专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TWI446451B 雷射退火處理裝置、雷射退火處理體的製造方法以及雷射退火處理程式有权
简体标题：激光退火处理设备、激光退火处理体的制造方法以及激光退火处理进程
公开(公告)号：TWI446451B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100106887
申请日：2011-03-02
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：吉澤太一 , YOSHIZAWA, TAICHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUGHWAN
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268
CPC分类号： B23K26/0622

42. 发明专利

TWI396753B 儲氫合金及其製造方法有权
简体标题：储氢合金及其制造方法
公开(公告)号：TWI396753B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW095145110
申请日：2006-12-05
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：伊藤秀明 , HIDEAKI ITO , 高橋俊男 , TOSHIO TAKAHASHI , 山田人久 , HITOHISA YAMADA , 兜森俊樹 , TOSHIKI KABUTOMORI
IPC分类号： C22C1/02 , C22C28/00 , F27B14/08
CPC分类号： C30B29/52 , B22D27/045 , C01B3/0031 , C01P2002/76 , C22C1/00 , C22C27/025 , C30B21/02 , F17C11/005 , H01M4/383 , H01M8/04208 , H01M8/065 , Y02E60/321 , Y02E60/327

43. 发明专利

TWI380369B 雷射照射裝置有权
简体标题：激光照射设备
公开(公告)号：TWI380369B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW096101711
申请日：2007-01-17
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：富樫陵太郎 , 井波俊夫 , 次田純一 , 草間秀晃 , 小林直之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/083 , B23K26/0622 , B23K26/0821 , B23K2201/40 , H01L21/268
摘要：提供一種可使帶狀照射領域在長軸方向高速移動且容易控制位置之雷射照射裝置。
迴轉多角形鏡(2)係以一定速度迴轉。時序控制電路(8)係依照自編碼器(7)之迴轉相位資訊(Q)而在既定的時間範圍內變化輸出時序使觸發器G輸出。雷射振盪器(1)係因應於觸發器(G)而輸出雷射光束(B1)。
由於雷射振盪器(1)只要使雷射光束(B1)以脈衝輸出之平均時間間隔的鏡子數倍之時間而使迴轉多角形鏡(2)作一次迴轉即可，因此，其實施容易。雷射振盪器(1)使雷射光束(B1)脈衝輸出的時序控制雖然比平均時間間隔為短，但由於未具可動部份，因此，亦使實施容易。藉此，在帶狀照射領域(4)的長軸方向之既定範圍內可容易高速地移動帶狀照射領域(4)的位置。
简体摘要：提供一种可使带状照射领域在长轴方向高速移动且容易控制位置之激光照射设备。掉头多角形镜(2)系以一定速度掉头。时序控制电路(8)系依照自编码器(7)之掉头相位信息(Q)而在既定的时间范围内变化输出时序使触发器G输出。激光振荡器(1)系因应于触发器(G)而输出激光光束(B1)。由于激光振荡器(1)只要使激光光束(B1)以脉冲输出之平均时间间隔的镜子数倍之时间而使掉头多角形镜(2)作一次掉头即可，因此，其实施容易。激光振荡器(1)使激光光束(B1)脉冲输出的时序控制虽然比平均时间间隔为短，但由于未具可动部份，因此，亦使实施容易。借此，在带状照射领域(4)的长轴方向之既定范围内可容易高速地移动带状照射领域(4)的位置。

44. 发明专利

TW201145401A 結晶質半導體的製造方法以及雷射退火裝置 FABRICATING METHOD OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR AND LASER ANNEALING APPARATUS 审中-公开
简体标题：结晶质半导体的制造方法以及激光退火设备 FABRICATING METHOD OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR AND LASER ANNEALING APPARATUS
公开(公告)号：TW201145401A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100108932
申请日：2011-03-16
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：鄭石煥 , 次田純一 , 町田政志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/0622 , B23K26/705 , H01L21/02686
摘要：一種製造裝置包括雷射振盪器,輸出脈衝雷射;光學系統,引導上述脈衝雷射至非晶質半導體;以及移動裝置,為了使上述脈衝雷射對上述非晶質半導體掃描且進行照射,而使上述非晶質半導體相對地移動,其中,上述雷射振盪器輸出的脈衝雷射於隨時間强度變化中在1脈衝具有多個波峰群,上述波峰群中,具有最大高度的第1波峰群與之後出現的第2波峰群的波峰强度値滿足(第2波峰群)/(第1波峰群)≦0.35的關係。上述脈衝雷射照射至非晶質半導體而獲得具有均勻特性的結晶質半導體。
简体摘要：一种制造设备包括激光振荡器,输出脉冲激光;光学系统,引导上述脉冲激光至非晶质半导体;以及移动设备,为了使上述脉冲激光对上述非晶质半导体扫描且进行照射,而使上述非晶质半导体相对地移动,其中,上述激光振荡器输出的脉冲激光于随时间强度变化中在1脉冲具有多个波峰群,上述波峰群中,具有最大高度的第1波峰群与之后出现的第2波峰群的波峰强度値满足(第2波峰群)/(第1波峰群)≦0.35的关系。上述脉冲激光照射至非晶质半导体而获得具有均匀特性的结晶质半导体。

