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41. 发明申请

WO2007053553A2 METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A NITRIDED GERMANIUM-CONTAINING LAYER USING PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：使用等离子体处理形成氮化含锗层的方法和系统
公开(公告)号：WO2007053553A2
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/US2006/042298
申请日：2006-10-27
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY , SUGAWARA, Takuya , MCINTYRE, Paul, C.
发明人： SUGAWARA, Takuya , MCINTYRE, Paul, C.
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/314 , C23C16/34
CPC分类号： H01L21/02247 , C23C8/02 , C23C8/36 , H01J2237/3387 , H01L21/02252 , H01L21/02337 , H01L21/02343 , H01L21/28202 , H01L21/28255 , H01L21/3143 , H01L21/318
摘要： A method and system (3, 400, 1300) for forming a nitrided germanium-containing layer by plasma processing. The method includes providing a germanium-containing substrate (25, 458, 1322) in a process chamber (10, 450, 1320), generating a plasma from a process gas (42) containing N 2 and a noble gas, where the plasma conditions are selected effective to form plasma excited N 2 species while controlling formation of plasma excited N species, and exposing the substrate (25, 458, 1322) to the plasma to form a nitrided germanium-containing layer on the substrate (25, 458, 1322). A method is also provided that includes exposing a germanium-containing dielectric layer to liquid or gaseous H 2 O to alter the thickness and chemical composition of the layer.
摘要翻译：用于通过等离子体处理形成氮化的含锗层的方法和系统（3,400,1300）。该方法包括在处理室（10,450,1320）中提供含锗衬底（25,458,1322），从含有N 2和N 2的处理气体（42）产生等离子体，惰性气体，其中等离子体条件被选择为有效形成等离子体激发的N 2物质，同时控制等离子体激发的N物质的形成，并且使衬底（25,458,1322）暴露于等离子体以形成氮化的含锗层（25,458,1322）。还提供了一种方法，其包括将含锗电介质层暴露于液态或气态H 2 O以改变层的厚度和化学组成。

42. 发明申请

WO2007044048A2 METHOD AND SYSTEM FOR TREATING A SUBSTRATE WITH A HIGH PRESSURE FLUID USING A PEROXIDE-BASED PROCESS CHEMISTRY IN CONJUNCTION WITH AN INITIATOR 审中-公开
标题翻译：使用基于过氧化物的加工化学与引发剂一起用高压流体处理基底的方法和系统
公开(公告)号：WO2007044048A2
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/US2005/047693
申请日：2005-12-30
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , KEVWITCH, Robert
发明人： KEVWITCH, Robert
CPC分类号： H01L21/02101 , G03F7/427 , H01L21/67028
摘要： A method and system (100, 200) is described for treating a substrate (105, 205) with a high pressure fluid, such as carbon dioxide in a supercritical state. A process chemistry containing a process peroxide is introduced to the high pressure fluid for treating the substrate surface. The peroxide-based chemistry is used in conjunction with an initiator, wherein the initiator facilitates the formation of a radical of the process peroxide.
摘要翻译：描述了用高压流体（例如处于超临界状态的二氧化碳）处理基板（105,205）的方法和系统（100,200）。将包含过氧化氢的工艺化学品引入高压流体以处理基材表面。基于过氧化物的化学物质与引发剂一起使用，其中引发剂促进过程过氧化物的自由基的形成。

