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31. 发明公开

CN101522959A 用于形成硅晶片的方法和设备失效
公开(公告)号：CN101522959A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037926.6
申请日：2007-10-26
申请人：长青太阳能股份有限公司
发明人：莱奥·万格拉比克 , 布赖恩·阿奇利 , 罗伯特·E·雅诺赫 , 安德鲁·P·安塞尔莫 , 斯科特·赖特斯玛
IPC分类号： C30B15/00 , C30B33/00
CPC分类号： C30B15/005 , C30B15/34 , C30B33/00 , Y10T117/102
摘要：一种用于生长带状晶体的熔炉，具有：通道，所述通道用于在给定方向以给定速率生长带状晶体；以及分离机构，所述分离机构用于从生长的带状晶体中分离一部分。当从所述生长的带状晶体分离所述部分的同时，所述分离机构的至少部分大约在所述给定方向并且大约以所述给定速率移动。

32. 发明公开

CN101432460A 在化学气相沉积反应器中提高的多晶硅沉积失效
公开(公告)号：CN101432460A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015406.5
申请日：2007-04-19
申请人： GT太阳能公司
发明人： Y·万 , S·R·帕塔萨拉蒂 , C·沙尔捷 , A·塞尔维尼 , C·P·哈塔克
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4418 , C23C16/458 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/104
摘要：通过化学气相沉积(CVD)生产大量多晶硅的方法和过程，其中，普遍用于西门子型反应器中的传统的硅“细棒”被具有相似的电性能但表面积更大的异形硅丝所代替，例如硅管、硅带或其它形状的横截面。含有硅的气体，例如氯硅烷或硅烷，在丝的热表面上裂解并形成硅沉积物。无需改变反应器的尺寸，也无需增加丝的数量和长度，这些丝的更大的起始表面积即可确保更高的生产率。现有的反应器只需调整或替换丝的支架来使用新丝。所述硅丝由硅熔融物通过边缘限定薄膜供料生长(EFG)方法生长。这也使得所述硅丝的掺杂以及对新型反应器的电源的简化成为可能。

33. 发明授权

CN100453710C 获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置失效
公开(公告)号：CN100453710C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN02802023.5
申请日：2002-05-17
申请人：波兰商艾蒙诺公司 , 日亚化学工业株式会社
发明人：罗伯特·托马什·德威林斯基 , 罗曼·马雷克·多拉辛斯基 , 莱哲克·彼得·西芝普陶斯基 , 哲兹·卡兹尼斯基 , 神原康雄
IPC分类号： C30B9/00 , C30B7/00 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/406 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/403 , H01S5/0281 , H01S5/32341 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024
摘要：本发明涉及一种制备含镓氮化物结晶体的氨碱方法，其中是使含镓原料于含碱金属成份存在下，在超临界含氮溶剂中，于至少一个结晶化作用晶种上结晶。此方法可提供具有极高品质的单晶性含镓氮化物结晶体。

34. 发明公开

CN101151402A 低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片有权
公开(公告)号：CN101151402A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010885.7
申请日：2006-04-07
申请人：克里公司
发明人：艾德里安·鲍威尔 , 威廉·H.·布里克休斯 , 罗伯特·T.·里奥纳多 , 戴维斯·M.·麦克卢尔 , 迈克尔·P.·劳纳
IPC分类号： C30B29/36 , B24B37/04
CPC分类号： H01L29/66068 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L29/1608 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/102 , Y10T428/21
摘要：本发明公开一种高质量的SiC单晶片。该晶片具有至少约3英寸的直径、小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV。

35. 发明授权

CN1318663C 落下管型粒状结晶体制造装置失效
公开(公告)号：CN1318663C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02828941.2
申请日：2002-05-13
申请人：中田仗祐
发明人：中田仗祐
IPC分类号： C30B30/08
CPC分类号： C30B29/06 , B01D9/0013 , B01D9/0036 , C30B11/00 , C30B30/08 , Y10S117/901 , Y10T117/10 , Y10T117/102
摘要：落下管型粒状结晶体制造装置是使无机材料的粒状熔液在落下管内自由下落的同时使其凝固、获得近似球状的结晶体的装置。该结晶体制造装置1具备熔液形成装置2、落下管3、在落下管3内部形成冷却用气体的气流的气流形成装置4、从落下管3的下端部回收结晶体25a的回收装置5等。落下管3由导入管30、冷却用管31及凝固用管32构成，冷却用管31形成越向下截面积越小的结构以使冷却用气体的流速与粒状熔液的自由下落速度几乎相等，凝固用管32与冷却用管31的下端连接、且从该冷却用管31的下端开始截面积不连续地扩大。由于冷却用气体的流速在凝固用管32的上端附近被急速减慢，气压增大，所以过冷状态的熔液中生成晶核，继而完成结晶化。

