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    • 46. 发明公开
    • 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
    • 化学放大的正型抗蚀剂组合物
    • KR1020060019730A
    • 2006-03-06
    • KR1020040068358
    • 2004-08-30
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 김상태다카하시켄지성시진양돈식박한우
    • G03F7/039
    • 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 수지와 하기 화학식 2 로 표시되는 광산발생제와 화학식 3 으로 표시되는 첨가제를 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다.

      [식 중,
      R
      1 : H 또는 CH
      3 ,
      R
      2 : H, 탄소수 1 ~ 6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      R
      3 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      a, b, c, d : 각각 독립적인 자연수로서 0.10 ≤a / (a+b+c+d) ≤0.50 또는 0.50 ≤b / (a+b+c+d) ≤0.90 또는 0 ≤(c+d) / (a+b+c+d) ≤0.40 을 만족함,
      R
      4 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      R
      5 : 탄소수 1 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 또는 하기
      화학식으로 나타내는 화합물임.

      (식 중, R
      8 은 탄소수 1 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 아릴기, 또는 포화다중고리형을 표시하고, X 는 단일결합 또는 산소원자를 표시하고, n 은 0 또는 자연수를 표시함)],

      (식 중, R
      6 , R
      7 : 탄소수 3 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기임)

      화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
    • (2)本发明涉及一种光酸发生剂和化学放大型正型抗蚀剂含有式(3)的由式表示的树脂添加剂组合物(1)由下式表示。
    • 47. 发明公开
    • 포지티브 타입 포토레지스트 조성물
    • 正极型光电组合物
    • KR1020050083314A
    • 2005-08-26
    • KR1020040011801
    • 2004-02-23
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 김상태강승진양돈식박종원
    • G03F7/023
    • 본 발명은 330~450nm의 광에 의해 조사되는 포지티브 타입 포토레지스트 로 1마이크로미터 정도의 박막 및 2마이크로미터 이상의 후막 리프트 오프 공정에 적용 가능한 역테이퍼형 프로파일을 형성하는 포토레지스트 조성물 에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 조성물은 디아조나프토퀴논을 포함하는 감광성 물질과 알칼리 가용성 수지인 노볼락 수지, 그리고 메틸 아밀 케톤등의 용매, 하기 화학식1의 화합물과 하기 화학식2의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 i선(365nm) 포지티브 타입 포토레지스트 조성물에 관한 것으로써 역테이퍼형 프로파일을 형성하고 접착력이 우수하여 해상도가 좋은 특성이 있다.

      (식중, R 은 H , OH, 탄소수 1 내지 6 의 알킬, 탄소수 1 내지 6 의 알콕시, 또는 탄소수 6 내지 12 의 아릴이다)

      (식중, R 은 H , OH, 탄소수 1 내지 6 의 알킬, 탄소수 1 내지 6 의 알콕시, 또는` 탄소수 6 내지 12 의 아릴이다)
    • 48. 发明授权
    • 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법
    • 알코올과에테르를포함하는새로운에드비드제거용세정용액및이를이용한세정방알
    • KR100469558B1
    • 2005-02-02
    • KR1020020018284
    • 2002-04-03
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 송형수김상태강승진성시진양돈식김일호
    • C11D3/22
    • PURPOSE: Provided is a cleaning solution which can remove the edge beads efficiently so that the processing costs can be saved and the reliability, performance and yield of the semiconductor device produced thereafter can be improved. CONSTITUTION: The cleaning solution for edge bead removing(EBR) comprises: 0.1 to 10 wt% of an alcohol; 0.1 to 10 wt% of an ether; 0.01 to 10 wt% of an amine; 0.01 to 10 wt% of an alkali metal hydroxide; 0 to 10 wt% of a surfactant; and the balance of deionized water, based on 100 wt% of the total composition. The method for removing edge bead comprises the steps of applying a photoresist on the top face of a substrate(10), removing edge beads of the photoresist by using the solution as defined above, and exposing and developing the photoresist to leave the photoresist(20) selectively.
    • 目的:提供一种能够有效地去除边缘珠粒的清洁溶液,从而可以节约处理成本,并且可以改善此后生产的半导体器件的可靠性,性能和成品率。 构成:用于边缘珠去除(EBR)的清洁溶液包含:0.1至10重量%的醇; 0.1至10重量%的醚; 0.01至10重量%的胺; 0.01至10重量%的碱金属氢氧化物; 0至10重量%的表面活性剂; 和余量的去离子水,基于总组合物的100重量%。 去除边缘珠的方法包括以下步骤:在衬底(10)的顶面上施加光致抗蚀剂,通过使用如上定义的溶液去除光致抗蚀剂的边缘珠,并且曝光和显影光致抗蚀剂以留下光致抗蚀剂(20 )选择性地。
    • 49. 发明公开
    • 에테르와 케톤을 함유하는 에지 비드 제거용 세정 용액 및이를 이용한 세정 방법
    • 包括用于边缘除珠的醚和酮的洗涤溶液和使用其的洗涤方法
    • KR1020040037626A
    • 2004-05-07
    • KR1020020066192
    • 2002-10-29
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 김상태양돈식김성현김일호
    • C11D3/26
    • PURPOSE: Provided is a washing solution for edge bead remover(EBR), which is weak alkaline, inexpensive and environmental-friendly, and removes a part of photoresist on edges with no damage on a substrate. CONSTITUTION: The washing solution for EBR comprises: 0.2-20 wt% of ethers consisting of a first ether and a second ether; 0.1-10 wt% of a ketone; 0.01-10 wt% of an amine; 0.01-10 wt% of an alkali metal hydroxide; and the balance amount of deionized water, based on the total weight of the composition. An edge bead removing method using the washing solution comprises the steps of: coating a photoresist on the top surface of a substrate(10); removing edge beads on the photoresist by using the washing solution; and exposing and developing the photoresist to leave a selected part of the photoresist.
    • 目的:提供一种弱碱性,便宜且环保的边缘珠粒去除剂(EBR)清洗液,并且在基材上不会损坏边缘的一部分光致抗蚀剂。 构成:用于EBR的洗涤溶液包含:0.2-20重量%的由第一醚和第二醚组成的醚; 0.1-10重量%的酮; 0.01〜10重量%的胺; 0.01-10重量%的碱金属氢氧化物; 和去离子水的平衡量,基于组合物的总重量。 使用洗涤液的边缘珠去除方法包括以下步骤:在基材(10)的顶表面上涂覆光致抗蚀剂; 通过使用洗涤溶液去除光致抗蚀剂上的边缘珠; 并且曝光和显影光致抗蚀剂以留下光刻胶的选定部分。