43. 发明申请

WO2007030194A1 BUILT-IN SELF TEST FOR A THERMAL PROCESSING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：用于热处理系统的内置自检
公开(公告)号：WO2007030194A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/US2006/026220
申请日：2006-07-06
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , KAUSHAL, Sanjeev , PANDEY, Pradeep , SUGISHIMA, Kenji , DIP, Anthony , SMITH, David , JOE, Raymond , GANDHI, Sundar
发明人： KAUSHAL, Sanjeev , PANDEY, Pradeep , SUGISHIMA, Kenji , DIP, Anthony , SMITH, David , JOE, Raymond , GANDHI, Sundar
CPC分类号： H01L22/10 , G05B23/0254 , H01L21/67248
摘要： A method of monitoring a thermal processing system (100, 200) in real-time using a built-in self test (BIST) table that includes positioning a plurality of wafers (W) in a processing chamber (202) in the thermal processing system (100, 200); executing a real-time dynamic model (330) to generate a predicted dynamic process response for the processing chamber (202) during the processing time; creating a first measured dynamic process response; determining a dynamic estimation error using a difference between the predicted dynamic process response and the measured dynamic process response; and comparing the dynamic estimation error to operational thresholds established by one or more rules in the BiST table.
摘要翻译：一种使用内置自检（BIST）表实时监测热处理系统（100,200）的方法，其包括将多个晶片（W）定位在热处理系统中的处理室（202）中（100,200）; 执行实时动态模型（330）以在处理时间期间生成用于处理室（202）的预测动态过程响应; 创建第一个测量动态过程响应; 使用预测的动态过程响应和测量的动态过程响应之间的差来确定动态估计误差; 并将动态估计误差与由BiST表中的一个或多个规则建立的操作阈值进行比较。

44. 发明申请

WO2006107545A2 METHOD FOR FORMING A BARRIER/SEED LAYER FOR COPPER METALLIZATION 审中-公开
标题翻译：形成用于铜金属化的阻挡层/籽层的方法
公开(公告)号：WO2006107545A2
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/US2006/009219
申请日：2006-03-14
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , SUZUKI, Kenji
发明人： SUZUKI, Kenji
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/06 , H01L21/288
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L21/76874
摘要： A method (400) for improving adhesion of Cu to a Ru layer (650a, 650b) in Cu metallization. The method (400) includes providing a substrate (25, 125) in a process chamber (10, 110) of a deposition system (1 , 100), depositing a Ru layer (650a, 650b) on the substrate (25, 125) in a chemical vapor deposition process, and forming a Cu seed layer (660a, 660b) on the Ru layer (650a, 650b) to prevent oxidation of the Ru layer (650a, 650b). The Cu seed layer (660a, 660b) is partially or completely oxidized prior to performing a Cu bulk plating process on the substrate (25, 125). The oxidized portion (660a, 667) of the Cu seed layer (660a, 660b) is substantially dissolved and removed from the substrate (25, 125) during interaction with a Cu plating solution, thereby forming a bulk Cu layer (670a, 670b) with good adhesion to the underlying Ru layer (650a, 650b).
摘要翻译：（400），用于改善Cu在Cu金属化层中与Ru层（650a，650b）的粘附性的方法（400）。该方法（400）包括在沉积系统（1,100）的处理室（10,110）中提供衬底（25,125），在衬底（25,125）上沉积Ru层（650a，650b）在化学气相沉积工艺中，以及在Ru层（650a，650b）上形成Cu晶种层（660a，660b）以防止Ru层（650a，650b）的氧化。在对衬底（25,125）执行Cu大块电镀工艺之前，Cu籽晶层（660a，660b）被部分或完全氧化。在与Cu电镀溶液相互作用期间，Cu籽晶层（660a，660b）的氧化部分（660a，667）基本上被溶解并从衬底（25,125）去除，从而形成块Cu层（670a，670b）对下面的Ru层（650a，650b）具有良好的粘附性。

