-25
申请人： (주)대우
发明人： 손대헌
IPC分类号： H01L29/78

60. 发明公开

KR1019920022377A 반도체의 이중금속층 절연막 형성방법 失效
公开(公告)号：KR1019920022377A
公开(公告)日：1992-12-19
申请号：KR1019910008064
申请日：1991-05-17
申请人： (주)대우
发明人： 이재월
IPC分类号： H01L21/302

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