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41. 发明申请

WO2014202517A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM AUTOMATISIERTEN BESTIMMEN EINES REFERENZPUNKTES EINER AUSRICHTUNGSMARKIERUNG AUF EINEM SUBSTRAT EINER PHOTOLITHOGRAPHISCHEN MASKE 审中-公开
标题翻译： METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATED确定登记号码的一个参考点ON A SUBSTRATE光刻掩模
公开(公告)号：WO2014202517A2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/EP2014/062533
申请日：2014-06-16
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH
发明人： BUDACH, Michael , SCHÖNBERGER, Ralf , JÖST, Michael
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G01B11/14 , G03F7/70141 , G03F9/7007 , G03F9/7088
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum automatisierten Bestimmen eines Referenzpunktes einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Substrat einer photolithographischen Maske, das die folgenden Schritte aufweist: (a) Durchführen eines ersten Linienscans innerhalb eines Startbereichs des Substrats in einer ersten Richtung auf einer Oberfläche des Substrats, wobei die Ausrichtungsmarkierung innerhalb des Startbereichs angeordnet ist, zum Auffinden eines ersten Elements der Ausrichtungsmarkierung; (b) Durchführen eines zweiten Linienscans innerhalb des Startbereichs in zumindest einer zweiten Richtung auf der Oberfläche des Substrats, welche die ersten Richtung schneidet, zum Auffinden eines zweiten Elements der Ausrichtungsmarkierung; (c) Abschätzen des Referenzpunktes der Ausrichtungsmarkierung aus dem aufgefundenen ersten Element und dem aufgefundenen zweiten Element der Ausrichtungsmarkierung; und (d) Abbilden eines Zielbereichs um den abgeschätzten Referenzpunkt der Ausrichtungsmarkierung herum zum Bestimmen des Referenzpunktes der Ausrichtungsmarkierung, wobei das Abbilden mit einer höheren Auflösung erfolgt als das Durchführen der Linienscans in den Schritten (a) und (b).
摘要翻译：本发明涉及自动确定光刻掩模的衬底上的对准标记的参考点，其包含以下步骤的方法：（a）所述基材的起始范围内以第一方向在基板的一个表面上执行第一线扫描，其中，所述对准标记设置用于定位的第一构件的对准标记的开始区域内; （B）在至少一个第二方向上的衬底的表面上的启动区域内执行的第二扫描线，相交的第一方向上，以定位对准标记的第二元素; （C）估计从所述检索到的第一元件和对准标记的发现第二元件的对准标记的参考点; 和（d）成像围绕对准标记的估计出的基准点的目标区域周围，用于确定对准标记的参考点，其中以更高的分辨率比确实在步骤执行行扫描的映射的（a）和（b）。

42. 发明申请

WO2013017924A3 METHOD FOR CORRECTING MISALIGNMENT OF POSITIONS ON A FIRST WAFER BONDED TO A SECOND WAFER 审中-公开
标题翻译：用于校正第一个波形上的位置的偏移的方法粘合到第二个波形
公开(公告)号：WO2013017924A3
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/IB2012001404
申请日：2012-07-18
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , CASTEX ARNAUD , BARTHELEMY ALEXANDRE , BROEKAART MARCEL
发明人： CASTEX ARNAUD , BARTHELEMY ALEXANDRE , BROEKAART MARCEL
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/98
CPC分类号： G03F9/7007 , G03F7/70633 , G03F9/7003 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L25/50 , H01L27/06 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for correcting misalignment of positions on a first wafer bonded to a second wafer, the method comprising the application (F4), to coordinates of each position, of a predetermined correction function for the said first wafer, the correction applied by the correction function being a function only of the distance of the position relative to the centre of the first wafer, characterized in that the applied correction varies, over the whole of the first wafer, in a non-linear manner with respect to the distance of the position relative to the centre.
摘要翻译：本发明涉及一种用于校正结合到第二晶片的第一晶片上的位置的未对准的方法，该方法包括对于所述第一晶片的预定校正功能的每个位置的坐标（F4），应用通过所述校正功能仅是所述位置相对于所述第一晶片的中心的距离的函数，其特征在于，所述施加的校正在整个所述第一晶片中相对于所述距离以非线性方式变化的位置相对于中心。