45. 发明申请

WO2006104626A1 METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING A LAYER FROM LIGHT-INDUCED VAPORIZATION OF A SOLID PRECURSOR 审中-公开
标题翻译：从固体前驱体的光诱导蒸发沉积层的方法和系统
公开(公告)号：WO2006104626A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/US2006/007147
申请日：2006-03-01
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , LEUSINK, Gerrit, J.
发明人： LEUSINK, Gerrit, J.
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/4405
摘要： A method (300) and system (1 , 2) for depositing a layer from a vaporized solid precursor. The method includes providing a substrate (25) in a process chamber (10, 11) of a deposition system (1 , 2), forming a precursor vapor by light- induced vaporization of a solid precursor (52), and exposing the substrate (25) to a process gas containing the precursor vapor to deposit a layer including at least one element from the precursor vapor on the substrate (25).
摘要翻译：一种用于从蒸发的固体前体沉积层的方法（300）和系统（1,2）。该方法包括在沉积系统（1,2）的处理室（10,11）中提供衬底（25），通过固体前体（52）的光诱导蒸发形成前体蒸汽，并将衬底（ 25）包含含有前体蒸气的工艺气体，以在衬底（25）上沉积包含来自前体蒸气的至少一种元素的层。

46. 发明申请

WO2006101646A1 METHOD FOR FORMING A RUTHENIUM METAL LAYER ON A PATTERNED SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在图案基板上形成金属层的方法
公开(公告)号：WO2006101646A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/US2006/006031
申请日：2006-02-21
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , MATSUDA, Tsukasa
发明人： MATSUDA, Tsukasa
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/18 , C23C16/02 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , C23C16/4481 , C23C16/45542 , C23C16/52 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： A method (300) for forming a ruthenium metal layer (560) includes providing a patterned substrate (25, 125, 500) in a process chamber (10, 110) of a deposition system(1, 100), where the patterned substrate (25, 125, 500) contains one or more vias or trenches, or combinations thereof, depositing a first ruthenium metal layer (540) on the substrate (25, 125, 500) in an atomic layer deposition process, and depositing a second ruthenium metal layer (550) on the first ruthenium metal layer (540) in a thermal chemical vapor deposition process. The deposited ruthenium metal layer (560) can be used as a diffusion barrier layer, a seed layer for electroplating, or both.
摘要翻译：用于形成钌金属层（560）的方法（300）包括在沉积系统（1,100）的处理室（10,110）中提供图案化衬底（25,125,500），其中所述图案化衬底 25，125，500）包含一个或多个通孔或沟槽或其组合，在原子层沉积工艺中在衬底（25,125,500）上沉积第一钌金属层（540），并沉积第二钌金属层（550）在热化学气相沉积工艺中的第一钌金属层（540）上。沉积的钌金属层（560）可以用作扩散阻挡层，用于电镀的种子层或两者。

47. 发明申请

WO2014055218A1 PROCESS GAS GENERATION FOR CLEANING OF SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：过程气体产生用于清洁基板
公开(公告)号：WO2014055218A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/US2013/059601
申请日：2013-09-13
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
发明人： BROWN, Ian, J.
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67017 , B08B7/0057 , H01L21/0206 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： Provided are a method and system for cleaning a substrate (6, 14, 224, 932) with a cleaning system (902, 1004) comprising a pre-treatment system and a wet clean system. One or more objectives for the pre-treatment system are selected, and two or more pre-treatment operating variables including UV dose, substrate temperature, oxygen partial pressure, oxygen and ozone partial pressure, and/or total pressure, are optimized to meet the pre-treatment objectives, using metrology measurements. The substrate (6, 14, 224, 932) includes a layer (204, 208) to be cleaned and an underlying dielectric layer (212) having a k-value. A pre-treatment gas comprising oxygen and/or ozone is delivered onto a surface of the substrate (6, 14, 224, 932) and irradiated with a UV device, generating oxygen radicals. Cleaning of the substrate (6, 14, 224, 932) in the pre-treatment process is set at less than 100 % in order to ensure the change in It- value of the substrate (6, 14, 224, 932) is within a set range for the substrate application.
摘要翻译：提供了一种用包括预处理系统和湿清洁系统的清洁系统（902,1004）清洁衬底（6,14,224,932）的方法和系统。选择预处理系统的一个或多个目标，并且优化两个或更多个预处理操作变量，包括UV剂量，衬底温度，氧分压，氧气和臭氧分压和/或总压力，以满足预处理目标，使用度量测量。衬底（6,14,224,932）包括待清洁的层（204,208）和具有k值的下面的介电层（212）。将包含氧气和/或臭氧的预处理气体输送到衬底（6,14,224,932）的表面上并用UV装置照射，产生氧自由基。为了确保衬底（6,14,24,932）的It值发生变化，将预处理过程中的衬底（6,14,24,932）的清洁度设定为小于100％基板应用的设定范围。

