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41. 发明公开

KR1020020090584A 유기 반사 방지막용 고분자 수지, 및 이를 이용하는ＫｒＦ 포토레지스트용 유기 반사 방지막 조성물 无效
标题翻译：用于有机抗反射涂料的聚合物树脂和用于KRF光催化剂的有机抗反射涂料组合物
公开(公告)号：KR1020020090584A
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1020010029484
申请日：2001-05-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김재현 , 김덕배 , 강윤호 , 송성국
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/091 , C07C69/76 , C07D213/643 , C07D498/04 , C09D133/10 , C09D183/04 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0752 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A polymer resin for an organic anti-reflective coating and an organic anti-reflective coating composition for KrF photoresist using the polymer resin are provided to raise etch rate and increase solubility so as to improve coating uniformity and prevent generation of impurities or defects on the surface of the coating. CONSTITUTION: A polymer resin for an organic anti-reflective coating is formed through radical polymerization having a compound for a light absorber. An organic anti-reflective coating composition includes the polymer resin, an organic solvent, a thermal acid generator and a cross linking agent. The organic anti-reflective coating composition is coated on a silicon wafer or an aluminum substrate using a spin coater, to form an anti-reflective coating. After the coating, the anti-reflective coating is heated at 190-240 degrees centigrade.
摘要翻译：目的：提供用于有机抗反射涂层的聚合物树脂和用于使用聚合物树脂的KrF光致抗蚀剂的有机抗反射涂层组合物，以提高蚀刻速率并增加溶解度，从而改善涂层均匀性并防止杂质或缺陷产生涂层的表面。构成：用于有机抗反射涂层的聚合物树脂通过具有用于光吸收剂的化合物的自由基聚合而形成。有机抗反射涂料组合物包括聚合物树脂，有机溶剂，热酸产生剂和交联剂。使用旋转涂布机将有机抗反射涂料组合物涂布在硅晶片或铝基板上，以形成抗反射涂层。涂覆后，抗反射涂层在190-240摄氏度下加热。

42. 发明授权

KR100308423B1 화학 증폭 레지스트용 폴리머 및 이를 이용한 레지스트 조성물 有权
标题翻译：使用该聚合物的化学稳定剂和电阻的聚合物
公开(公告)号：KR100308423B1
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1019990037772
申请日：1999-09-07
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김덕배 , 김현진 , 최용준 , 정윤식
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0045 , Y10S430/115
摘要： 본발명은화학증폭레지스트용폴리머및 이를이용한레지스트조성물에관한것이다. 본발명은화학식 1로표시되는폴리머및 상기폴리머를포함하는원자외선용화학증폭레지스트조성물을제공한다. 본발명의화학식 1로표시되는폴리머를포함하는화학증폭레지스트조성물은마이크로리소그라피공정에서단파장에감응하여기판에고해상도의미세한패턴을구현할수 있다.

43. 发明公开

KR1020000056326A 화학 증폭 레지스트 수지 失效
标题翻译：树脂为化学稳定剂
公开(公告)号：KR1020000056326A
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019990005542
申请日：1999-02-19
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정윤식 , 현승일 , 최용준 , 김양숙 , 김현진 , 김덕배 , 최세진
IPC分类号： C08F12/32
CPC分类号： C08F212/08 , G03F7/004 , G03F7/0392 , H01L21/027
摘要： PURPOSE: Resins for use in chemically amplified resists and a resist composition using the same are provided which can form a fine pattern of excellent resolution on a wafer in a photolithography process. CONSTITUTION: A polymer resins represented by the formula 1 and a chemically amplified resist composition having photosensitivity on short wavelength (deep UV) and containing the polymer resins are described. In formula, R1,R2 are each independently H or methyl, R3 is methyl, ethyl, n-butyl, 4-hydroxybutyl or cyclohexyl, R4 is Cl, Br, hydroxy, cyano, t-butoxy, CH2NH2, CONH2, CH=NH, CH(OH)NH2 or C(OH)=NH, R5 is H or methyl, x is a polymerization degree of 0.1 to 08, y is a polymerization degree of 0.1 to 0.8, The polymer resins have a molecular weight of 3,000 to 30,000 and a degree of dispersion of 1.01 to 3.00
摘要翻译：目的：提供用于化学放大抗蚀剂的树脂和使用其的抗蚀剂组合物，其可以在光刻工艺中在晶片上形成优异分辨率的精细图案。构成：描述由式1表示的聚合物树脂和在短波长（深UV）上具有光敏性并含有聚合物树脂的化学放大抗蚀剂组合物）。在式中，R 1，R 2各自独立地为H或甲基，R 3为甲基，乙基，正丁基，4-羟基丁基或环己基，R 4为Cl，Br，羟基，氰基，叔丁氧基，CH 2 NH 2，CONH 2，CH = NH ，CH（OH）NH 2或C（OH）= NH，R 5为H或甲基，x为聚合度为0.1〜08，y为聚合度为0.1〜0.8。聚合物树脂的分子量为3000〜 30,000，分散度为1.01〜3.00

