专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TW201235326A 雷射切斷用之化學強化玻璃板审中-公开
简体标题：激光切断用之化学强化玻璃板
公开(公告)号：TW201235326A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW101101142
申请日：2012-01-11
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：齋藤勳 , 小池章夫 , 岩永泰成 , 小林裕介 , 岩崎達彌
IPC分类号： C03C , C03B
CPC分类号： C03B33/091 , B23K26/0057 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/40 , B23K2201/006 , B23K2203/172 , C03B33/07
摘要：雷射切斷用之化學強化玻璃板10係包括殘留壓縮應力之表面層13及殘留壓縮應力之背面層15、以及形成於該表面層13與該背面層15之間且殘留拉伸應力之中間層17。表面層13之最大殘留壓縮應力及背面層15之最大殘留壓縮應力分別為600 MPa以上，中間層17之內部殘留拉伸應力為15 MPa以上。化學強化玻璃板10係將所有鐵以3價鐵之氧化物換算時之鐵含量為100質量ppm以上，以2價鐵之氧化物換算之含量為20～60000質量ppm。若將化學強化玻璃板10對中心波帶為1075～1095 nm之雷射光之吸收係數設為α(cm -1 )，將化學強化玻璃板10之厚度設為t(cm)，則化學強化玻璃板10滿足0.001≦α×t≦3.0之式。
简体摘要：激光切断用之化学强化玻璃板10系包括残留压缩应力之表面层13及残留压缩应力之背面层15、以及形成于该表面层13与该背面层15之间且残留拉伸应力之中间层17。表面层13之最大残留压缩应力及背面层15之最大残留压缩应力分别为600 MPa以上，中间层17之内部残留拉伸应力为15 MPa以上。化学强化玻璃板10系将所有铁以3价铁之氧化物换算时之铁含量为100质量ppm以上，以2价铁之氧化物换算之含量为20～60000质量ppm。若将化学强化玻璃板10对中心波带为1075～1095 nm之激光光之吸收系数设为α(cm -1 )，将化学强化玻璃板10之厚度设为t(cm)，则化学强化玻璃板10满足0.001≦α×t≦3.0之式。

42. 发明专利

TW201223910A 無鹼玻璃及無鹼玻璃之製造方法审中-公开
简体标题：无碱玻璃及无碱玻璃之制造方法
公开(公告)号：TW201223910A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100145138
申请日：2011-12-07
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：十村知之 , 西澤學 , 小池章夫
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C3/091 , C03C3/087
摘要：本發明係關於一種無鹼玻璃，其應變點為725℃以上，50~300℃下之平均熱膨脹係數為30×10 -7 ~40×10 -7 /℃，玻璃黏度成為10 2 dPa‧s時之溫度T2為1710℃以下，玻璃黏度成為10 4 dPa‧s時之溫度T4為1320℃以下，以氧化物基準之莫耳%表示係包含66~70之SiO2、12~15之Al2O3、0~1.5之B2O3、超過9.5且為13以下之MgO、4~9之CaO、0.5~4.5之SrO、0~1之BaO、0~2之ZrO2，且MgO+CaO+SrO+BaO為17~21，MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)為0.4以上，MgO/(MgO+CaO)為0.4以上，MgO/(MgO+SrO)為0.6以上，實質上不含有鹼金屬氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种无碱玻璃，其应变点为725℃以上，50~300℃下之平均热膨胀系数为30×10 -7 ~40×10 -7 /℃，玻璃黏度成为10 2 dPa‧s时之温度T2为1710℃以下，玻璃黏度成为10 4 dPa‧s时之温度T4为1320℃以下，以氧化物基准之莫耳%表示系包含66~70之SiO2、12~15之Al2O3、0~1.5之B2O3、超过9.5且为13以下之MgO、4~9之CaO、0.5~4.5之SrO、0~1之BaO、0~2之ZrO2，且MgO+CaO+SrO+BaO为17~21，MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.4以上，MgO/(MgO+CaO)为0.4以上，MgO/(MgO+SrO)为0.6以上，实质上不含有碱金属氧化物。

43. 发明专利

TW201242920A 用於雷射切斷前之化學強化之玻璃板审中-公开
简体标题：用于激光切断前之化学强化之玻璃板
公开(公告)号：TW201242920A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101101143
申请日：2012-01-11
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：齋藤勳 , 小池章夫 , 岩永泰成 , 小林裕介 , 岩崎達彌
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03B33/091 , B23K26/0057 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/40 , B23K2201/006 , B23K2203/172 , C03B33/07
摘要：本發明係一種用於雷射切斷前之化學強化之玻璃板，且若將玻璃板對中心波帶為1075～1095nm之雷射光之吸收係數設為α(cm -1 )，將玻璃板之厚度設為t(cm)，則滿足0.001≦α×t≦3.0之式。
简体摘要：本发明系一种用于激光切断前之化学强化之玻璃板，且若将玻璃板对中心波带为1075～1095nm之激光光之吸收系数设为α(cm -1 )，将玻璃板之厚度设为t(cm)，则满足0.001≦α×t≦3.0之式。