45. 发明专利

TW201145396A 雷射退火處理裝置、雷射退火處理體的製造方法以及雷射退火處理程式 LASER ANNEAL PROCESSING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF LASER ANNEAL PROCESSING BODY AND LASER ANNEAL PROCESSING PROGRAM 审中-公开
简体标题：激光退火处理设备、激光退火处理体的制造方法以及激光退火处理进程 LASER ANNEAL PROCESSING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF LASER ANNEAL PROCESSING BODY AND LASER ANNEAL PROCESSING PROGRAM
公开(公告)号：TW201145396A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100106887
申请日：2011-03-02
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：吉澤太一 , 鄭石煥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0622
摘要：本發明使雷射退火處理中所使用的脈衝雷射光的脈衝波形穩定而可進行均一的退火處理。本發明的雷射退火處理裝置包括:氣體激發脈衝雷射振盪器,使自氣體激發脈衝雷射振盪器輸出的脈衝雷射光以規定的衰減率透過的可變衰減器,將已透過可變衰減器的脈衝雷射光向被處理體導引的光學系統,以及進行第1控制的控制部,其調整氣體激發脈衝雷射振盪器的脈衝雷射光的輸出値,控制部依據氣體激發脈衝雷射振盪器內的氣體的劣化,進行第2控制使由第1控制而調整的該輸出値降低且減小可變衰減器的衰減率,以抑制脈衝波形的變化而消除每一脈衝的不均。
简体摘要：本发明使激光退火处理中所使用的脉冲激光光的脉冲波形稳定而可进行均一的退火处理。本发明的激光退火处理设备包括:气体激发脉冲激光振荡器,使自气体激发脉冲激光振荡器输出的脉冲激光光以规定的衰减率透过的可变衰减器,将已透过可变衰减器的脉冲激光光向被处理体导引的光学系统,以及进行第1控制的控制部,其调整气体激发脉冲激光振荡器的脉冲激光光的输出値,控制部依据气体激发脉冲激光振荡器内的气体的劣化,进行第2控制使由第1控制而调整的该输出値降低且减小可变衰减器的衰减率,以抑制脉冲波形的变化而消除每一脉冲的不均。

46. 发明专利

TW201041044A 半導體膜的雷射回火方法以及回火裝置 LASER ANNEALING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM AND ANNEALING APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体膜的激光回火方法以及回火设备 LASER ANNEALING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM AND ANNEALING APPARATUS
公开(公告)号：TW201041044A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099102826
申请日：2010-02-01
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：次田純一 , 鄭石煥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0622 , B23K26/705 , H01L21/02532 , H01L21/02686
摘要：於雷射回火時可無關於雷射輸出的變動而確保結晶化的均一性。將脈衝雷射光照射至非單晶半導體膜上進行回火處理的雷射回火處理方法中,以雷射光的脈衝波形的最大波峰高度達規定高度的方式,來控制脈衝雷射光的能量。進行該控制的雷射回火裝置包括輸出脈衝雷射光的雷射振盪器1、將脈衝雷射光導至非單晶半導體膜的光學系統4、測定脈衝雷射光最大波峰高度的最大波峰高度測定部及控制部8,控制部8接收最大波峰高度測定部的測定結果,且以最大波峰高度達規定高度的方式,來控制雷射振盪器中脈衝雷射光的輸出能量或調整脈衝雷射光衰減率的可變衰減器2。
简体摘要：于激光回火时可无关于激光输出的变动而确保结晶化的均一性。将脉冲激光光照射至非单晶半导体膜上进行回火处理的激光回火处理方法中,以激光光的脉冲波形的最大波峰高度达规定高度的方式,来控制脉冲激光光的能量。进行该控制的激光回火设备包括输出脉冲激光光的激光振荡器1、将脉冲激光光导至非单晶半导体膜的光学系统4、测定脉冲激光光最大波峰高度的最大波峰高度测定部及控制部8,控制部8接收最大波峰高度测定部的测定结果,且以最大波峰高度达规定高度的方式,来控制激光振荡器中脉冲激光光的输出能量或调整脉冲激光光衰减率的可变衰减器2。