48. 发明申请

WO2013142565A1 BRAZING ALLOYS AND METHODS OF BRAZING 审中-公开
标题翻译： BRAZING合金及其制作方法
公开(公告)号：WO2013142565A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/US2013/033085
申请日：2013-03-20
申请人： HARRIS, Joseph, W.
发明人： HARRIS, Joseph, W.
IPC分类号： B23K35/30 , C22C9/00 , C22C30/02
CPC分类号： B23K35/302 , B23K1/00 , B23K1/203 , B23K1/206 , B23K3/043 , B23K35/0227 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K2203/04 , B23K2203/05 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22C30/02
摘要： A brazing alloy is provided in the form of a wire, rod or preform., and is made of, in weight percent: 3-7.5% P, 0.1 -1.9% Zn, 0-74.7% Ag, 0-80% An, 0-10% Sn, 0-5% Ni, 0-3% each of Si, Mn, Li, and Ge, and the balance copper in an amount of at least 21.7%. In additional embodiments, Zn may be present in an amount of 0.6-1.9%. A method of torch brazing is also provided. The method includes forming the alloy into a wire or rod, placing the tip of the wire or rod in contact with a surface of a joint, heating the joint surface using a torch flame, and contacting the tip of the wire or rod to the heated joint surface to melt and flow the alloy onto the joint surface and into the joint under capillary action.
摘要翻译：钎焊合金以线材，棒材或预制件的形式提供，重量百分比为：3-7.5％P，0.1-1.9％Zn，0-74.7％Ag，0-80％An， 0-10％Sn，0-5％Ni，0-3％Si，Mn，Li和Ge，余量铜的含量为21.7％以上。在另外的实施方案中，Zn可以以0.6-1.9％的量存在。还提供了一种焊炬钎焊的方法。该方法包括将合金形成线或棒，将线或杆的尖端与接头的表面接触，使用割炬火焰加热接头表面，并将线或棒的尖端接触到加热的接头表面在毛细管作用下熔化并将合金流入接头表面并进入接头。

49. 发明申请

WO2013016179A1 METHOD FOR BRAZING METAL PARTS COMPRISING COPPER, SILVER AND/OR GOLD AND ONE PART HAVING A LAYER OF SUCH BASE MATERIAL AND PHOSPHORUS 审中-公开
标题翻译：用于制造包含铜，银和/或金的金属部件的方法和具有这种基材和磷的层的金属部件
公开(公告)号：WO2013016179A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/US2012/047572
申请日：2012-07-20
申请人： HARRIS, Joseph, W.
发明人： HARRIS, Joseph, W.
IPC分类号： B23K1/00 , B23K1/19 , A44C27/00 , B23K35/30 , C22C5/02 , C22C5/08 , C22C9/00
CPC分类号： B23K1/0008 , B23K1/19 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/06 , B23K2203/08 , B23K2203/12 , C22C5/08 , C22C9/00
摘要： A method of forming a brazed joint (40) is provided in which a surface portion (12) of a first metal part (10) is placed in contact with a surface portion (22) of a second metal part (20) to form a contact area (30) therebetween, and the first metal part (10) and second metal part (20) include copper, silver and/or gold as the primary base metal (s) and at least the surface portion (12) of the first metal part (10) is a modified alloy of the primary base metal (s) having 0.5-12 wt. % phosphorus as a modifier. The surface portion (12) of the first metal part (10) is heated to a temperature sufficient to cause the phosphorus to wet the surface portion (22) of the second metal part (20) and to flow a low melting portion of the surface portion (12) of the first metal part (10) into the contact area (30) by capillary attraction to form the brazed joint (40) between the first metal part (10) and the second metal part (20).
摘要翻译：提供一种形成钎焊接头（40）的方法，其中将第一金属部件（10）的表面部分（12）放置成与第二金属部件（20）的表面部分（22）接触以形成第一金属部分（10）和第二金属部分（20）包括铜，银和/或金作为主要基底金属，并且至少第一金属部分（10）和第二金属部分（20）的表面部分金属部分（10）是具有0.5-12重量％的主要贱金属的改性合金。％磷作为改性剂。将第一金属部件（10）的表面部分（12）加热到足以使磷润湿第二金属部件（20）的表面部分（22）并使表面的低熔点部分流动的温度通过毛细吸引将第一金属部件（10）的部分（12）引入接触区域（30），以在第一金属部件（10）和第二金属部件（20）之间形成钎焊接头（40）。

