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41. 发明申请

US20090250784A1 Structure and method for elimination of process-related defects in poly/metal plate capacitors 审中-公开
标题翻译：消除多金属/金属板电容器工艺相关缺陷的结构和方法
公开(公告)号：US20090250784A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：US12156503
申请日：2008-06-02
申请人： Walter B. Meinel , Henry Surtihadi , Philipp Steinmann , David J. Hannaman
发明人： Walter B. Meinel , Henry Surtihadi , Philipp Steinmann , David J. Hannaman
IPC分类号： H01L29/94 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L28/60
摘要： An integrated circuit includes silicon layer (2) supported by a bottom oxide layer (3), a shallow trench oxide (4) in the shallow trench (30), and a polycrystalline silicon layer (5) on the shallow trench oxide. A deep trench oxide (25) extending from the shallow trench oxide to the bottom oxide layer electrically isolates a section (2A) of the silicon layer to prevent a silicon cone defect (22) on the silicon layer (2) from causing short-circuiting of the polycrystalline silicon layer (5) to a non-isolated section of the silicon layer. The polycrystalline silicon layer (5) can form a bottom plate of a poly/metal capacitor (20) and can also form a poly interconnect conductor (5A).
摘要翻译：集成电路包括由底部氧化物层（3）支撑的硅层（2），浅沟槽（30）中的浅沟槽氧化物（4）和浅沟槽氧化物上的多晶硅层（5）。从浅沟槽氧化物延伸到底部氧化物层的深沟槽氧化物（25）将硅层的部分（2A）电隔离以防止硅层（2）上的硅锥缺陷（22）引起短路的多晶硅层（5）到硅层的非隔离部分。多晶硅层（5）可以形成多晶硅/金属电容器（20）的底板，并且还可以形成多晶硅互连导体（5A）。

42. 发明授权

US07403095B2 Thin film resistor structure and method of fabricating a thin film resistor structure 有权
标题翻译：薄膜电阻器结构及薄膜电阻器结构的制造方法
公开(公告)号：US07403095B2
公开(公告)日：2008-07-22
申请号：US11242575
申请日：2005-10-04
申请人： Brian Vialpando , Eric William Beach , Philipp Steinmann
发明人： Brian Vialpando , Eric William Beach , Philipp Steinmann
IPC分类号： H01C1/012
CPC分类号： H01L28/20 , H01C7/006 , H01C17/075 , Y10T29/49099 , Y10T29/4913
摘要： A thin film resistor structure and a method of fabricating a thin film resistor structure is provided. The thin film resistor structure includes an electrical interface layer or head layer that is a combination of a Titanium (Ti) layer and a Titanium Nitride (TiN) layer. The combination of the Ti layer and the TiN layer mitigates resistance associated with the electrical interface layers.
摘要翻译：提供薄膜电阻器结构和制造薄膜电阻器结构的方法。薄膜电阻器结构包括电接口层或头层，其是钛（Ti）层和氮化钛（TiN）层的组合。 Ti层和TiN层的组合减轻了与电接口层相关的电阻。

43. 发明授权

US07403094B2 Thin film resistor and dummy fill structure and method to improve stability and reduce self-heating 有权
标题翻译：薄膜电阻和虚拟填充结构和方法，以提高稳定性和减少自热
公开(公告)号：US07403094B2
公开(公告)日：2008-07-22
申请号：US11103203
申请日：2005-04-11
申请人： Eric W. Beach , Walter B. Meinel , Philipp Steinmann
发明人： Eric W. Beach , Walter B. Meinel , Philipp Steinmann
IPC分类号： H01C1/012
CPC分类号： H01L27/016 , H01L23/5228 , H01L28/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit thin film resistor structure includes a first dielectric layer (18A) disposed on a semiconductor layer (16), a first dummy fill layer (9A) disposed on the first dielectric layer (18B), a second dielectric layer (18C) disposed on the first dummy fill layer (9A), the second dielectric layer (18B) having a first planar surface (18-3), a first thin film resistor (2) disposed on the first planar surface (18-3) over the first dummy fill layer (9A). A first metal interconnect layer (22A,B) includes a first portion (22A) contacting a first head portion of the thin film resistor (2). A third dielectric layer (21) is disposed on the thin film resistor (2) and the first metal interconnect layer (22A,B). Preferably, the first thin film resistor (2) is symmetrically aligned with the first dummy fill layer (9A). In the described embodiments, the first dummy fill layer is composed of metal (integrated circuit metallization).
摘要翻译：一种集成电路薄膜电阻器结构，包括设置在半导体层（16）上的第一介电层（18A），设置在第一介电层（18B）上的第一虚拟填充层（9A）），第二介电层 18A），所述第二电介质层（18B）具有第一平坦表面（18-3），第一薄膜电阻器（2）设置在所述第一平坦表面（18）上，所述第一平坦表面 3）在第一虚拟填充层（9A）上。第一金属互连层（22A，B）包括接触薄膜电阻器（2）的第一头部的第一部分（22A）。第三电介质层（21）设置在薄膜电阻器（2）和第一金属互连层（22A，B）上。优选地，第一薄膜电阻器（2）与第一虚拟填充层（9A）对称地对准。在所描述的实施例中，第一虚拟填充层由金属（集成电路金属化）组成。