47. 发明专利

TW201007823A 雷射光照射方法以及雷射光照射裝置 LASER LIGHT PROJECTION METHOD AND PROJECTION APPRATUS 审中-公开
简体标题：激光光照射方法以及激光光照射设备 LASER LIGHT PROJECTION METHOD AND PROJECTION APPRATUS
公开(公告)号：TW201007823A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098116785
申请日：2009-05-20
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：加藤修 , 次田純一 , 山本淳司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285
摘要：本發明可藉由數次雷射光掃描而對大面積的半導體薄膜進行雷射光照射。本發明的雷射光照射方法，是對矩陣狀排列著薄膜二極體或薄膜電晶體的半導體薄膜照射帶狀的雷射光，並使半導體薄膜在該雷射光短軸方向上相對地移動，而使得上述雷射先在半導體薄膜上掃描。以上述雷射光的長軸方向端部，位於上述二極體或電晶體的各個的形成區域間，且該雷射光的長軸方向端緣未到達外側的上述形成區域的方式來進行上述雷射光的掃描。在雷射光的數次掃描中，成為不均勻區域的雷射光端部位於形成區域之間，而不會位於薄膜電晶體等的形成區域中，從而可使薄膜電晶體等的特性均勻。進而，可製作不受雷射光的長度的限制的大面積面板。
简体摘要：本发明可借由数次激光光扫描而对大面积的半导体薄膜进行激光光照射。本发明的激光光照射方法，是对矩阵状排列着薄膜二极管或薄膜晶体管的半导体薄膜照射带状的激光光，并使半导体薄膜在该激光光短轴方向上相对地移动，而使得上述激光先在半导体薄膜上扫描。以上述激光光的长轴方向端部，位于上述二极管或晶体管的各个的形成区域间，且该激光光的长轴方向端缘未到达外侧的上述形成区域的方式来进行上述激光光的扫描。在激光光的数次扫描中，成为不均匀区域的激光光端部位于形成区域之间，而不会位于薄膜晶体管等的形成区域中，从而可使薄膜晶体管等的特性均匀。进而，可制作不受激光光的长度的限制的大面积皮肤。

48. 发明专利

TWI263385B 結晶化膜的形成方法及其裝置 MAKING METHOD AND DEVICE OF A MEMBRANE OF CRYSTALLIZATION 有权
简体标题：结晶化膜的形成方法及其设备 MAKING METHOD AND DEVICE OF A MEMBRANE OF CRYSTALLIZATION
公开(公告)号：TWI263385B
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094126366
申请日：2005-08-03
申请人：日本製鋼所股份有限公司 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：小林直之 KOBAYASHI, NAOYUKI , 草間秀晃 KUSAMA, HIDEAKI , 井波俊夫 INAMI, TOSHIO
IPC分类号： H01S , G02B , C30B
CPC分类号： G03F7/70583 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/067 , C30B13/24 , G03F7/70075
摘要：本發明的課題是雷射光源因為會射出具有擴散角的光束，所以會對於透鏡陣列的1個透鏡部分，射入已穿透光路差產生構件的複數個高低差部分之雷射光，而當成像在被照明物體上時，無法免於受到干涉。
其解決手段：對於將作為具有擴散角θ的光束之雷射光1射出之雷射光源A，從一側面來看具備有：將雷射光1分割縮小成複數個而形成為分割光線9後，使各分割光線9成為各別的縮小光束而得到縮小分割光線10之分割縮小手段(2、3)；及使分割面側減少反射來讓各縮小分割光線10各別穿透，並具備以調節相干性的方式使相互間產生光路差之阻光部7a之光路差產生構件7；及使已穿透光路差產生構件7之縮小分割光線10聚光之聚光透鏡5；藉由穿透聚光透鏡5而重疊之雷射光來照明被照射面6。
简体摘要：本发明的课题是激光光源因为会射出具有扩散角的光束，所以会对于透镜数组的1个透镜部分，射入已穿透光路差产生构件的复数个高低差部分之激光光，而当成像在被照明物体上时，无法免于受到干涉。其解决手段：对于将作为具有扩散角θ的光束之激光光1射出之激光光源A，从一侧面来看具备有：将激光光1分割缩小成复数个而形成为分割光线9后，使各分割光线9成为各别的缩小光束而得到缩小分割光线10之分割缩小手段(2、3)；及使分割面侧减少反射来让各缩小分割光线10各别穿透，并具备以调节相干性的方式使相互间产生光路差之阻光部7a之光路差产生构件7；及使已穿透光路差产生构件7之缩小分割光线10聚光之聚光透镜5；借由穿透聚光透镜5而重叠之激光光来照明被照射面6。