50. 发明申请

WO2012129005A1 METHOD FOR PATTERNING A FULL METAL GATE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：用于绘制全金属门结构的方法
公开(公告)号：WO2012129005A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/US2012/028904
申请日：2012-03-13
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. , LUONG, Vihn, Hoang , KO, Akiteru
发明人： LUONG, Vihn, Hoang , KO, Akiteru
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31122 , H01L21/28123 , H01L21/28247 , H01L21/32136 , H01L21/32138 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： A method of patterning a gate structure (100, 100', 200) on a substrate (25, 105, 210) is described. The method includes preparing a metal gate structure (100, 100', 200) on a substrate (25, 105, 210), wherein the metal gate structure (100, 100', 200) includes a high dielectric constant (high-k) layer (230), a first gate layer (120, 240) formed on the high-k layer (230), and a second gate layer (130, 250) formed on the first gate layer (120, 240), and wherein the first gate layer (120, 240) comprises one or more metal-containing layers (240A, 240B). The method further includes preparing a mask layer (260, 270) with a pattern overlying the metal gate structure (100, 100', 200), transferring the pattern to the second gate layer (130, 250), transferring the pattern to the first gate layer (120, 240), and transferring the pattern in the first gate layer (120, 240) to the high-k layer (230), and prior to the transferring of the pattern to the high-k layer (230), passivating an exposed surface (245) of the first gate layer (120, 240) using a nitrogen-containing and/or carbon-containing environment to reduce under-cutting (140, 140') of the first gate layer (120, 240) relative to the second gate layer (130, 250), wherein the passivating is performed separately from or in addition to the transferring of the pattern to the first gate layer (120, 240).
摘要翻译：描述了在衬底（25,105,210）上图案化栅极结构（100,100'，200）的方法。该方法包括在衬底（25,105,210）上制备金属栅极结构（100,100'，200），其中金属栅极结构（100,100'，200）包括高介电常数（高k）层（230），形成在高k层（230）上的第一栅极层（120,240）和形成在第一栅极层（120,240）上的第二栅极层（130,250），并且其中第一栅极层（120,240）包括一个或多个含金属层（240A，240B）。该方法还包括以覆盖金属栅极结构（100,100'，200）的图案制备掩模层（260,270），将图案转移到第二栅极层（130,250），将图案转移到第一栅极栅极层（120,240），并且将第一栅极层（120,240）中的图案传送到高k层（230），并且在将图案转移到高k层（230）之前，使用含氮和/或含碳环境钝化第一栅极层（120,240）的暴露表面（245）以减少第一栅极层（120,240）的下切割（140,140'），相对于第二栅极层（130,250），其中钝化与图案转移到第一栅极层（120,240）分开地或者除了对图案转移到第一栅极层之外进行。

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