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41. 发明专利

DE102015225390A1 Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102015225390A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：DE102015225390
申请日：2015-12-16
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YUKI HIDEAKI , KOBAYASHI KAZUO , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L29/161 , H01L29/51 , H01L29/78
摘要： Wenn eine Gate-Isolierungsschicht auf einem Siliziumkarbid-Substrat (3) ausgebildet wird, wird das Siliziumkarbid-Substrat (3) zuerst mit einem Oxidations-Reaktantengas oxidiert, um die Gate-Isolierungsschicht auf der Oberfläche des Siliziumkarbid-Substrats (3) auszubilden. Das Siliziumkarbid-Substrat (3), auf welchem die Gate-Isolierungsschicht ausgebildet wurde, wird mit einem Nitrierungs-Reaktantengas nitriert. Die Oxidation und die Nitrierung werden kontinuierlich in dem gleichen Diffusionsofen (1) ausgeführt, während eine Temperatur von 1200°C bis einschließlich 1300°C beibehalten wird.

42. 发明专利

DE102013225320A1 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102013225320A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：DE102013225320
申请日：2013-12-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANIOKA TOSHIKAZU , TARUI YOICHIRO , KOBAYASHI KAZUO , YUKI HIDEAKI , SETOGUCHI YOSUKE
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/67
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält die Schritte: (b) Ausbilden von anorganischen Schichten (22f, 31f bis 35f) auf einer Rückseitenfläche eines Dummy-Substrats (22) und Rückseitenflächen einer Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31 bis 35) mit solch einer Dicke, dass die anorganischen Schichten resistent gegenüber einer Temperatur bei einer thermischen Oxidationsbehandlung oder einer Wärmebehandlung sind und die Menge an oxidierenden oder reduzierenden Gasen, die die Rückseitenflächen des Dummy-Substrats (22) und der Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31 bis 35) erreichen, hinreichend reduziert ist, (c) Anordnen des Dummy-Substrats (22) und der Mehrzahl an Halbleitersubstraten (31 bis 35) in einem Stapel mit in die gleiche Richtung zeigenden Oberflächen und einem Zwischenraum zwischen den Substraten und (d) Durchführen einer thermischen Oxidationsbehandlung oder einer Wärmenachbehandlung der vorderseitigen Oberflächen der Halbleitersubstrate (31 bis 35) in einer oxidierenden Gasatmosphäre oder einer reduzierenden Gasatmosphäre nach den Schritten (b) und (c).

43. 发明专利

DE102013217850A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102013217850A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：DE102013217850
申请日：2013-09-06
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KITANI TAKESHI , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/47
摘要： Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung umfasst eine Siliziumcarbid-Driftschicht (1), die auf einem Siliziumcarbid-Substrat (10) ausgebildet ist, einen Bereich (2) vom P-Typ, der in einer Oberflächenschicht der Sillziumcarbid-Driftschicht (1) ausgebildet ist, und eine Schottky-Elektrode (3), die über der Siliziumcarbid-Driftschicht (1) entsprechend einem Ausbildungsabschnitt des Bereichs (2) vom P-Typ ausgebildet ist. Der Bereich (2) vom P-Typ ist aus mehreren darin angeordneten Einheitszellen (20) ausgebildet, von denen jede eine sich wiederholende Einheit einer Verteilung einer Störstelle vom P-Typ ist. Jede der Einheitszellen (20) weist mindestens einen ersten Verteilungsbereich (20A), in dem die Störstelle vom P-Typ mit einer ersten Konzentration verteilt ist, und einen zweiten Verteilungsbereich (20B), in dem die Störstelle vom P-Typ mit einer zweiten Konzentration, die höher ist als die erste Konzentration, verteilt ist, auf. Mit dieser Struktur ist es möglich, eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung zu schaffen, bei der eine ausreichende Durchbruchspannung mit einer geringeren Anzahl von Ionenimplantationen erreicht werden kann.

44. 发明专利

DE102012207309A1 Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102012207309A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：DE102012207309
申请日：2012-05-02
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MATSUNO YOSHINORI , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/872
摘要： Eine Siliziumoxidschicht wird auf einer Epitaxialschicht (2) durch trockene thermische Oxidation ausgebildet, eine ohmsche Elektrode wird auf einer rückwärtigen Oberfläche eines SiC-Substrats (1) ausgebildet, eine ohmsche Verbindung wird zwischen der ohmschen Elektrode und der rückwärtigen Oberfläche des SiC-Substrats (1) durch Glühen des SiC-Substrats ausgebildet, die Siliziumoxidschicht wird entfernt und eine Schottky-Elektrode wird auf der Epitaxialschicht (2) ausgebildet. Dann wird eine Sinterbehandlung ausgeführt, um eine Schottky-Verbindung zwischen der Schottky-Elektrode und der Epitaxialschicht (2) auszubilden.