44. 发明专利

TW201206677A 壓印模具用含有ＴｉＯ２之石英玻璃基材及其製造方法审中-公开
简体标题：压印模具用含有ＴｉＯ２之石英玻璃基材及其制造方法
公开(公告)号：TW201206677A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100124645
申请日：2011-07-12
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小池章夫 , 宮坂順子 , 中西博志
IPC分类号： B29C , C03C , G02B , H01L
CPC分类号： B29D11/00769 , B24B9/10 , B29C59/002 , B29C59/026 , C03B19/14 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C19/00 , C03C2201/42 , C03C2204/08 , G03F7/0002 , Y10T428/24355
摘要：本發明係關於一種具有主表面與側面之壓印模具用含有TiO2之石英玻璃基材，上述側面之算術平均粗糙度(Ra)為1 nm以下，上述側面之10 μm至1 mm之波長區域之凹凸的均方根(MSFR_rms)為10 nm以下。
简体摘要：本发明系关于一种具有主表面与侧面之压印模具用含有TiO2之石英玻璃基材，上述侧面之算术平均粗糙度(Ra)为1 nm以下，上述侧面之10 μm至1 mm之波长区域之凹凸的均方根(MSFR_rms)为10 nm以下。

45. 发明专利

TW201200284A 半導體裝置貫通電極形成用之玻璃基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备贯通电极形成用之玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TW201200284A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100113793
申请日：2011-04-20
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小野元司 , 小池章夫 , 村上亮太 , 菊川信也
IPC分类号： B23K
CPC分类号： H01L23/15 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種藉由對玻璃基板照射雷射光，可使玻璃基板不產生龜裂或變形等而恰當地形成複數個貫通孔的半導體裝置貫通電極形成用之玻璃基板之製造方法。本發明係關於一種半導體裝置貫通電極形成用之玻璃基板之製造方法，其包含如下步驟：(1)準備厚度為0.01mm~5mm、SiO2含量為50wt%~70wt%、50℃至300℃下之平均熱膨脹係數為10×10 -7 /K~50×10 -7 /K之玻璃基板；(2)將上述玻璃基板配置於來自準分子雷射光產生裝置之準分子雷射光之光程上；(3)於上述準分子雷射光產生裝置與上述玻璃基板之間之上述光程上，配置不包含貫通開口之遮罩；及(4)自上述準分子雷射光產生裝置，沿著上述光程對上述玻璃基板照射上述準分子雷射光，而於上述玻璃基板形成貫通孔。
简体摘要：本发明提供一种借由对玻璃基板照射激光光，可使玻璃基板不产生龟裂或变形等而恰当地形成复数个贯通孔的半导体设备贯通电极形成用之玻璃基板之制造方法。本发明系关于一种半导体设备贯通电极形成用之玻璃基板之制造方法，其包含如下步骤：(1)准备厚度为0.01mm~5mm、SiO2含量为50wt%~70wt%、50℃至300℃下之平均热膨胀系数为10×10 -7 /K~50×10 -7 /K之玻璃基板；(2)将上述玻璃基板配置于来自准分子激光光产生设备之准分子激光光之光程上；(3)于上述准分子激光光产生设备与上述玻璃基板之间之上述光程上，配置不包含贯通开口之遮罩；及(4)自上述准分子激光光产生设备，沿着上述光程对上述玻璃基板照射上述准分子激光光，而于上述玻璃基板形成贯通孔。

46. 发明专利

TW201213263A 含有ＴｉＯ２之石英玻璃基材及其製造方法审中-公开
简体标题：含有ＴｉＯ２之石英玻璃基材及其制造方法
公开(公告)号：TW201213263A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100124323
申请日：2011-07-08
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：宮坂順子 , 小池章夫
IPC分类号： C03C , B29C
CPC分类号： C03B20/00 , B29C33/38 , B29K2909/08 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/08 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , G03F7/0002
摘要：本發明係關於一種TiO2濃度為3~8質量%、OH濃度為50質量ppm以下、波長365 nm時之每1 mm厚度之內部透射率T365為95%以上的含有TiO2之石英玻璃基材。
简体摘要：本发明系关于一种TiO2浓度为3~8质量%、OH浓度为50质量ppm以下、波长365 nm时之每1 mm厚度之内部透射率T365为95%以上的含有TiO2之石英玻璃基材。

