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41. 发明专利

SG11201803629SA PULSED CURRENT SOURCE WITH INTERNAL IMPEDANCE MATCHING 未知
公开(公告)号：SG11201803629SA
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：SG11201803629S
申请日：2016-11-08
申请人： QUALITAU INC
发明人： ULLMANN JENS , KRIEGER GEDALIAHOO , BORTHWICK JAMES
IPC分类号： G01R31/319 , G01R31/28
摘要： Pulsed current circuitry for electromigration testing of semiconductor integrated circuits and components. The circuit includes a multiplexer that outputs analog voltage pulses, and is capable of generating both bipolar and unipolar voltage pulses. At least one operational amplifier and resistor receive the voltage pulses from the multiplexer and convert the voltage pulses to current pulses. A charge booster circuit is provided for minimizing overshoots and undershoots during transitions between current levels in the test circuit.

42. 发明专利

DE112008003713T5 Elektromigrationster für hohe Kapazität und hohen Strom 未知
公开(公告)号：DE112008003713T5
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：DE112008003713
申请日：2008-12-16
申请人： QUALITAU INC
发明人： ULLMANN JENS
IPC分类号： G01R31/27

43. 发明专利

DE602004019562D1 未知
公开(公告)号：DE602004019562D1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：DE602004019562
申请日：2004-12-02
申请人： QUALITAU INC
发明人： CUEVAS PETER , KRIEGER GEDALIAHOO , EVANS MAURICE , ULLMANN JENS
IPC分类号： B65F1/00 , G01R31/28
摘要： A pulsed current generator circuit for providing current pulses to a device under test includes a current source for applying a current to the device under test and a controlled current shunt for shunting current from the device under test. A booster circuit is provided for supplying a booster current to the device under test when the controlled current shunt is opened and current again flows through the device under test, thereby facilitating recharge of a parasitic capacitance associated with the device under test.

44. 发明专利

MY188202A PULSED CURRENT SOURCE WITH INTERNAL IMPEDANCE MATCHING 未知
公开(公告)号：MY188202A
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：MYPI2018701761
申请日：2016-11-08
申请人： QUALITAU INC
发明人： ULLMANN JENS , KRIEGER GEDALIAHOO , BORTHWICK JAMES
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/319
摘要： Pulsed current circuitry for electromigration testing of semiconductor integrated circuits and components. The circuit includes a multiplexer that outputs analog voltage pulses, and is capable of generating both bipolar and unipolar voltage pulses. At least one operational amplifier and resistor receive the voltage pulses from the multiplexer and convert the voltage pulses to current pulses. A charge booster circuit is provided for minimizing overshoots and undershoots during transitions between current levels in the test circuit.

45. 发明专利

DE112008003713B4 Elektromigrationstester für hohe Kapazität und hohen Strom 未知
公开(公告)号：DE112008003713B4
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：DE112008003713
申请日：2008-12-16
申请人： QUALITAU INC
发明人： ULLMANN JENS
IPC分类号： G01R31/27
摘要： Ein Verfahren zum Durchführen eines elektromagnetischen Tests an einer elektronischen, zu testenden Vorrichtung (DUT), wobei die Methode folgendes umfasst: Einfügen der DUT in eine Schaltung, die folgendes umfasst: Eine kontrollierte Stromquelle, wobei die kontrollierte Stromquelle einen Ausgangsstrom aufweist, und wobei die Stromquelle in Serie mit der DUT geschalten ist; und einen Spannungsbegrenzer, der in Parallelschaltung mit der DUT verbundenen ist, wobei der Spannungsbegrenzer dadurch gekennzeichnet ist, dass, wenn der Ausgangsstrom derart ist, dass die Spannung über die DUT (Vdut) eine bestimmte Maximalspannung Vmax überschreitet, bei eingesetztem Spannungsbegrenzer, wenigstens ein Anteil des Ausgangsstroms durch den Spannungsbegrenzer fließt, und ein weiterer Anteil des Ausgangsstroms durch die zu testende Vorrichtung (DUT) weiterhin fließt, so dass Vdut derart begrenzt ist, dass sie ≤ Vmax ist; und wenn der Ausgangsstrom derart ist, dass Vdut ≤ Vmax ist, kein Strom durch den Spannungsbegrenzer fließt, und wobei der Spannungsbegrenzer durch eine Übergangsregion, die um Vmax für die DUT liegt, derart gekennzeichnet ist, dass, wenn die Spannung für die DUT Vmax erreicht und überschreitet, der Anteil des Ausgangsstroms, der durch den Spannungsbegrenzer fließt, allmählich zunimmt, um entsprechend ein allmähliches Absenken des weiteren Anteils des Ausgangsstroms durch die DUT zu verursachen.

