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41. 发明申请

WO2009102520A1 MICROCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：微晶硅薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2009102520A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/US2009/030865
申请日：2009-01-13
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , WON, Tae, Kyung , CHOI, Soo, Young , PARK, Beom, Soo , YIM, Dong-Kil , CHEN, Jriyan, Jerry
发明人： WON, Tae, Kyung , CHOI, Soo, Young , PARK, Beom, Soo , YIM, Dong-Kil , CHEN, Jriyan, Jerry
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/04 , C23C16/26 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L29/66742 , H01L29/7866
摘要： Methods for forming a microcrystalline silicon layer in a thin film transistor structure are provided. In one embodiment, a method for forming a microcrystalline silicon layer includes providing a substrate in a processing chamber, supplying a gas mixture having a hydrogen-based gas, a silicon-based gas and an argon gas into the processing chamber, the gas mixture having a volumetric flow ratio of the hydrogen-based gas to the silicon-based gas greater than about 100:1, wherein a volumetric flow ratio of the argon gas to the total combined flow of hydrogen-based gas and the silicon-based gas is between about 5 percent and about 40 percent, and maintaining a process pressure of the gas mixture within the processing chamber at greater than about 3 Torr while depositing a microcrystalline silicon layer on the substrate.
摘要翻译：提供了在薄膜晶体管结构中形成微晶硅层的方法。在一个实施例中，一种形成微晶硅层的方法包括在处理室中提供衬底，将具有氢基气体，硅基气体和氩气的气体混合物供应到处理室中，所述气体混合物具有氢基气体与硅基气体的体积流量比大于约100:1，其中氩气与氢气体和硅基气体的总合并流量的体积流量比在约5％和约40％，并且在处理室内的气体混合物的工艺压力保持在大于约3Torr，同时在衬底上沉积微晶硅层。

42. 发明申请

WO2014194558A1 薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置、电子产品审中-公开
公开(公告)号：WO2014194558A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/CN2013/080789
申请日：2013-08-05
申请人：京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
发明人：吴博 , 祁小敬
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7866 , H01L27/1218 , H01L29/78648
摘要：一种薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置、电子产品。所述薄膜场效应晶体管包括栅极金属层（10）及半导体层（50），还包括：导流层（30），所述栅极金属层（10）与所述半导体层（50）之间形成电场时，所述导流层（30）与所述栅极金属层（10）之间也形成电场，利用所述导流层（30）与所述栅极金属层（10）之间的电场，所述半导体层（50）累积加强所述栅极金属层（10）与所述半导体层（50）之间电场的电子或空穴。所述薄膜场效应晶体管本身结构上的改进影响其电流特性，实现阈值电压及漏电流的降低。

43. 发明申请

WO2009102520A9 MICROCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：微晶硅薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2009102520A9
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/US2009030865
申请日：2009-01-13
申请人： APPLIED MATERIALS INC , WON TAE KYUNG , CHOI SOO YOUNG , PARK BEOM SOO , YIM DONG-KIL , CHEN JRIYAN JERRY
发明人： WON TAE KYUNG , CHOI SOO YOUNG , PARK BEOM SOO , YIM DONG-KIL , CHEN JRIYAN JERRY
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/04 , C23C16/26 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L29/66742 , H01L29/7866
摘要： Methods for forming a microcrystalline silicon layer in a thin film transistor structure are provided. In one embodiment, a method for forming a microcrystalline silicon layer includes providing a substrate in a processing chamber, supplying a gas mixture having a hydrogen-based gas, a silicon-based gas and an argon gas into the processing chamber, the gas mixture having a volumetric flow ratio of the hydrogen-based gas to the silicon-based gas greater than about 100:1, wherein a volumetric flow ratio of the argon gas to the total combined flow of hydrogen-based gas and the silicon-based gas is between about 5 percent and about 40 percent, and maintaining a process pressure of the gas mixture within the processing chamber at greater than about 3 Torr while depositing a microcrystalline silicon layer on the substrate.
摘要翻译：提供了在薄膜晶体管结构中形成微晶硅层的方法。在一个实施例中，一种形成微晶硅层的方法包括在处理室中提供衬底，将具有氢基气体，硅基气体和氩气的气体混合物供应到处理室中，所述气体混合物具有氢基气体与硅基气体的体积流量比大于约100:1，其中氩气与氢气体和硅基气体的总合并流量的体积流量比在约5％和约40％，并且在处理室内的气体混合物的工艺压力保持在大于约3Torr，同时在衬底上沉积微晶硅层。

