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41. 发明专利

TWI289145B 樹脂組成物 RESIN COMPOSITION 有权
简体标题：树脂组成物 RESIN COMPOSITION
公开(公告)号：TWI289145B
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW093130194
申请日：2004-10-06
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：小林弘典 KOBAYASHI, HIRONORI , 土田克之 TSUCHIDA, KATSUYUKI , 熊谷正志 KUMAGAI, MASASHI
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08G18/7831 , C08G18/289 , C08G18/6225 , C08K5/5442 , C08L75/04 , C09D175/04
摘要：本發明係提供一種樹脂組成物，係由以下之成分作為必要成分所構成之樹脂組成物：(A)多元醇(B)聚異氰酸酯(C)含有咪唑基之矽烷偶合劑(但，上述組成物中，(B)之聚異氰酸酯中的異氰酸酯基數與(A)之多元醇中之羥基數的比(NCO/OH)為0.6至4.0，且{(A)+(B)}：(C)之重量比為100：0.01至100：10)，其在多元醇與聚異氰酸酯之反應中，解決了使用三級胺化合物作為觸媒時之不愉快的臭味等上述問題點，並可促進此等樹脂之硬化，且可提高與金屬、無機材料或有機材料間之密著性。
简体摘要：本发明系提供一种树脂组成物，系由以下之成分作为必要成分所构成之树脂组成物：(A)多元醇(B)聚异氰酸酯(C)含有咪唑基之硅烷偶合剂(但，上述组成物中，(B)之聚异氰酸酯中的异氰酸酯基数与(A)之多元醇中之羟基数的比(NCO/OH)为0.6至4.0，且{(A)+(B)}：(C)之重量比为100：0.01至100：10)，其在多元醇与聚异氰酸酯之反应中，解决了使用三级胺化合物作为触媒时之不愉快的臭味等上述问题点，并可促进此等树脂之硬化，且可提高与金属、无机材料或有机材料间之密着性。

42. 发明专利

TW200741019A 具優異熱加工性之銅合金及其製造方法失效
简体标题：具优异热加工性之铜合金及其制造方法
公开(公告)号：TW200741019A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096108678
申请日：2007-03-14
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：衛藤雅俊 ETO, MASATOSHI , 遠藤智 ENDOU, SATORU
IPC分类号： C22C , C22F , H01H
摘要：本發明提供一種具優異熱加工性之電子零件用銅合金,於無損其彎曲加工性下,尤其有優異的强度、導電性。解決手段為一種兼具優異熱加工性與優異之强度之電子零件用高强度高導電性銅合金,由含有以質量比例計之Ni:1.00%~2.00%、P:0.10%~0.50%、Mg:0.01%~0.20%,Ni/P含有量比例:4.0~6.5,且含有Cr:0.03%~0.45%以下或B:0.005~0.070質量%,其餘為Cu及不可避免之雜質所構成;亦可含有Sn及In中之至少1種合計為0.01%~1.0%以下;以最終冷軋前之Ni-P-Mg系析出物之長徑為a、以短徑為b時,至少有長寬比a/b為2~50且短徑b為10~25nm之析出物,上述析出物與長寬比a/b未滿2且長徑a為20~50nm之析出物之面積的總和,佔銅合金中之全部析出物之面積的總和之80%以上;較佳者為拉伸强度為700MPa以上且具有導電率40%IACS以上之高導電性。
简体摘要：本发明提供一种具优异热加工性之电子零件用铜合金,于无损其弯曲加工性下,尤其有优异的强度、导电性。解决手段为一种兼具优异热加工性与优异之强度之电子零件用高强度高导电性铜合金,由含有以质量比例计之Ni:1.00%~2.00%、P:0.10%~0.50%、Mg:0.01%~0.20%,Ni/P含有量比例:4.0~6.5,且含有Cr:0.03%~0.45%以下或B:0.005~0.070质量%,其余为Cu及不可避免之杂质所构成;亦可含有Sn及In中之至少1种合计为0.01%~1.0%以下;以最终冷轧前之Ni-P-Mg系析出物之长径为a、以短径为b时,至少有长宽比a/b为2~50且短径b为10~25nm之析出物,上述析出物与长宽比a/b未满2且长径a为20~50nm之析出物之面积的总和,占铜合金中之全部析出物之面积的总和之80%以上;较佳者为拉伸强度为700MPa以上且具有导电率40%IACS以上之高导电性。