43. 发明申请

WO2016107798A1 A MASKLESS EXPOSURE APPARATUS WITH ALIGNMENT 审中-公开
标题翻译：具有对准的MASKLESS EXPOSURE装置
公开(公告)号：WO2016107798A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/EP2015/081022
申请日：2015-12-22
申请人： VISITECH AS
发明人： JØRGENSEN, Trond , KIRKHORN, Endre , TAFJORD, Øyvind
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7096 , G03F9/7007 , G03F9/7065 , G03F9/7088
摘要： A maskless exposure apparatus comprises a light source (302) providing an exposure beam (306); a light modulator (302) modulating the exposure beam (306)according to an exposure pattern;an exposure optical system (303, 304, 308) delivering the modulated exposure beam as an image (311) provided by the light modulator onto a substrate (307); and a measurement system (303, 304, 305, 308, 309) configured to measure a position of an alignment mark previously patterned on the substrate. The exposure optical system and the measurement system have at least partially concurrent optical paths.
摘要翻译：无掩模曝光装置包括提供曝光光束（306）的光源（302）; 将曝光光束（306）根据曝光图案进行调制的光调制器（302）;将调制曝光光束作为由光调制器提供的图像（311）输送到基板上的曝光光学系统（303,304,308） 307）; 以及被配置为测量先前在衬底上图案化的对准标记的位置的测量系统（303,304,305,308,309）。曝光光学系统和测量系统具有至少部分并行的光路。

44. 发明申请

WO2014006935A1 位置計測装置、ステージ装置、露光装置、およびデバイス製造方法审中-公开
标题翻译：位置测量装置，阶段装置，曝光装置和装置制造方法
公开(公告)号：WO2014006935A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/JP2013/056243
申请日：2013-03-07
申请人：株式会社ニコン
发明人：栗山　要助 , 今川　博人
IPC分类号： H01L21/027 , G01B9/02 , G01B11/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7049 , G01B9/02019 , G01B9/02027 , G03F9/7007 , G03F9/7023 , G03F9/7088
摘要：　基板の面内方向の位置計測と基板の法線方向の位置計測とを同時に且つ安定的に行う。第１部材に固定的に取り付けられた偏光ビームスプリッターと、第２部材に取り付けられて、第１方向に沿った周期構造を有する反射型の回折格子と、偏光ビームスプリッター内の第１経路を経て回折格子に入射した第１偏光の光に応じて回折格子から発生する第１方向に沿った回折光である第１測定光と、該第１測定光に対応する第２偏光の第１参照光との干渉に基づいて、第２部材の第１方向に沿った相対位置を計測する第１計測部と、偏光ビームスプリッター内の第２経路を経て回折格子に入射した光に応じて回折格子から第２方向に沿って発生する０次光である第２測定光と、該第２測定光に対応する第２参照光との干渉に基づいて、第２部材の第２方向に沿った相対位置を計測する第２計測部とを備えている。
摘要翻译：为了同时且稳定地在基板的面内方向进行位置测量，并且在基板的法线方向上进行位置测量，位置测量装置设置有：固定地附接到第一构件的偏振分束器; 反射衍射光栅，其附接到第二构件并具有沿着第一方向的周期性结构; 第一测量单元，其响应于入射到衍射的第一偏振光，基于沿着从衍射光栅产生的沿着第一方向的衍射光的第一测量光之间的干涉来测量第二构件沿着第一方向的相对位置通过偏振分束器中的第一路径光栅，以及对应于第一测量光的第二偏振第一参考光; 以及第二测量单元，其基于作为响应于入射到所述衍射光栅的光沿着来自衍射光栅的沿着第二方向生成的零级光的第二测量光之间的干涉测量第二构件沿着第二方向的相对位置衍射光栅通过偏振分束器中的第二路径，以及对应于第二测量光的第二参考光。