44. 发明申请

US20060238292A1 Thin film resistor and dummy fill structure and method to improve stability and reduce self-heating 有权
标题翻译：薄膜电阻和虚拟填充结构和方法，以提高稳定性和减少自热
公开(公告)号：US20060238292A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：US11103203
申请日：2005-04-11
申请人： Eric Beach , Walter Meinel , Philipp Steinmann
发明人： Eric Beach , Walter Meinel , Philipp Steinmann
IPC分类号： H01C1/012
CPC分类号： H01L27/016 , H01L23/5228 , H01L28/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit thin film resistor structure includes a first dielectric layer (18A) disposed on a semiconductor layer (16), a first dummy fill layer (9A) disposed on the first dielectric layer (18B), a second dielectric layer (18C) disposed on the first dummy fill layer (9A), the second dielectric layer (18B) having a first planar surface (18-3), a first thin film resistor (2) disposed on the first planar surface (18-3) over the first dummy fill layer (9A). A first metal interconnect layer (22A,B) includes a first portion (22A) contacting a first head portion of the thin film resistor (2). A third dielectric layer (21) is disposed on the thin film resistor (2) and the first metal interconnect layer (22A,B). Preferably, the first thin film resistor (2) is symmetrically aligned with the first dummy fill layer (9A). In the described embodiments, the first dummy fill layer is composed of metal (integrated circuit metallization).
摘要翻译：一种集成电路薄膜电阻器结构，包括设置在半导体层（16）上的第一介电层（18A），设置在第一介电层（18B）上的第一虚拟填充层（9A）），第二介电层 18A），所述第二电介质层（18B）具有第一平坦表面（18-3），第一薄膜电阻器（2）设置在所述第一平坦表面（18）上，所述第一平坦表面 3）在第一虚拟填充层（9A）上。第一金属互连层（22A，B）包括接触薄膜电阻器（2）的第一头部的第一部分（22A）。第三电介质层（21）设置在薄膜电阻器（2）和第一金属互连层（22A，B）上。优选地，第一薄膜电阻器（2）与第一虚拟填充层（9A）对称地对准。在所描述的实施例中，第一虚拟填充层由金属（集成电路金属化）组成。

45. 发明申请

US20050122207A1 Thin film resistor structure and method of fabricating a thin film resistor structure 有权
标题翻译：薄膜电阻器结构及薄膜电阻器结构的制造方法
公开(公告)号：US20050122207A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：US10727392
申请日：2003-12-04
申请人： Brian Vialpando , Eric Beach , Philipp Steinmann
发明人： Brian Vialpando , Eric Beach , Philipp Steinmann
IPC分类号： H01C1/142 , H01C7/00 , H01C17/075 , H01C17/28 , H01L21/02 , H01C1/012
CPC分类号： H01L28/20 , H01C7/006 , H01C17/075 , Y10T29/49099 , Y10T29/4913
摘要： A thin film resistor structure and a method of fabricating a thin film resistor structure is provided. The thin film resistor structure includes an electrical interface layer or head layer that is a combination of a Titanium (Ti) layer and a Titanium Nitride (TiN) layer. The combination of the Ti layer and the TiN layer mitigates resistance associated with the electrical interface layers.
摘要翻译：提供薄膜电阻器结构和制造薄膜电阻器结构的方法。薄膜电阻器结构包括电接口层或头层，其是钛（Ti）层和氮化钛（TiN）层的组合。 Ti层和TiN层的组合减轻了与电接口层相关的电阻。

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