49. 发明专利

TWI259549B 照射距離自動調整方法及裝置有权
简体标题：照射距离自动调整方法及设备
公开(公告)号：TWI259549B
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW092105105
申请日：2003-03-10
申请人：日本製鋼所股份有限公司 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：井波俊夫 INAMI, TOSHIO , 貴志正行 , 次田純一 SHIDA, JUNICHI , 仁井貴文
IPC分类号： H01L
摘要： [課題]為將結晶用雷射光與測距用光兩者導引到相同光軸上，不但兩道光線容易發生干涉等，而且在透過半透明鏡(half mirror)時，會發生反射光或透射光而降低強度。
[解決手段]具備使台面10對光柵21與物鏡3相對移動之升降驅動裝置30，設置於由脈衝雷射4隔開特定距離 L，依次測定被照射物5與照射面之距離h並輸出檢測值 hn之距離計31，以及用於輸出與被照射物5與物鏡3之間之適當距離相對應之基本控制值H之基本控制值設定手段32，不但依次求得基本控制值H與檢測值hn之差值△ n，同時求得上次求得之差值△n- 1與此次求得之差值△n之差所構成之控制差值δ，使其僅延遲移動該控制差值δ特定距離L所需要之時間輸出，並依照控制差值δ驅動計降驅動裝置30以控制裝置。
简体摘要： [课题]为将结晶用激光光与测距用光两者导引到相同光轴上，不但两道光线容易发生干涉等，而且在透过半透明镜(half mirror)时，会发生反射光或透射光而降低强度。 [解决手段]具备使台面10对光栅21与物镜3相对移动之升降驱动设备30，设置于由脉冲激光4隔开特定距离 L，依次测定被照射物5与照射面之距离h并输出检测值 hn之距离计31，以及用于输出与被照射物5与物镜3之间之适当距离相对应之基本控制值H之基本控制值设置手段32，不但依次求得基本控制值H与检测值hn之差值△ n，同时求得上次求得之差值△n- 1与此次求得之差值△n之差所构成之控制差值δ，使其仅延迟移动该控制差值δ特定距离L所需要之时间输出，并依照控制差值δ驱动计降驱动设备30以控制设备。

50. 发明专利

TW200621467A 成形體之製造方法及製造裝置审中-公开
简体标题：成形体之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TW200621467A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094128394
申请日：2005-08-19
申请人：日本製鋼所股份有限公司 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：伊東宏 HIROSHI ITO , 燒本數利 KAZUTOSHI YAKEMOTO
IPC分类号： B29C
CPC分类号： B29C43/021 , B29C31/044 , B29C31/045 , B29C31/068 , B29C43/34 , B29C43/52 , B29C43/54 , B29C47/0019 , B29C47/0021 , B29C47/003 , B29C47/0033 , B29C47/0811 , B29C47/368 , B29C2035/0822 , B29C2043/025 , B29C2043/3438 , B29C2043/3444 , B29C2043/525 , B29L2011/0016
摘要：本發明之目的係可以超低壓的成形步驟，以三度空間、薄壁且大面積的形狀來提供具有超細微加工、高尺寸精密度、低殘留應力、低雙折射、高透光性以及機械強度佳的成形體之成形體之製造方法及製造裝置。本發明提供一種製造方法，其具有：於在表面具有細微凹凸部10的成形模具11上塗佈熔融樹脂12的塗佈步驟；藉由鑄模來壓下樹脂12，修整成形體之形狀的壓下步驟；以及冷卻樹脂12使其固化的固化步驟；塗佈步驟係將樹脂供給於具備吐出口的塗佈裝置，一邊移動塗佈裝置，一邊以大致接近最終製品之形狀及厚度，從加熱過的成形模具11之凹凸部10上方吐出樹脂12，於凹凸部10填充樹脂之步驟；本發明並提供製造裝置。
简体摘要：本发明之目的系可以超低压的成形步骤，以三度空间、薄壁且大面积的形状来提供具有超细微加工、高尺寸精密度、低残留应力、低双折射、高透光性以及机械强度佳的成形体之成形体之制造方法及制造设备。本发明提供一种制造方法，其具有：于在表面具有细微凹凸部10的成形模具11上涂布熔融树脂12的涂布步骤；借由铸模来压下树脂12，修整成形体之形状的压下步骤；以及冷却树脂12使其固化的固化步骤；涂布步骤系将树脂供给于具备吐出口的涂布设备，一边移动涂布设备，一边以大致接近最终制品之形状及厚度，从加热过的成形模具11之凹凸部10上方吐出树脂12，于凹凸部10填充树脂之步骤；本发明并提供制造设备。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式