44. 发明申请

WO2004075607A1 有機ＥＬ素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机EL元素及其生产方法
公开(公告)号：WO2004075607A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2003/001892
申请日：2003-02-20
申请人：富士通株式会社 , 中山昌哉
发明人：中山昌哉
IPC分类号： H05B33/14
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/12 , H01L27/3272 , H01L29/7866 , H01L51/5206
摘要：画素電極に紫外線照射を行っても、ＴＦＴの特性の劣化の生じにくい有機ＥＬ素子を提供する。基板上にＴＦＴが形成されている。ＴＦＴは、ソース及びドレインとなる第１の領域及び第２の領域、第１の領域と第２の領域との間のチャネル領域、及びゲート電極を有する。薄膜トランジスタを覆うように、基板の上に層間絶縁膜が配置されている。層間絶縁膜の上に配置された画素電極が、層間絶縁膜に形成されたビアホール内を経由してＴＦＴの第１の領域に電気的に接続されている。被覆膜が、画素電極の縁を被覆し、内部の領域は露出させるとともに、層間絶縁膜の表面のうち、前記薄膜トランジスタのチャネル領域と重なる領域を覆い、紫外線を遮光する。画素電極の上に有機発光層と上部電極とが配置されている。
摘要翻译：即使用紫外线照射像素电极，TFT特性也不易劣化的有机EL元件。形成在基板上的TFT具有第一区域和用作源极和漏极的第二区域，在第一和第二区域之间的沟道区域和栅电极。层间绝缘膜设置在基板上以覆盖薄膜晶体管。设置在层间绝缘膜上的像素电极通过形成在层间绝缘膜中的通孔与TFT的第一区域电连接。涂膜覆盖内部区域保持暴露的像素电极的边缘，并且还覆盖层间绝缘膜的表面的与上述薄膜晶体管的沟道区重叠的区域以屏蔽紫外线。有机发光层和上电极设置在像素电极上。

45. 发明公开

EP0610599A1 High voltage transistor with drift region 失效
标题翻译： Hochspannungstransistor mit漂移区。
公开(公告)号：EP0610599A1
公开(公告)日：1994-08-17
申请号：EP93121108.0
申请日：1993-12-30
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Malhi,Satwinder
IPC分类号： H01L29/784 , H01L29/08 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7824 , H01L29/0649 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/78639 , H01L29/7866 , Y10S148/126
摘要： A high voltage transistor includes a semiconductor-on-insulator (SOI) region in which a source and a channel are formed. A drain drift region is further formed partly in the SOI region and partly in the bulk silicon region beyond SOI and a gate is coupled to said SOI channel.
摘要翻译：高压晶体管包括其中形成源极和沟道的绝缘体上半导体（SOI）区域。漏极漂移区域进一步部分地形成在SOI区域中，部分地在超出SOI的体硅区域中，并且栅极耦合到所述SOI沟道。

46. 发明公开

EP0166261A3 Static field-induced semiconductor devices 失效
标题翻译：静态诱导半导体器件
公开(公告)号：EP0166261A3
公开(公告)日：1989-01-11
申请号：EP85106685.2
申请日：1985-05-30
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人： Ovshinsky, Stanford R. , Guha, Subhendu , Hack, Michael G. , Shur, Michael
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L29/1604 , H01L29/263 , H01L29/432 , H01L29/51 , H01L29/7391 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78642 , H01L29/78645 , H01L29/7866 , H01L29/78666 , H01L29/78684 , H01L29/861
摘要： There is disclosed a field effect transistor in which a charged body of material, formed with a fixed charge, is in field effect proximity to the channel region of the transistor. The channel region is formed of amorphous semiconductor material, and the field effect of the charged body shifts the Fermi level of the channel region without atomic impurity doping. According to another aspect of the invention a semiconductor device is disclosed which includes a first region of amorphous semiconductor material, and a field inducing layer, formed with a built-in charge, in field effect proximity to the first region so as to shift the Fermi level thereof. The device also includes a second region of material which has a different Fermi level than the material of the first region. The first and second regions are placed in contact to form a semiconductor junction device.
摘要翻译：公开了一种场效应晶体管，其中形成有固定电荷的材料的带电体在场效应接近晶体管的沟道区。通道区域由非晶半导体材料形成，并且带电体的场效应在没有原子杂质掺杂的情况下移动通道区域的费米能级。根据本发明的另一方面，公开了一种半导体器件，其包括非晶半导体材料的第一区域和形成有内置电荷的场诱导层，其在场效应接近第一区域以便使费米级别。该装置还包括具有与第一区域的材料不同的费米能级的材料的第二区域。将第一和第二区域接触以形成半导体接合器件。