47. 发明专利

TW201201334A 半導體裝置貫通電極用之玻璃基板审中-公开
简体标题：半导体设备贯通电极用之玻璃基板
公开(公告)号：TW201201334A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100113788
申请日：2011-04-20
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小池章夫 , 小野元司 , 村上亮太 , 菊川信也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/15 , H01L21/4807 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , Y10T428/24273 , Y10T428/24298 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種具有較先前之半導體裝置貫通電極用之玻璃基板更良好之强度之玻璃基板。本發明係關於一種玻璃基板,其特徵在於:其係包含第1表面與第2表面且包含自上述第1表面延伸至上述第2表面為止之貫通孔之半導體裝置貫通電極用之玻璃基板,上述第1及第2表面之至少一者經化學强化。
简体摘要：本发明提供一种具有较先前之半导体设备贯通电极用之玻璃基板更良好之强度之玻璃基板。本发明系关于一种玻璃基板,其特征在于:其系包含第1表面与第2表面且包含自上述第1表面延伸至上述第2表面为止之贯通孔之半导体设备贯通电极用之玻璃基板,上述第1及第2表面之至少一者经化学强化。

48. 发明专利

TW201245063A 強化玻璃板之切斷方法审中-公开
简体标题：强化玻璃板之切断方法
公开(公告)号：TW201245063A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW100141708
申请日：2011-11-15
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：齋藤勳 , 小池章夫 , 岩永泰成 , 小林裕介 , 岩崎達彌
IPC分类号： C03B , B23K
摘要：強化玻璃板之切斷方法係包括對強化玻璃板10之表面12照射雷射光20、且使雷射光20之照射區域22於強化玻璃板10之表面12上移動之步驟。於雷射光20垂直入射至表面12之情形時，α×t大於0且為3以下。α係表示強化玻璃板10對雷射光20之吸收係數(cm -1 )，t係表示強化玻璃板10之厚度(cm)。又，於雷射光20傾斜入射至表面12之情形時，α×t/cosγ大於0且為3以下。γ係表示雷射光20之折射角(°)。藉由對雷射光20之照射區域之中間層17以徐冷點以下之溫度進行加熱，而控制因中間層17之殘留拉伸應力而產生於強化玻璃板10之裂痕30之伸展。
简体摘要：强化玻璃板之切断方法系包括对强化玻璃板10之表面12照射激光光20、且使激光光20之照射区域22于强化玻璃板10之表面12上移动之步骤。于激光光20垂直入射至表面12之情形时，α×t大于0且为3以下。α系表示强化玻璃板10对激光光20之吸收系数(cm -1 )，t系表示强化玻璃板10之厚度(cm)。又，于激光光20倾斜入射至表面12之情形时，α×t/cosγ大于0且为3以下。γ系表示激光光20之折射角(°)。借由对激光光20之照射区域之中间层17以徐冷点以下之温度进行加热，而控制因中间层17之残留拉伸应力而产生于强化玻璃板10之裂痕30之伸展。

49. 发明专利

TW201242913A 顯示裝置用化學強化玻璃审中-公开
简体标题：显示设备用化学强化玻璃
公开(公告)号：TW201242913A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101109228
申请日：2012-03-16
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小池章夫 , 島田勇也 , 齋藤勳
IPC分类号： C03B , G02F
CPC分类号： C03C21/002 , C03C3/085 , C03C21/00 , Y10T428/315
摘要：本發明係關於一種顯示裝置用化學強化玻璃，其於厚度1mm下之使用A光源之可見光穿透率Tva為50%以上且未達91%，並且厚度1mm下之刺激純度Pe未達0.5。
简体摘要：本发明系关于一种显示设备用化学强化玻璃，其于厚度1mm下之使用A光源之可见光穿透率Tva为50%以上且未达91%，并且厚度1mm下之刺激纯度Pe未达0.5。

50. 发明专利

TW201240930A 強化玻璃板之切斷方法审中-公开
简体标题：强化玻璃板之切断方法
公开(公告)号：TW201240930A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101101161
申请日：2012-01-11
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：齋藤勳 , 小池章夫 , 岩永泰成 , 小林裕介 , 岩崎達彌
IPC分类号： C03B , B23K
CPC分类号： C03B33/091 , B23K26/0057 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/40 , B23K2201/006 , B23K2203/172 , C03B33/07
摘要：強化玻璃板之切斷方法係包括對強化玻璃板10之表面12照射雷射光20、且使雷射光20之照射區域22於強化玻璃板10之表面12上移動之步驟。雷射光係具有800~1100nm之波長，且入射至強化玻璃板10之表面12的雷射光20係70.00~99.8%穿透。又，藉由一面使雷射光20之照射區域22以1.0mm/sec以上進行移動，一面以徐冷點以下之溫度加熱照射區域22中之中間層17，而使沿板厚方向貫穿強化玻璃板10之裂痕追隨照射區域22之後方，將強化玻璃板10切斷。
简体摘要：强化玻璃板之切断方法系包括对强化玻璃板10之表面12照射激光光20、且使激光光20之照射区域22于强化玻璃板10之表面12上移动之步骤。激光光系具有800~1100nm之波长，且入射至强化玻璃板10之表面12的激光光20系70.00~99.8%穿透。又，借由一面使激光光20之照射区域22以1.0mm/sec以上进行移动，一面以徐冷点以下之温度加热照射区域22中之中间层17，而使沿板厚方向贯穿强化玻璃板10之裂痕追随照射区域22之后方，将强化玻璃板10切断。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式