46. 发明专利

DE112014001341T5 Wafertemperatur-Messwerkzeug 未知
公开(公告)号：DE112014001341T5
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：DE112014001341
申请日：2014-02-24
申请人： QUALITAU INC
发明人： MCCLOUD EDWARD A , VANDENBERG DAVID
IPC分类号： G01K1/14
摘要： Ein Wafertemperatur-Messwerkzeug zum Messen der Oberflächentemperatur eines Halbleiterwafers. Das Werkzeug kann dazu verwendet werden, die Temperatur an verschiedenen Teilen des Wafers zu messen, um eine hochauflösende Temperaturverteilungsabbildung bereitzustellen. Das Werkzeug weist einen innenliegenden kalibrierten Gewichtskörper auf, der verschiebbar in einem Werkzeugkörper angeordnet ist. Ein Temperatursensor ist an der Unterseite des Gewichtskörpers angebracht. Keramische Aufstandsteile sind an der Unterseite des Werkzeugkörpers angebracht. Die Schwerkraft zieht den Gewichtskörper nach unten, so dass der Temperatursensor den Wafer berührt, wenn die keramischen Aufstandsteile des Werkzeugkörpers auf den Wafer aufgesetzt sind.

47. 发明专利

DE112010000729B4 Integrierte Einheit für elektrisches Testen/ Zuverlässigkeitstesten mit verbesserter thermischer Kontrolle 未知
公开(公告)号：DE112010000729B4
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：DE112010000729
申请日：2010-01-26
申请人： QUALITAU INC
发明人： LUPASHKU MIRTCHA , HERSCHMANN JACOB , KRIEGER GEDALIAHOO
IPC分类号： G01R31/26 , G05D23/00
摘要： Thermisch regelbare integrierte Einheit, die eingerichtet ist, zumindest einen Prüfling (Device Under Test, DUT) aufzunehmen, umfassend: zumindest eine Heizplatte (THB, BHB), die aus thermisch leitendem Material besteht und mit zumindest einem globalen Heizelement (GHR, GHL) ausgestattet ist, das auf die zumindest eine Heizplatte (THB, BHB) aufgedruckt ist und eingerichtet ist, eine DUT-Platte (DUTB) aufzuheizen; und die DUT-Platte (DUTB), die in thermischem Kontakt mit der zumindest einen Heizplatte (THB; BHB) steht, wobei die DUT-Platte (DUTB) eine Vielzahl von Fassungen beinhaltet, von denen jede eingerichtet ist, zumindest einen Prüfling (DUT) aufzunehmen, und die DUT-Platte (DUTB) Leitungspfade aufweist, um elektrische Signale zwischen Test-Equipment und den Anschlusspunkten des zumindest einen Prüflings (DUT) in den Fassungen zu leiten, wobei jede Fassung einen zugeordneten Temperatursensor (SENT) und ein separat steuerbares lokales Heizelement (LH1, LH2, LH3, LH4) beinhaltet, das eingerichtet ist, das lokale Heizelement (LH1, LH2, LH3, LH4) für diese Fassung basierend auf einer Temperaturangabe von dem Temperatursensor (SENT) zu aktivieren, um den zumindest einen Prüfling (DUT) in dieser Fassung aufzuheizen, und wobei das lokale Heizelement (LH1, LH2, LH3, LH4) ein aufgedrucktes, heizendes Element ist.