43. 发明专利

TW200730646A 氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶、透明導電膜之形成方法、透明導電膜审中-公开
简体标题：氧化镓-氧化锌系溅镀靶、透明导电膜之形成方法、透明导电膜
公开(公告)号：TW200730646A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095143673
申请日：2006-11-27
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：長田幸三 OSADA, KOZO
IPC分类号： C23C , G02F , H01B
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/62615 , C04B35/62695 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086
摘要：本發明為一種高密度氧化鎵-氧化鋅系燒結物濺鍍靶,其特徵為,含有氧化鋯與氧化鋁分別為20質量ppm以上且其等之合計量為未滿250ppm。所得到之氧化鎵(Ga2O3)-氧化鋅(ZnO)系濺鍍靶(GZO系濺鍍靶),經由微量添加特定元素以改善導電性與靶之整體密度(亦即,改善成分組成),提高燒結密度、抑制結球(nodule)之形成、並防止異常放電及粒子發生;並提供用該靶形成透明導電膜之方法及藉其形成之透明導電膜。
简体摘要：本发明为一种高密度氧化镓-氧化锌系烧结物溅镀靶,其特征为,含有氧化锆与氧化铝分别为20质量ppm以上且其等之合计量为未满250ppm。所得到之氧化镓(Ga2O3)-氧化锌(ZnO)系溅镀靶(GZO系溅镀靶),经由微量添加特定元素以改善导电性与靶之整体密度(亦即,改善成分组成),提高烧结密度、抑制结球(nodule)之形成、并防止异常放电及粒子发生;并提供用该靶形成透明导电膜之方法及藉其形成之透明导电膜。

44. 发明专利

TW200720477A 無電解鍍鎳用鍍覆液 ELECTROLESS NICKEL PLATING LIQUID 失效
简体标题：无电解镀镍用镀覆液 ELECTROLESS NICKEL PLATING LIQUID
公开(公告)号：TW200720477A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095136656
申请日：2006-10-03
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：日野英治 HINO, EIJI , 熊谷正志 KUMAGAI, MASASHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/34 , H05K3/244
摘要：本發明之目的為提供:在由多個IC晶片所形成之矽晶圓上藉由無電解鍍鎳後,可形成膜厚均勻的金屬凸塊(bump)或焊錫凸塊(solder bump)使用之底層阻障金屬層(under barrier metal)的無電解鍍鎳用鍍覆液。本發明係在含有水溶性鎳鹽、還原劑、錯化劑、pH緩衝劑的無電解鍍鎳用鍍覆液中,含有鉛離子0.01至1ppm、鈷離子0.01至1ppm及硫化合物0.01至1ppm的無電解鍍鎳用鍍覆液。
简体摘要：本发明之目的为提供:在由多个IC芯片所形成之硅晶圆上借由无电解镀镍后,可形成膜厚均匀的金属凸块(bump)或焊锡凸块(solder bump)使用之底层阻障金属层(under barrier metal)的无电解镀镍用镀覆液。本发明系在含有水溶性镍盐、还原剂、错化剂、pH缓冲剂的无电解镀镍用镀覆液中,含有铅离子0.01至1ppm、钴离子0.01至1ppm及硫化合物0.01至1ppm的无电解镀镍用镀覆液。

45. 发明专利

TW200718796A 濺鍍靶审中-公开
简体标题：溅镀靶
公开(公告)号：TW200718796A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095133854
申请日：2006-09-13
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：小田國博 ODA, KUNIHIRO , 福篤志 FUKUSHIMA, ATSUSHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414
摘要：本發明提供一種鉭或鉭合金濺鍍靶,其能縮短預燒時間,且可使在整個靶壽命中的成膜速度變動為最小,因此有助於提升濺鍍製程中半導體的生產效率及使其安定化,且可降低生產成本。本發明之濺鍍靶,係鉭或鉭基合金濺鍍靶,其特徵在於:濺蝕最表面藉由X射線繞射所測量之{200}結晶面的半値寬為0.1~0.6。如申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶,其中,半値寬之偏差在�0.05以內。
简体摘要：本发明提供一种钽或钽合金溅镀靶,其能缩短预烧时间,且可使在整个靶寿命中的成膜速度变动为最小,因此有助于提升溅镀制程中半导体的生产效率及使其安定化,且可降低生产成本。本发明之溅镀靶,系钽或钽基合金溅镀靶,其特征在于:溅蚀最表面借由X射线绕射所测量之{200}结晶面的半値宽为0.1~0.6。如申请专利范围第1或2项之溅镀靶,其中,半値宽之偏差在�0.05以内。