36. 发明公开

CN1699161A 多晶硅的生产装置失效
公开(公告)号：CN1699161A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510078600.0
申请日：2001-05-09
申请人：德山株式会社
发明人：若松智 , 小田开行
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： B01J19/24 , B01J10/005 , B01J2219/0009 , B01J2219/00094 , B01J2219/00159 , C01B33/03 , Y10S117/902 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/2982
摘要：多晶硅的制造装置，具有在筒状容器中进行硅的析出·熔融、氯硅烷类的供给管被插到筒状容器内的硅熔融区，在筒状容器与氯硅烷类的供给管的间隙中供给密封气体。

37. 发明公开

CN1526037A 获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置失效
公开(公告)号：CN1526037A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02802023.5
申请日：2002-05-17
申请人：波兰商艾蒙诺公司 , 日亚化学工业株式会社
发明人：罗伯特·托马什·德威林斯基 , 罗曼·马雷克·多拉辛斯基 , 莱哲克·彼得·西芝普陶斯基 , 哲兹·卡兹尼斯基 , 神原康雄
IPC分类号： C30B9/00 , C30B7/00 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/406 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/403 , H01S5/0281 , H01S5/32341 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024
摘要：本发明涉及一种制备含镓氮化物结晶体的氨碱方法，其中是使含镓原料于含碱金属成分存在下，在超临界含氮溶剂中，于至少一个结晶化作用晶种上结晶。此方法可提供具有极高品质的单晶性含镓氮化物结晶体。

38. 发明公开

CN1165543A 生长单晶的方法无效
公开(公告)号：CN1165543A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN96191057.7
申请日：1996-08-26
申请人：株式会社日本能源
发明人：左藤贤次
IPC分类号： C30B7/08 , C30B9/06 , C30B11/06 , C30B29/48
CPC分类号： C30B11/00 , C30B13/02 , C30B29/48 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T117/1024
摘要：本发明的目标是防止生长出的单晶中带有裂纹或缺陷，取得具有良好结晶度和无裂纹的化合物半导体单晶。其方法是，在ZnTe多晶原料和Te溶剂被放入坩埚3后，用加热器1将其加热使ZnTe原料溶入Te溶剂中而做成溶液。用布里曼法或梯度凝固法将该溶液凝固生长出ZnTe单晶，然后用气化的办法将坩埚3中剩余的Te溶剂移出坩埚3，随后把生长好的晶体取出坩埚3。

39. 发明专利

NO20083111A 未知
公开(公告)号：NO20083111A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：NO20083111
申请日：2008-07-11
申请人： APOLLON SOLAR
发明人： EINHAUS ROLAND , RIVAT PASCAL , LISSALDE FRANCOIS
IPC分类号： C30B11/00 , C30B35/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088

40. 发明申请

WO2010033005A2 금속 단결정 나노플레이트 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：金属单晶纳米板及其制造方法
公开(公告)号：WO2010033005A2
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/KR2009/005388
申请日：2009-09-22
申请人： 한국과학기술원 , 김봉수 , 유영동
发明人： 김봉수 , 유영동
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： B22F1/0055 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F9/30 , B22F2001/0037 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/24413
摘要： 본 발명은 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 선구물질로 이용한 금속 나노플레이트(metal nano-plate)의 제조방법으로, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판상에 단결정체의 금속 나노플레이트(nano-plate)가 형성되는 특징이 있다. 본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 제조할 수 있으며, 그 공정이 간단하고 재현성있으며, 제조된 나노플레이트가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 고 결정성 및 고순도 단결정 상태의 귀금속 나노플레이트인 장점을 가지며, 단결정 기판의 표면 방향을 제어하여 금속 나노플레이트의 형상 및 단결정 기판과의 배향성을 제어할 수 있는 장점을 가지며, 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用金属，金属卤化物或其混合物作为前体来制造金属纳米板的方法，金属，金属卤化物，或在位于一个前体材料的后端部的惰性气体气流的气氛中的单晶衬底上的单晶衬底进行热处理的单晶的金属纳米盘（纳米板）以及它们的反应混合物正在形成。本发明的制造方法可以为微米尺寸的金属纳米板可以通过使用不使用催化剂的气相转移法来制备，并且该过程是简单和可再现的，在制造纳米板不包括缺陷和杂质。该高结晶度，并具有高纯度的单晶态的贵金属优点纳米板，具有的优点是通过控制单晶衬底的表面取向，以控制的形状和金属纳米板的单晶基板的取向，微米数量它具有大量生产金属纳米板的优点。

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