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41. 发明专利

DE102008038748A1 未知
公开(公告)号：DE102008038748A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：DE102008038748
申请日：2008-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZITZLSPERGER MICHAEL , WEGLEITER WALTER , MOOSBURGER JUERGEN , BARCHMANN BERND , AHLSTEDT MAGNUS , ZEILER THOMAS
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/10

42. 发明专利

DE102008019902A1 未知
公开(公告)号：DE102008019902A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：DE102008019902
申请日：2008-04-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STATH NORBERT , BRAUNE BERT , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , REBHAN MATTHIAS , WULKESCH HANS
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/60
摘要： An optoelectronic component includes a carrier element. At least two elements are arranged in an adjacent fashion on a first side of the carrier element. Each element has at least one optically active region for generating the electromagnetic radiation. The optoelectronic component has an electrically insulating protective layer arranged at least in part on a surface of the at least two adjacent elements which lies opposite the first side. The protective layer, at least in a first region arranged between the at least two adjacent elements, at least predominantly prevents a transmission of the electromagnetic radiation generated by the optically active regions.

43. 发明专利

DE10261364B4 未知
公开(公告)号：DE10261364B4
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：DE10261364
申请日：2002-12-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STEIN WILHELM , JANES STEFAN , HEINDL ALEXANDER , PLOESL ANDREAS , WEGLEITER WALTER
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/285 , H01L33/00

44. 发明专利

DE10308322A1 A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by the steps useful in semiconductor technology 未知
公开(公告)号：DE10308322A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：DE10308322
申请日：2003-02-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLOESL ANDREAS , ILLEK STEFAN , STAUSS PETER , WEGLEITER WALTER , WIRTH RALPH , STEIN WILHELM , PIETZONKA INES , DIEPOLD GUDRUN
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L21/283
摘要： A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.

45. 发明专利

DE102004004780A1 Preparation of a structural element with an electrical contact region including preparation of epitaxially grown semiconductor series, used in the production of light emitting diodes 未知
公开(公告)号：DE102004004780A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：DE102004004780
申请日：2004-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK STEFAN , PLOESL ANDREAS , STAUSS PETER , DIEPOLD GUDRUN , PIETZONKA INES , STEIN WILHELM , WIRTH RALPH , WEGLEITER WALTER
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/30 , H01L33/40
摘要： Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.

46. 发明专利

DE102008049069B4 Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102008049069B4
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：DE102008049069
申请日：2008-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SORG JÖRG , WEGLEITER WALTER , WUTZ OLIVER , WEIDNER KARL
IPC分类号： H01L25/18 , H01L33/00
摘要： Optoelektronisches Modul, das ein Trägersubstrat (1), zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (2b) und mindestens ein elektrisches Bauelement (3a) aufweist, wobei- das Trägersubstrat (1) zur elektrischen Kontaktierung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und des elektrischen Bauelements (3a) strukturierte Leiterbahnen aufweist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche (21b) und eine zweite Kontaktfläche (22b) aufweist, wobei die erste Kontaktfläche (21b) auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) angeordnet ist,- das elektrische Bauelement (3a) einen ersten Kontaktbereich (31) und einen zweiten Kontaktbereich (32) aufweist, wobei der erste Kontaktbereich (31) zumindest teilweise auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des elektrischen Bauelements (3a) angeordnet ist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) mit einer ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) versehen sind, die eine erste Aussparung (4a) im Bereich der ersten Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und eine zweite Aussparung (4b) im ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3) aufweist,- auf einem Teilbereich der ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) eine erste Leitstruktur (51a) angeordnet ist, die die erste Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) mit dem ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3a) elektrisch leitend verbindet,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (1) und zumindest ein weiteres elektrisches Bauelement (3b, 3d) auf der dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (2b) und dem elektrischen Bauelement (3a) gegenüberliegenden Oberfläche des Trägersubstrats (1) angeordnet sind und- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und/oder das elektrische Bauelement (3a) mit dem weiteren elektrischen Bauelement (3b, 3d) mittels einer weiteren Leitstruktur (6), die über eine Durchkontaktierung durch das Trägersubstrat (1) und die erste elektrisch isolierende Schicht (41) führt, elektrisch leitend verbunden ist.

47. 发明专利

DE102004004780B4 Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich 未知
公开(公告)号：DE102004004780B4
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：DE102004004780
申请日：2004-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK STEFAN DR , PLÖSSL ANDREAS DR , STAUSS PETER DR , DIEPOLD GUDRUN , PIETZONKA INES DR , STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , WEGLEITER WALTER
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/30
摘要： Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich (2), das mindestens folgende Schritte aufweist:- Bereitstellen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (8) auf einem Substrat, die eine n-leitende AlGaInP- oder AlGaInAs-basierte Außenschicht (7) und eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone umfasst, wobei die Außenschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (8) zugewandten Seite des Substrats angeordnet ist und zumindest teilweise Al und Ga in einem Verhältnis a:(1-a), mit 0,4 ≤ a ≤ 1 aufweist;- Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, auf die Außenschicht (7) wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält;- Tempern der Außenschicht (7)

48. 发明专利

DE102012002605B4 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知
公开(公告)号：DE102012002605B4
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：DE102012002605
申请日：2012-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK STEFAN , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , STEGMEIER STEFAN
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64
摘要： Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.

49. 发明专利

DE102013101260A1 Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102013101260A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：DE102013101260
申请日：2013-02-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WEGLEITER WALTER , ALTIERI-WEIMAR PAOLA , MOOSBURGER JÜRGEN , STEGMEIER STEFAN , WEIDNER KARL
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/14 , H01L23/48 , H01L25/075
摘要： Es wird eine Vorrichtung (1) mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2) und einem Träger (5), auf dem das Halbleiterbauelement angeordnet ist, angegeben, wobei – an eine das Halbleiterbauelement begrenzende Seitenfläche (25) eine Isolationsschicht (4) angrenzt; – eine Kontaktbahn (6) auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterbauelements angeordnet und elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement verbunden ist; – die Kontaktbahn sich über die Seitenfläche des Halbleiterbauelements hinaus erstreckt und auf der Isolationsschicht angeordnet ist; und – die Kontaktbahn bezüglich einer senkrecht zu der Seitenfläche auftretenden thermo-mechanischen Beanspruchung entlastet ist.

50. 发明专利

DE102012109083A1 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102012109083A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：DE102012109083
申请日：2012-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： DIRSCHERL GEORG , WEGLEITER WALTER , SABATHIL MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/50 , C09D147/00 , H01L33/44
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist und das Konverterpartikel umfasst. Die Konverterpartikel sind in dem Konversionselement verteilt und konvertieren zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung. Weiter ist eine Passivierungsschicht vorhanden, die das Konversionselement vollständig umhüllt und/oder das Konversionselement umfasst eine Matrix, in die die Konverterpartikel eingebettet sind, wobei die Passivierungsschicht und/oder die Matrix ein Polymer umfassen.

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