48. 发明专利

SG172233A1 INTEGRATED UNIT FOR ELECTRICAL/RELIABILITY TESTING WITH IMPROVED THERMAL CONTROL 未知
公开(公告)号：SG172233A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：SG2011044542
申请日：2010-01-26
申请人： QUALITAU INC
发明人： LUPASHKU MIRTCHA , HERSCHMANN JACOB , KRIEGER GEDALIAHOO
摘要： In accordance with an aspect, a thermally-controllable integrated unit is configured to hold devices under test. The integrated unit includes at least one heater board, comprised of a thermally-conductive material and provided with at least one global heater configured to globally heat the DUT board. A DUT board of the integrated unit includes a DUT board in thermal contact with the at least one heater board, the DUT board including a plurality of sockets, each socket configured to hold at least one DUT. The DUT has conductor paths to conduct electrical signals between test equipment and the terminals of DUTs in the sockets. Each socket includes an associated temperature sensor and a separately controllable local heater configured to, based on a temperature indication from the temperature sensor, heat a DUT in that socket.

49. 发明专利

DE112009002052T5 Modifizierte Stromquelle mit übergangsloser Bereichsumschaltung 未知
公开(公告)号：DE112009002052T5
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：DE112009002052
申请日：2009-07-29
申请人： QUALITAU INC
发明人： BORTHWICK JAMES , RAICHMAN TAL , CUEVAS PETER P
IPC分类号： G05F1/56
摘要： Stromquelle, die für eine im Wesentlichen übergangslose Bereichsumschaltung eingerichtet ist, umfassend: ein erstes Widerstandsnetz mit einem Eingang und einem Ausgang, wobei der Widerstand des ersten Widerstandsnetzwerks dynamisch konfigurierbar ist; ein zweites Widerstandsnetzwerk mit einem Eingang und einem Ausgang, wobei der Widerstand des zweiten Widerstandsnetzwerks dynamisch konfigurierbar ist, der Ausgang des ersten Widerstandsnetzwerks mit dem Eingang des zweiten Widerstandsnetzwerks verbunden ist und der Ausgang des zweiten Widerstandsnetzwerks dazu eingerichtet ist, verbunden zu werden, um einem Prüfling Strom bereit zu stellen; einen ersten Differenzverstärker mit einem Ausgang, einem nicht-invertierenden Eingang und einem invertierenden Eingang, wobei der nicht-invertierende Eingang mit dem Eingang des ersten Widerstandsnetzwerks verbunden ist und der invertierende Eingang mit dem Ausgang des ersten Widerstandsnetzwerks verbunden ist; einen zweiten Differenzverstärker mit einem Ausgang, einem nicht-invertierenden Eingang und einem invertierenden Eingang, wobei der nicht-invertierende Eingang mit dem Eingang des zweiten Widerstandsnetzwerks verbunden ist und der invertierende Eingang mit...

50. 发明专利

MY140869A SEMI-AUTOMATIC MULTIPLEXING SYSTEM FOR AUTOMATED SEMICONDUCTOR WAFER TESTING 未知
公开(公告)号：MY140869A
公开(公告)日：2010-01-29
申请号：MYPI20081484
申请日：2006-11-03
申请人： QUALITAU INC
发明人： SHAHRIAR MOSTARSHED , ANDERSON MICHAEL L
IPC分类号： G01R31/02
摘要： A SEMI-AUTOMATIC MULTIPLEXING SYSTEM FOR AUTOMATED SEMICONDUCTOR WAFER TESTING EMPLOYS A JUMPER BLOCK (22) FOR EACH DEVICE TYPE IN THE SEMICONDUCTOR WAFER TO BE TESTED, EACH JUMPER BLOCK HAVING INPUTS FOR RECEIVING A TEST INPUT/OUTPUT LINE, A PLURALITY OF BLOCK CONTACTS CORRESPONDING TO PADS FOR A DEVICE TO BE TESTED, AND MANUALLY SET CONNECTORS (23) OR JUMPER CABLES FOR SELECTIVELY INTERCONNECTING JUMPER BLOCK INPUTS TO BLOCK CONTACTS. A MULTIPLEXER (30) IS THEN USED FOR SELECTIVELY CONNECTING TESTER INPUT/OUTPUT LINES TO THE JUMPER BLOCKS, THEREBY REDUCING THE NUMBER OF RELAYS REQUIRED FOR CONNECTING TEST SIGNALS TO THE DEVICES IN THE SEMICONDUCTOR WAFER.

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