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41. 发明专利

JP6258399B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6258399B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2016097870
申请日：2016-05-16
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：神永雄大
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C29/52 , G11C2029/0411

42. 发明专利

JP6195393B1 出力回路有权
公开(公告)号：JP6195393B1
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2016057792
申请日：2016-03-23
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：小嶋英充
IPC分类号： H03K19/094 , H03K17/04 , H03K19/0175
CPC分类号： G11C7/1057 , G11C7/12 , G11C7/22
摘要：【課題】プルアップ用トランジスタの立ち上がりを速くする出力回路を提供する。【解決手段】本発明の出力回路は、出力データを外部に出力可能な外部端子130と、外部端子130に接続され、p型のプルアップトランジスタQp1とn型のプルダウントランジスタQn1とを含む出力バッファ110と、出力データに応じたプルアップ信号PUおよびプルダウン信号PDを出力バッファ110に出力するプリバッファ回路120とを含む。プリバッファ回路120はさらに、プルアップ信号PUがHレベルからLレベルに遷移するとき、プルアップ信号PUを負にブーストする回路122を含む。【選択図】図5

43. 发明专利

JP2017157262A 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP2017157262A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016041653
申请日：2016-03-04
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：小嶋英充
IPC分类号： G06F12/16 , G11C29/12
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/52
摘要：【課題】外部端子から内部に取り込まれるデータを検証することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、データを入力または出力する外部入出力端子と、メモリアレイ110と、ページバッファ/センス回路170とを備える。ページバッファ/センス回路170は、外部入出力端子から入力された入力データを保持し、保持された入力データはメモリアレイ110にプログラム可能である。さらにフラッシュメモリは、ページバッファ/センス回路170に保持された入力データと、ページバッファ/センス回路170から読み出された入力データとを比較する比較回路132とを備える。【選択図】図8

44. 发明专利

JP2017142875A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017142875A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2017005947
申请日：2017-01-17
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：山内一貴
IPC分类号： G11C16/06 , G06F11/10 , G11C16/04 , G11C16/02
摘要：【課題】歩留りを向上させ、メモリアレイの利用効率を向上させることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】フラッシュメモリは、複数のNANDストリングを含むメモリアレイと、ビット線を介してメモリアレイのNANDストリングに接続され、NANDストリングの不良の有無を出力するページバッファ/センス回路170と、複数のページバッファ/センス回路170に接続され、選択ブロックのNANDストリングの不良数を検出する検出回路200とを含む。検出回路200により検出されたNANDストリングの不良数が一定数以下であるとき、使用可能なブロックと判定し、不良数が一定数を超えるとき、バッドブロックと判定する。【選択図】図9

45. 发明专利

JP6170596B1 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6170596B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2016118862
申请日：2016-06-15
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：村上洋樹 , 妹尾真言
IPC分类号： G11C5/14 , G11C16/30
CPC分类号： G11C16/32 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C5/066 , G11C7/1066 , G11C2207/108
摘要：【課題】電圧等の種々の出力を生成するための回路の省スペース化を図る半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の電圧生成回路100は、制御ロジック110と、電圧生成部120と、接続部130とを含む。電圧生成部120は、制御ロジック110から提供されるデータを保持する複数のレジスタA、B、C、Dと、レジスタA、B、Cに保持された電圧制御データに基づき電圧を生成する電圧生成ブロックA、B、Cと、レジスタDに保持された選択制御データに基づき電圧を選択する電圧スイッチ32とを含む、接続部130は、電圧制御データや選択制御データをシリアル搬送する信号線と、クロック信号CLKをシリアル搬送する信号線と、レジスタに保持されたデータの出力を制御する信号線とを含む。【選択図】図2

46. 发明专利

JP2017111849A 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP2017111849A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2016214999
申请日：2016-11-02
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：山内一貴
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02
摘要：【課題】プログラム不良の歩留まりを改善しつつ不合格メモリセルの救済を行うことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のNAND型フラッシュメモリのプログラム方法は、選択ページにプログラムパルスを印加するステップと、選択ページのプログラムの合否を判定するステップと、不合格であると判定されたとき、プログラムパルスの印加回数が最適回数に到達していない場合には、選択ページにさらにプログラムパルスを印加し、プログラムパルスの印加回数が最適回数に到達している場合には、選択ページが予め決められた不合格ビット数であれば疑似的に合格と判定するステップとを有する。【選択図】図6

47. 发明专利

JP6103787B1 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6103787B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016007261
申请日：2016-01-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427 , G11C7/02 , G11C7/106 , G11C7/1087 , G11C7/18 , G11C2207/002 , G11C2207/005
摘要：【課題】 FGカップリングによる影響を抑制した信頼性の高いNAND型フラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、複数のNANDストリングが形成されたメモリアレイと、メモリアレイの行を選択する行選択手段と、選択された行の偶数ページまたは奇数ページを選択するビット線選択回路200とを含む。偶数ページ(BL0、BL1、BL4、BL5)は、隣接する一対のビット線の複数対から構成され、奇数ページ(BL2、BL3、BL6、BL7)は、隣接する一対のビット線の複数対から構成され、偶数ページのビット線対と奇数ページのビット線対とが交互に配置される。【選択図】図7

48. 发明专利

JP6103664B1 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6103664B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016028483
申请日：2016-02-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：村上洋樹 , 荒川賢一
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/3445 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/0416
摘要：【課題】消去動作時の電力消費を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、メモリセルが形成された複数のウエル210L、210Rと、選択されたウエルに消去電圧を印加してメモリセルのデータの消去を行う消去手段と、複数のウエル間の選択的な結合を行う結合手段200とを有する。消去手段は、一方のウエルと他方のウエルの消去を行う場合、一方のウエルに消去電圧を印加し、結合手段200により一方のウエルと他方のウエルとを電気的に結合した後、他方のウエルに消去電圧を印加する。【選択図】図4

49. 发明专利

JP2016184450A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：JP2016184450A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2015065425
申请日：2015-03-27
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C7/1006
摘要：【課題】パーシャルページプログラムとデータスクランブルとを両立し、信頼性を向上させるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリにおいて、同一ページにn回連続してデータをプログラムする場合、入力されたアドレス情報に基づき選択されたページにデータをプログラムするときの記憶位置を示す位置情報と当該位置情報により規定される記憶領域がプログラムされたものであること識別するフラグ情報とを生成し、スクランブルされたデータ、位置情報およびフラグ情報をメモリアレイの選択されたページにプログラムする。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供实现部分页面编程和数据加扰的闪存，并提高可靠性。解决方案：当数据被连续编程到页面n时，本发明的闪速存储器生成指示存储位置的位置信息用于将数据编程到基于输入地址信息选择的页面，以及标识信息，以标识由位置信息指定的存储区域被编程，并且将加密数据，位置信息和标志信息编程到所选择的页面中存储器阵列。图8

50. 发明专利

JP5982460B2 出力回路有权
标题翻译：输出电路
公开(公告)号：JP5982460B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2014255050
申请日：2014-12-17
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：水藤克年
IPC分类号： H03K19/0948 , H03K19/0175

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