45. 发明专利

DE102011086943A1 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011086943A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：DE102011086943
申请日：2011-11-23
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SUEKAWA EISUKE , ORITSUKI YASUNORI , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： Eine MOSFET-Zelle einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Polysilizium-Gateelektrode (6) und einen n+-Sourcebereich (4), der in einem oberen Abschnitt einer n–-Driftschicht ausgebildet ist. Ein Zwischenschicht-Isolationsfilm (7) bedeckt die Gateelektrode. Eine Al-Sourceelektrode (101) erstreckt sich auf dem Zwischenschicht-Isolationsfilm. Eine Al-Gatekontaktstelle (102) ist mit der Gateelektrode verbunden. Eine Barrierenmetallschicht (9), die die Diffusion von Aluminium verhindert, ist zwischen die Sourceelektrode und den Zwischenschicht-Isolationsfilm und zwischen die Gatekontaktstelle und die Gateelektrode eingefügt.

46. 发明专利

DE102011086500A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE102011086500A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：DE102011086500
申请日：2011-11-16
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO , KAGUCHI NAOTO , NAKAMURA TAKUYO
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/73 , H01L29/78
摘要： Bei der Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung mit einem Abschlussbereich, der ein JTE-Bereich oder FLR ist, wird die Toleranz des Ausmaßes des Ätzens zum Entfernen einer Beschädigungsschicht, die in der Oberfläche des Abschlussbereichs gebildet wird, vergrößert. Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung weist einen Abschlussbereich, der ein JTE-Bereich (Übergangsabschlusserweiterungsbereich) (11) oder ein FLR (Feldbegrenzungsring) (13) ist, an einem Abschluss der Halbleiterelemente auf. Der Abschlussbereich wird durch einen einzigen Schritt zur Ionenimplantation ausgebildet, bei der die Art von Störstelle und die Implantationsenergie fest sind. Im Störstellenkonzentrationsprofil des Abschlussbereichs in der Tiefenrichtung liegt die Konzentrationsspitze in der flachsten Position an einer Position, die in Bezug auf die Oberfläche tiefer als 0,35 μm ist, während die Konzentration im Oberflächenabschnitt nicht mehr als ein Zehntel der flachsten Konzentrationsspitze beträgt.

47. 发明专利

DE102010011112A1 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102010011112A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：DE102010011112
申请日：2010-03-12
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO , NARAZAKI ATSUSHI , FUJII RYOICHI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78

48. 发明专利

DE102009056453A1 Siliciumcarbidhalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür 未知
公开(公告)号：DE102009056453A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：DE102009056453
申请日：2009-12-01
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/739 , H01L29/78

49. 发明专利

JP2014057026A Silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014057026A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2012202468
申请日：2012-09-14
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： KITANI TAKESHI , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/20 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device which can achieve sufficient withstand voltage by less number of ion injections.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device comprises: a silicon carbide drift layer 1 formed on a silicon carbide substrate 10; a P-type region 2 formed in a surface layer of the silicon carbide drift layer 1; and a Schottky electrode 3 formed on the silicon carbide drift layer 1 depending on a formation part of the P-type region 2. The P-type region 2 is formed by arranging a plurality of unit cells 20 each of which is a repetition unit of a P-type impurity distribution. Each unit cell 20 includes at least a first distribution region 20A where the P-type impurity is distributed at a first concentration and a second distribution region 20B where the P-type impurity is distributed at a second concentration higher than the first concentration.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过较少数量的离子注入实现足够的耐受电压的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件包括：形成在碳化硅衬底10上的碳化硅漂移层1; 形成在碳化硅漂移层1的表面层中的P型区域2; 以及根据P型区域2的形成部分形成在碳化硅漂移层1上的肖特基电极3.P型区域2通过布置多个单元电池20而形成，每个单元电池20是重复单元 P型杂质分布。每个单元电池20至少包括第一分配区域20A，其中P型杂质以第一浓度分布;以及第二分布区域20B，其中P型杂质以比第一浓度高的第二浓度分布。

50. 发明专利

JP2012178494A Silicon-carbide junction barrier schottky diode and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：硅碳双绞线肖特基二极管及其制造方法
公开(公告)号：JP2012178494A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：JP2011041223
申请日：2011-02-28
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKUNO KOJI , TARUI YOICHIRO
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To selectively form a pregion on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the pregion without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode.SOLUTION: A pregion 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the pregion 4a is partially exposed by selectively etching the pregion 4a, thereby forming a psemiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region. An anode electrode is formed to cover the exposed portion of the n-type region and the psemiconductor projection 4.

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