46. 发明专利

TW200715919A 二層軟性電路板 DUAL-LAYERED FLEXIBLE CIRCUIT BOARD 审中-公开
简体标题：二层软性电路板 DUAL-LAYERED FLEXIBLE CIRCUIT BOARD
公开(公告)号：TW200715919A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095133584
申请日：2006-09-12
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：土田克之 TSUCHIDA, KATSUYUKI , 小林弘典 KOBAYASHI, HIRONORI , 村上龍 MURAKAMI, RYU , 熊谷正志 KUMAGAI, MASASHI
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/09 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2307/206 , H05K1/0346 , H05K1/0393 , H05K3/108 , H05K3/28 , H05K3/382 , H05K3/388 , H05K2201/0355 , H05K2201/098 , H05K2203/0723 , Y10T428/24355
摘要：本發明係提供一種具有優良的蝕刻特性以及優異的與阻劑的密接性,並且不會產生表面缺陷之二層軟性電路板。本發明係提供一種二層軟性電路板,其係於絕緣體膜的單面或是雙面上,不需使用黏接劑而設置銅層者,其特徵為,銅層的表面粗糙度(Ra)為0.10至0.25��m,且銅層剖面之距離絕緣體膜1��m處的銅平均結晶粒徑為0.8��m以下。此外,絕緣體膜較理想為聚醯亞胺(Polyimide)膜。
简体摘要：本发明系提供一种具有优良的蚀刻特性以及优异的与阻剂的密接性,并且不会产生表面缺陷之二层软性电路板。本发明系提供一种二层软性电路板,其系于绝缘体膜的单面或是双面上,不需使用黏接剂而设置铜层者,其特征为,铜层的表面粗糙度(Ra)为0.10至0.25��m,且铜层剖面之距离绝缘体膜1��m处的铜平均结晶粒径为0.8��m以下。此外,绝缘体膜较理想为聚酰亚胺(Polyimide)膜。

47. 发明专利

TW200712257A 防止錫及錫合金氧化之水系防氧化劑 AQEOUS ANTI-OXIDATION AGENT FOR TIN AND TIN ALLOY 审中-公开
简体标题：防止锡及锡合金氧化之水系防氧化剂 AQEOUS ANTI-OXIDATION AGENT FOR TIN AND TIN ALLOY
公开(公告)号：TW200712257A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095132844
申请日：2006-09-06
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：大內高志 OUCHI, TAKASHI , 土田克之 TSUCHIDA, KATSUYUKI
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23G1/066 , B22F1/02 , C10M137/12 , C10M2223/061 , C10M2223/063 , C10N2210/01 , C10N2210/04 , C10N2230/10 , C23F11/1673 , C23F11/1676 , H05K3/3457 , H05K2203/0786 , H05K2203/122
摘要：本發明之目的係提供一種經由處理錫或錫合金,顯示於加熱或加濕時的防氧化和性能優異及良好的錫銲潤濕性的防氧化劑。再者,本發明之目的係提供於施加外部載重時的晶鬚特性及潤滑性均優異之防氧化劑。本發明之錫及錫合金的水系防氧化劑,係含有於一分子內具有2個以上的膦酸基,分子內不含酯鍵的化合物,及/或其鹽,以及具有碳數6至10之烷基的磷酸酯。防氧化劑的pH為5以下,而以含有0.01至10g/L界面活性劑為更佳。
095132844-p01.bmp
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095132844-p03.bmp
简体摘要：本发明之目的系提供一种经由处理锡或锡合金,显示于加热或加湿时的防氧化和性能优异及良好的锡焊润湿性的防氧化剂。再者,本发明之目的系提供于施加外部载重时的晶须特性及润滑性均优异之防氧化剂。本发明之锡及锡合金的水系防氧化剂,系含有于一分子内具有2个以上的膦酸基,分子内不含酯键的化合物,及/或其盐,以及具有碳数6至10之烷基的磷酸酯。防氧化剂的pH为5以下,而以含有0.01至10g/L界面活性剂为更佳。 095132844-p01.bmp 095132844-p02.bmp 095132844-p03.bmp