44. 发明授权

KR101672720B1 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物和使用其形成半导体器件的图案的方法
公开(公告)号：KR101672720B1
公开(公告)日：2016-11-07
申请号：KR1020090016981
申请日：2009-02-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/0273
摘要： 리쏘그래피공정의해상도를증가시킬수 있는포토레지스트패턴코팅용고분자및 이를이용한반도체소자의패턴형성방법이개시된다. 상기포토레지스트패턴코팅용고분자는하기화학식으로표시된다. 상기화학식에서, R은각각독립적으로수소원자또는메틸기(-CH)이고, R은탄소수 3 내지 6 및질소수 1 내지 2의선형또는환형탄화수소기이고, R는탄소수 5 내지 20의알콕시벤젠기또는알콕시카보닐기이며, x, y 및 z는상기화학식의고분자를구성하는전체반복단위에대한각각의반복단위의몰%로서, x는 5 내지 90몰%, y는 5 내지 60 몰%, z는 5 내지 30몰%이다.

45. 发明授权

KR101618316B1 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于光刻胶图案涂布的聚合物和使用其的半导体器件的图案形成方法
公开(公告)号：KR101618316B1
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020090016965
申请日：2009-02-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/40
摘要： 리쏘그래피공정의해상도를증가시킬수 있는포토레지스트패턴코팅용고분자및 이를이용한반도체소자의패턴형성방법이개시된다. 상기포토레지스트패턴코팅고분자는하기화학식으로표시된다. 상기화학식에서, R은각각독립적으로수소원자또는메틸기(-CH)이고, R은탄소수 1 내지 18의선형또는환형탄화수소기이고, R는히드록시기(-OH), 카르복실기(-COOH), 또는탄소수 3 내지 10, 질소수 1 내지 3 및산소수 1 내지 3의선형또는환형탄화수소기이며, x 및 y는상기화학식의고분자를구성하는전체반복단위에대한각각의반복단위의몰%로서, x는 5 내지 100몰%이고, y는 0 내지 95 몰%이다.
摘要翻译：公开了一种能够提高光刻工艺的分辨率的用于光致抗蚀剂图案涂覆的聚合物以及一种用于形成使用该聚合物的半导体器件的图案的方法。光致抗蚀剂图案涂层聚合物由下式表示。 R是具有1至18个碳原子的直链或环状烃基，R是羟基（-OH），羧基（-COOH）或具有3至3个碳原子的基团对于10，氮数为1至3，氧数为1至3，x和y是相对于构成上式的聚合物的所有重复单元的每个重复单元的摩尔％，x是5 至100摩尔％，y为0至95摩尔％。

46. 发明授权

KR101421175B1 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：用于光刻胶的单体，其聚合物和包含其的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101421175B1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020070091591
申请日：2007-09-10
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김덕배 , 이정열 , 유근종 , 김상정 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C309/00 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2602/22 , C07C2602/42 , C07C2603/24 , C07C2603/74 , C07D307/32 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 옥심기를 포함하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 모노머는 하기 화학식으로 표시된다.

상기 식에서, R
* 은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, R은 에테르기를 포함하거나 포함하지 않는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 또는 에테르기, 케톤기 또는 황을 포함하거나 포함하지 않는 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 25의 아릴기, 헤테로아릴기, 사이클로알킬기 또는 멀티사이클로알킬기를 가지는 탄화수소기이다.
포토레지스트, 라인에지러프니스

47. 发明授权

KR101202402B1 스피로 환형 케탈기를 가지는 포토레지스트용 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：具有螺环缩酮基的光致抗蚀剂单体，其聚合物和包含它们的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101202402B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020050086174
申请日：2005-09-15
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이재우 , 이정열 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/039
摘要： 하기 화학식으로 표시되는 모노머를 이용하여 중합된, 스피로 환형 케탈기를 가지는 포토레지스트용 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 폴리머 및 포토레지스트 조성물은, 스피로 환형 케탈기가 탈보호되는 반응의 활성화 에너지가 낮아, 해상도 및 공정여유도를 개선할 수 있고, 노광후 베이크 온도 민감도(PEB sensitivity)가 낮기 때문에 정밀한 패턴을 구현할 수 있으며, 초점심도마진 및 라인에지러프니스를 개선할 수 있다.