45. 发明申请

WO2013017924A2 METHOD FOR CORRECTING MISALIGNMENT OF POSITIONS ON A FIRST WAFER BONDED TO A SECOND WAFER 审中-公开
标题翻译：校正第一个晶片上结合第二个晶片的位置误差的方法
公开(公告)号：WO2013017924A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/IB2012/001404
申请日：2012-07-18
申请人： SOITEC , CASTEX, Arnaud , BARTHELEMY, Alexandre , BROEKAART, Marcel
发明人： CASTEX, Arnaud , BARTHELEMY, Alexandre , BROEKAART, Marcel
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/98 , H01L21/02 , H01L27/146
CPC分类号： G03F9/7007 , G03F7/70633 , G03F9/7003 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L25/50 , H01L27/06 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for correcting misalignment of positions on a first wafer bonded to a second wafer, the method comprising the application (F4), to coordinates of each position, of a predetermined correction function for the said first wafer, the correction applied by the correction function being a function only of the distance of the position relative to the centre of the first wafer, characterized in that the applied correction varies, over the whole of the first wafer, in a non-linear manner with respect to the distance of the position relative to the centre.
摘要翻译：本发明涉及一种用于校正结合到第二晶片的第一晶片上的位置的未对准的方法，所述方法包括对每个位置的坐标应用（F4）预定校正函数的所述第一晶片通过校正函数施加的校正仅是所述位置相对于所述第一晶片的中心的距离的函数，其特征在于，所施加的校正在整个所述第一晶片上以非线性方式相对于位置相对于中心的距离。

46. 发明专利

JP2018507438A メトロロジの方法及び装置、コンピュータプログラム、並びにリソグラフィシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2018507438A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017539544
申请日：2016-01-19
申请人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人：リウ,シンラン , スミルデ,ヘンドリク,ジャン,ヒデ , ペン,ユエ−リン , セクリ,ハッキ,エルグン , ペッロ,ヨセリン , ヴァンハレン,リチャード,ヨハネス,フランシスカス
IPC分类号： G03F7/20 , G01B11/00 , G01B11/02
CPC分类号： G01B11/272 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F9/7007
摘要：リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法。方法は、基板上に複数のターゲット構造を提供するステップを含み、各ターゲット構造は基板の異なる層上に第1の構造及び第2の構造を備える。ターゲット構造内のターゲット非対称の測定を取得するために、測定放射を用いて各ターゲット構造が測定され、ターゲット非対称は、第1及び第2の構造のミスアライメントに起因するオーバーレイ寄与、並びに少なくとも第1の構造における構造的非対称に起因する構造的寄与を備える。各ターゲット構造の少なくとも第1の構造における構造的非対称に関する構造的非対称特性が取得され、構造的非対称特性は測定放射の少なくとも1つの選択された特性から独立している。次いで、各ターゲット構造のターゲット非対称のオーバーレイ寄与を決定するために、ターゲット非対称の測定及び構造的非対称特性が使用される。【選択図】図10(b)

47. 发明专利

JPWO2012176473A1 ドットマーキングを有する半導体基板、およびその製造方法有权
标题翻译：具有点标记的半导体基板，和其制造方法
公开(公告)号：JPWO2012176473A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012541245
申请日：2012-06-22
申请人：パナソニック株式会社
发明人：幸也臼井 , 幸也臼井
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/04
CPC分类号： H01L29/06 , G03F9/7007 , H01L21/30604 , H01L23/544 , H01L31/02 , H01L2223/54413 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：ドットマーキングを有する半導体基板を提供する。特に、読取り率が向上されたドットマーキングを有する半導体基板を提供する。逆錐台状の凹部からなる複数のドットマーキングを有する半導体基板であって、複数のドットマーキングは、0.25〜9mm2の矩形領域に配置された2次元コードを構成する。凹部の口径Wは20μm〜200μmであり、かつ前記凹部の底面の径wよりも大きいとともに、前記半導体基板の厚みよりも小さい。また凹部の側面は、4つ以上の台形状の平坦なテーパ面を有し、前記テーパ面のテーパ角度が前記半導体基板表面に対して、44〜65?の範囲にある。
摘要翻译：提供了具有点标记的半导体衬底。特别地，提供一种具有一个点的标记读取速度提高的半导体衬底。具有多个点的标记选自由逆锥台形凹部的半导体基板，多个点标记的构成布置在0.25〜用9mm2的矩形区域中的二维码。直径W的凹部是20Myuemu〜200myuemu，并且具有比直径瓦特凹部的底表面的大于所述半导体基板的厚度小。凹部的侧面具有多于四个梯形平面的锥面，相对于半导体衬底表面的锥形表面的锥角，在44-65的范围内？