48. 发明专利

TW200712218A 含有銅、貴金屬之廢料及/或殘渣的處理方法失效
简体标题：含有铜、贵金属之废料及/或残渣的处理方法
公开(公告)号：TW200712218A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095124997
申请日：2006-07-10
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：平井祐史郎 , 佐佐木康勝
IPC分类号： C22B
CPC分类号： Y02P10/214 , Y02P10/22 , Y02P10/236
摘要：本發明之目的在於,將含有銅、及選自金、銀、鉑、鈀、銠、釕等貴金屬內至少1種以上之高價物的銅、貴金屬廢料及/或殘渣,使用熔鐵爐(cupola),而由銅、貴金屬廢料及/或殘渣中有效率地回收銅、貴金屬等高價金屬。本發明係一種含有銅、貴金屬之廢料及/或殘渣之處理方法,其係將破碎處理至粒徑10mm以下之可燃性銅、貴金屬廢料,與粒徑3mm以下之粉狀非可燃性銅、貴金屬廢料與溶劑,一同從熔鐵爐的風嘴吹入,而非可燃性之粒狀化為粒徑30~50mm之銅、貴金屬廢料,則與溶劑及焦碳一同從熔鐵爐上部之原料裝入口投入,藉由熔鐵爐內之熔融還原處理,而分離成以銅為主體之黑銅礦、生鐵、熔渣、及粉塵。
简体摘要：本发明之目的在于,将含有铜、及选自金、银、铂、钯、铑、钌等贵金属内至少1种以上之高价物的铜、贵金属废料及/或残渣,使用熔铁炉(cupola),而由铜、贵金属废料及/或残渣中有效率地回收铜、贵金属等高价金属。本发明系一种含有铜、贵金属之废料及/或残渣之处理方法,其系将破碎处理至粒径10mm以下之可燃性铜、贵金属废料,与粒径3mm以下之粉状非可燃性铜、贵金属废料与溶剂,一同从熔铁炉的风嘴吹入,而非可燃性之粒状化为粒径30~50mm之铜、贵金属废料,则与溶剂及焦碳一同从熔铁炉上部之原料装入口投入,借由熔铁炉内之熔融还原处理,而分离成以铜为主体之黑铜矿、生铁、熔渣、及粉尘。

49. 发明专利

TW200710281A 無電解鈀鍍覆液 ELECTROLESS PALLADIUM PLATING SOLUTION 审中-公开
简体标题：无电解钯镀覆液 ELECTROLESS PALLADIUM PLATING SOLUTION
公开(公告)号：TW200710281A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095126322
申请日：2006-07-19
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：相場玲宏 AIBA, AKIHIRO , 高橋祐史 TAKAHASHI, HIROFUMI
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C23C18/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種無電解鈀鍍覆液,其鍍覆浴之穩定性高且能製得耐蝕性、焊接接合(solder bonding)性、焊線接合(wire bonding)性優異的被覆膜該無電解鈀鍍覆液之特徵為:含有水溶性鈀化合物,及作為錯合劑之氨、胺化合物、胺基羧酸化合物、羧酸中之任一種,以及作為穩定劑之鉍或鉍化合物。較佳為再含有作為還原劑之次磷酸、亞磷酸、甲酸、醋酸、、氫硼化合物、胺硼烷化合物、以及此等的鹽中之任一種。
简体摘要：本发明提供一种无电解钯镀覆液,其镀覆浴之稳定性高且能制得耐蚀性、焊接接合(solder bonding)性、焊线接合(wire bonding)性优异的被覆膜该无电解钯镀覆液之特征为:含有水溶性钯化合物,及作为错合剂之氨、胺化合物、胺基羧酸化合物、羧酸中之任一种,以及作为稳定剂之铋或铋化合物。较佳为再含有作为还原剂之次磷酸、亚磷酸、甲酸、醋酸、、氢硼化合物、胺硼烷化合物、以及此等的盐中之任一种。

50. 发明专利

TW200706674A 光碟及Cu合金記錄層用濺鍍靶审中-公开
简体标题：光盘及Cu合金记录层用溅镀靶
公开(公告)号：TW200706674A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095113343
申请日：2006-04-14
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：佐藤賢次 SATO, KENJI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , G11B7/2433 , G11B7/266
摘要：本發明為一種具備Cu合金記錄層用之光碟,具有以ZnS–SiO2保護層夾持記錄層之構造,其特徵在於,該記錄層,以總量計含有1-20at%之選自Zn、Mn、Ga、Ti、Ta的1種成分以上,剩餘部份由Cu及不可避免之雜質所構成。本發明之光碟及Cu合金記錄層用濺鍍靶,特別於使用ZnS–SiO2作為保護層時,可防止或抑制因保護層所擴散之S而造成Cu記錄層的硫化,而得到記錄位元不會產生錯誤之光記錄媒體。
简体摘要：本发明为一种具备Cu合金记录层用之光盘,具有以ZnS–SiO2保护层夹持记录层之构造,其特征在于,该记录层,以总量计含有1-20at%之选自Zn、Mn、Ga、Ti、Ta的1种成分以上,剩余部份由Cu及不可避免之杂质所构成。本发明之光盘及Cu合金记录层用溅镀靶,特别于使用ZnS–SiO2作为保护层时,可防止或抑制因保护层所扩散之S而造成Cu记录层的硫化,而得到记录比特不会产生错误之光记录媒体。

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