상기 화학식에서, R
* 은 수소 또는 메틸기이고, x와 y는 각각 독립적으로, 1, 2 또는 3이며, R은 탄소수 3 내지 50의 단일환형(mono-cyclic) 또는 다환형(multi-cyclic)의 호모 또는 헤테로 포화 탄화수소기이다.
포토레지스트, 라인에지러프니스

48. 发明授权

KR101115089B1 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 有权
标题翻译：用于形成有机防反射膜的有机聚合物和含有其的有机组合物
公开(公告)号：KR101115089B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020050017291
申请日：2005-03-02
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/091
摘要： 포토리소그래피 공정에서, 노광원을 흡수하기 위하여 피식각층과 포토레지스트막 사이에 위치하는, 유기 반사방지막을 형성하기 위한 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체는 및 (여기서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다)으로 표시되는 반복단위를 포함하며, 유기 반사방지막의 식각률을 개선하고, 유기 반사방지막의 형성을 용이하게 하며, 기판과의 접착력을 개선하는 역할을 한다.
유기 반사방지막
摘要翻译：在光刻过程中的图像，这是位于为了吸收曝光光源，用于形成有机防反射膜和含有该材料的有机组合物中的有机聚合物的蚀刻层和光致抗蚀剂膜之间中公开。用于形成有机抗反射层的有机聚合物

49. 发明授权

KR101104628B1 전자선 리소그래피용 고분자 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물 失效
标题翻译：用于电子束光刻的聚合物和包含其的化学放大正型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101104628B1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：KR1020040104287
申请日：2004-12-10
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 임광휘 , 유민자 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/039
摘要： 감도 및 해상도가 우수하고, 라인 에지 러프니스를 개선하며, 코팅 후 지연 안정성, 노광 후 지연 안정성 등의 레지스트의 성능안정성이 우수하고, 전자선 조사장치의 진공 챔버 내에서의 방치에 따른 레지스트 선폭변동의 안정성을 개선하는, 하기 화학식으로 표시되는 전자선 리소그래피용 고분자 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물이 개시된다.

상기 화학식에서 R
* , R
** , R
1 , R
2 , R
3 , R
4, n, x, y 및 z는 명세서에서 정의한 바와 같다.

화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물, 포토레지스트.

50. 发明公开

KR1020110027377A 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 无效
标题翻译：光敏聚合物和光催化剂组合物，包括它们
公开(公告)号：KR1020110027377A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090085445
申请日：2009-09-10
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 제갈진 , 김정우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/20
摘要： PURPOSE: Photo-sensitive polymer and a photo-resist composition including the same are provided to reduce the non-uniformity of the photo-sensitive polymer by easily controlling the molecular weight of the photo-sensitive polymer. CONSTITUTION: Photo-sensitive polymer is represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1, R2, and R3 are hydrogen or a methyl group. A is C2 to C120 linear or branched alkyl group, in which a part or whole hydrogen atoms are substituted fluorine, with or without an ester group. X is C1 to C40 linear, branched, monocyclic, or polycyclic alkyl group. Y is C1 to C40 linear, branched, monocyclic, or polycyclic alkyl group with a lactone group. Z isC1 to C40 linear, branched, monocyclic, or polycyclic alkyl group, capable of being substituted with a hydroxyl group, or a hydroxyl group and a halogen group, with an ether group or an ester group. n is 1 to 15 of integer.
摘要翻译：目的：提供光敏聚合物和包含它们的光致抗蚀剂组合物，以通过容易地控制光敏聚合物的分子量来降低光敏聚合物的不均匀性。构成：光敏聚合物由化学式1表示。在化学式1中，R 1，R 2和R 3为氢或甲基。 A是C2〜C120直链或支链烷基，其中部分或全部氢原子是取代的氟，具有或不具有酯基。 X是C1至C40直链，支链，单环或多环烷基。 Y是具有内酯基团的C1至C40直链，支链，单环或多环烷基。 Z为具有醚基或酯基的能够被羟基或羟基和卤素取代的C 1〜C 40直链，支链，单环或多环烷基。 n为1〜15的整数。

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