48. 发明专利

JP5351110B2 Management method and management system of the exposure apparatus 有权
公开(公告)号：JP5351110B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2010172000
申请日：2010-07-30
申请人：株式会社東芝
发明人：健一辻澤 , 章小川 , 宏松下 , 光二鷲山 , 英幸大石 , 高由大竹
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F9/7007 , G03F7/70533
摘要： According to one embodiment, a control method for an exposure apparatus is disclosed. The method can include retrieving, from a database, a correction amount of alignment correction at a time of exposure of a wafer and an inclination amount of a wafer stage with respect to an optical axis of an exposure optical system at the time of exposure. The method can include making a determination on the inclination amount based on a predetermined condition. The method can include making a determination on the correction amount based on the predetermined condition. In addition, the method can include issuing an alarm when the inclination amount and the correction amount both satisfy the condition.

49. 发明专利

JP5309565B2 Stage apparatus, exposure apparatus, a method, exposure method, and device manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP5309565B2
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：JP2007529538
申请日：2006-08-03
申请人：株式会社ニコン
发明人：祐一柴崎
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/68
CPC分类号： G03F9/7007 , G03F7/70341 , G03F7/70725 , H01L21/682
摘要： A wafer stage (WST) and a measurement stage (MST) are configured so that they are movable along an upper surface of a base plate (21), and water (Lq) is transferred therebetween by bringing the stages proximate to one another and moving them integrally in the Y directions. An alignment system (45) measures mutually proximate edge parts of the wafer stage (WST) and the measurement stage (MST), and a focus leveling detection system (64) measures a step in the Z directions in a state wherein the wafer stage (WST) and the measurement stage (MST) are proximate to one another. When both stages are brought proximate to one another, the relative position between the wafer stage (WST) and the measurement stage (MST) is adjusted based on the measurement results.

50. 发明专利

JP2018528473A 相対位置測定に基づくアライメントシステム、デュアルワークステージシステムおよび測定システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018528473A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018510996
申请日：2016-08-26
申请人：シャンハイマイクロエレクトロニクスイクイプメント(グループ)カンパニーリミティド
发明人：リ,ユェンフェン
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/68 , G01B11/00 , G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F7/70716 , G03F7/709 , G03F9/00 , G03F9/7007 , G03F9/7026 , G03F9/7034 , G03F9/7088 , H01L21/682
摘要：アライメントシステム、デュアルワークステージシステムおよび測定システムであって、ここで、アライメントシステムは、メインフレーム(5、301)と、第1ワークステージ(1、305)と、アライメントセンサ(4、302)と、位置取得モジュール(7、308)と、信号処理装置(6、303)と、を有する。位置取得モジュール(7、308)は、第1ワークステージ(1、305)およびミラー(8、304)から取得される位置データを同時に取得し、一方、前記ミラー(8、304)は、前記アライメントセンサ(4、302)に位置し、即ち、前記アライメントセンサ(4、302)と前記第1ワークステージ(1、305)の位置データを同時に取得し、処理により、前記アライメントセンサ(4、302)に対して前記第1ワークステージ(1、305)が振動していないときの相対位置を取得可能である。即ち、前記アライメントセンサ(4、302)の相対振幅がゼロのときのアライメントマークのアライメント位置を取得することで、前記アライメントセンサ(4、302)の振動の影響を防ぎ、アライメント繰り返し精度を向上させることができる。【選択図】図6

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