47. 发明公开

EP0145403A3 Semiconducting multilayered structures and systems and methods for synthesizing the structures and devices incorporating the structures 失效
标题翻译：用于合成结构的多层结构和系统的方法和方法和结构的设备
公开(公告)号：EP0145403A3
公开(公告)日：1986-06-11
申请号：EP84308219
申请日：1984-11-27
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人： Fritzsche, Hellmut , Ovshinsky, Stanford R. , Adler, David
IPC分类号： H01L29/04 , H01L31/02 , H01L21/205 , H01L31/18
CPC分类号： C23C16/44 , C23C14/568 , H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/154 , H01L29/157 , H01L29/4908 , H01L29/7866 , H01L29/78666 , H01L29/78684 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： A new class of synthesized semiconducting multiple layer materials, structures, and devices and apparatus and methods for synthesizing the structures. At least one layer (138a) of the multiple layer structure (138) is a disordered semiconductor material. Multiple layer structures can form one or more regions of improved photoresponsive and photovoltaic single and tandem cells, thin film transistors and thermoelectric devices. The multiple layer structures provide a means of electronically doping semiconductor device structures without adding substitutional dopant impurities.

48. 发明公开

EP0166261A2 Static field-induced semiconductor devices 失效
标题翻译：统计学家费德勒（Halbleiteranordnungen）。
公开(公告)号：EP0166261A2
公开(公告)日：1986-01-02
申请号：EP85106685.2
申请日：1985-05-30
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人： Ovshinsky, Stanford R. , Guha, Subhendu , Hack, Michael G. , Shur, Michael
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L29/1604 , H01L29/263 , H01L29/432 , H01L29/51 , H01L29/7391 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78642 , H01L29/78645 , H01L29/7866 , H01L29/78666 , H01L29/78684 , H01L29/861
摘要： There is disclosed a field effect transistor in which a charged body of material, formed with a fixed charge, is in field effect proximity to the channel region of the transistor. The channel region is formed of amorphous semiconductor material, and the field effect of the charged body shifts the Fermi level of the channel region without atomic impurity doping. According to another aspect of the invention a semiconductor device is disclosed which includes a first region of amorphous semiconductor material, and a field inducing layer, formed with a built-in charge, in field effect proximity to the first region so as to shift the Fermi level thereof. The device also includes a second region of material which has a different Fermi level than the material of the first region. The first and second regions are placed in contact to form a semiconductor junction device.
摘要翻译：公开了一种场效应晶体管，其中形成有固定电荷的材料的带电体在场效应接近晶体管的沟道区。通道区域由非晶半导体材料形成，并且带电体的场效应在没有原子杂质掺杂的情况下移动通道区域的费米能级。根据本发明的另一方面，公开了一种半导体器件，其包括非晶半导体材料的第一区域和形成有内置电荷的场诱导层，其在场效应接近第一区域以便使费米级别。该装置还包括具有与第一区域的材料不同的费米能级的材料的第二区域。将第一和第二区域接触以形成半导体接合器件。

49. 发明公开

EP0145403A2 Semiconducting multilayered structures and systems and methods for synthesizing the structures and devices incorporating the structures 失效
标题翻译：半导体多层结构，以及系统和用于制造该结构的方法和装置包含这些结构。
公开(公告)号：EP0145403A2
公开(公告)日：1985-06-19
申请号：EP84308219.9
申请日：1984-11-27
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人： Fritzsche, Hellmut , Ovshinsky, Stanford R. , Adler, David
IPC分类号： H01L29/04 , H01L31/02 , H01L21/205 , H01L31/18
CPC分类号： C23C16/44 , C23C14/568 , H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/154 , H01L29/157 , H01L29/4908 , H01L29/7866 , H01L29/78666 , H01L29/78684 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： A new class of synthesized semiconducting multiple layer materials, structures, and devices and apparatus and methods for synthesizing the structures. At least one layer (138a) of the multiple layer structure (138) is a disordered semiconductor material. Multiple layer structures can form one or more regions of improved photoresponsive and photovoltaic single and tandem cells, thin film transistors and thermoelectric devices. The multiple layer structures provide a means of electronically doping semiconductor device structures without adding substitutional dopant impurities.
摘要翻译：一类新的合成半导体多层材料，结构，和装置和设备以及用于合成结构的方法的。在多层结构（138）的至少一个层（138A）是一种无序半导体材料。多层结构可以形成改善光响应和光伏单和串联电池，薄膜晶体管和热电装置中的一个或多个区域。多层结构提供电掺杂半导体器件结构的一种手段而无需添加置换型掺杂剂的杂质。

50. 发明授权

EP0511096B1 Procédé de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogène et procédé de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive 失效
标题翻译：一种用于Lokalpassivierung过程具有非晶含氢碳膜和在该钝化基板的制造薄膜晶体管的方法的基板。
公开(公告)号：EP0511096B1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：EP92401143.0
申请日：1992-04-22
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Chouan, Yannick
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/29
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/314 , H01L21/481 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L29/78636 , H01L29/7866 , H01L2924/0002 , Y10S148/10 , Y10S148/15 , Y10S438/958 , H01L2924/00

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