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31. 发明公开

CN1656594A 半导体光电面、其制造方法及使用该半导体光电面的光检测管无效
公开(公告)号：CN1656594A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811610.3
申请日：2003-05-21
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：可野泰行 , 永井俊光 , 长谷川宽
IPC分类号： H01J40/06 , H01J1/34 , H01J7/18 , H01J9/12
CPC分类号： H01J43/08 , H01J1/34 , H01J9/12 , H01J40/06
摘要：本发明的半导体光电面具有：支承基板(10)；在该支承基板(10)上，层叠多个半导体层而形成，响应被测光的入射，从光电子放出面(341)放出光电子的光电面(30)，和形成为膜状以覆盖上述支承基板(10)的至少一部分和上述光电面(30)的一部分的、与上述光电面欧姆接触的膜状金属电极(35)。上述膜状金属电极(30)包含钛，作为上述膜状金属电极(35)上没有被覆盖的上述光电面30的露出部分的上述电子放出面(341)，成为电子亲和力为负的状态。

32. 发明申请

WO2017045108A1 A PHOTOTUBE AND METHOD OF MAKING IT 审中-公开
标题翻译：一种照相机及其制作方法
公开(公告)号：WO2017045108A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/CN2015/089552
申请日：2015-09-14
申请人： SHENZHEN GENORIVISION TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人： CAO, Peiyan , LIU, Yurun
IPC分类号： H01J40/02 , H01J43/28
CPC分类号： H01J40/06 , G01J1/44 , G01J2001/4453 , H01J9/18 , H01J40/02 , H01J43/28
摘要： A phototube (100) suitable for detecting a photon (101), comprising: an electron ejector (108) configured for emitting electrons (109) in response to an incident photon (101); a detector (110) configured for collecting the electrons (109) and providing an output signal representative of the incident photon (101); an electrode (104) configured for applying a voltage to drive the electrons (109) to the detector (110); and one or more sidewalls (105) forming an envelope of a hole(107) between the electrode (104) and the detector (110), wherein the electron ejector (108)is inside the hole (107) and bonded to the electrode (104).
摘要翻译：一种适于检测光子（101）的光电管（100），包括：电子喷射器（108），被配置为响应入射光子（101）发射电子（109）; 被配置为收集电子（109）并提供表示入射光子（101）的输出信号的检测器（110）; 被配置为施加电压以驱动所述电子（109）到所述检测器（110）的电极（104）。以及在所述电极（104）和所述检测器（110）之间形成孔（107）的外壳的一个或多个侧壁（105），其中所述电子注射器（108）在所述孔（107）内并且结合到所述电极 104）。

33. 发明申请

WO2013036576A1 TRANSMISSIVE-REFLECTIVE PHOTOCATHODE 审中-公开
标题翻译：传输反射光栅
公开(公告)号：WO2013036576A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/US2012/053870
申请日：2012-09-06
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION , MALEEV, Ivan
发明人： MALEEV, Ivan
IPC分类号： H01J40/06
CPC分类号： H01J40/06 , G01J1/44 , H01L27/146
摘要： The present invention includes a transmissive- reflective photocathode including a membrane configured to absorb photons from an illumination source via a first surface of the membrane, the membrane further configured to emit photoelectrons in a reflection mode via the first surface, the membrane further configured to emit photoelectrons in a transmissive mode via a second surface, the first surface and the second surface being substantially parallel, and a membrane support structure configured to mechanically secure the membrane, the membrane support structure further configured to provide at least a first pathway between the first surface and free space and a second pathway between the second surface and free space.
摘要翻译：本发明包括透射反射光电阴极，其包括被配置为经由膜的第一表面从照明源吸收光子的膜，所述膜还被配置为经由第一表面以反射模式发射光电子，所述膜还被配置为发射光电子以透射模式经由第二表面，所述第一表面和所述第二表面基本上平行;以及膜支撑结构，其被配置为机械地固定所述膜，所述膜支撑结构进一步构造成在所述第一表面和所述第一表面之间提供至少第一通路和自由空间以及第二表面和自由空间之间的第二路径。

34. 发明申请

WO2017207898A3 NANOWIRE PHOTOCATHODE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A PHOTOCATHODE 审中-公开
标题翻译：纳米级光电阴极及生产这种光电阴极的方法
公开(公告)号：WO2017207898A3
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/FR2017051321
申请日：2017-05-29
申请人： PHOTONIS FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： ALIBERT CLAUDE , CONDE MOUSTAPHA , HARMAND JEAN-CHRISTOPHE , JEGOREL THÉO
IPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J40/06
CPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J40/06
摘要： The invention relates to a photocathode comprising an amorphous substrate, such as a glass substrate (110), having an input face for receiving incident photons and a rear face opposite the input face. Nanowires (120) made from at least one III-V semiconductor material are deposited on the rear face of the substrate and extend from said face away from the input face. The composition of the nanowires comprises a radial variation in the proportion of the elements of the III-V material, such as to produce a forbidden band gradient from the core of the nanowires towards the periphery thereof. The invention also relates to a method for the MBE production of such a photocathode. During the nanowire growth phase, the fluxes of materials forming the III-V semiconductor material are varied such as to produce a material having a greater forbidden band at the start of the growth phase than at the end of said phase.
摘要翻译：本发明涉及一种光电阴极，其包括诸如玻璃衬底（110）的非晶衬底，其具有用于接收入射光子的输入面和与输入面相对的背面。由至少一种III-V族半导体材料制成的纳米线（120）沉积在衬底的背面上并从所述面远离输入面延伸。纳米线的组成包括III-V族材料的元素比例的径向变化，例如以产生从纳米线的核心向其外围的禁带梯度。本发明还涉及用于MBE生产这种光电阴极的方法。在纳米线生长阶段期间，形成III-V族半导体材料的材料的通量发生变化，从而产生在生长阶段开始时具有比在所述阶段结束时更大的禁带的材料。

35. 发明申请

WO2011112086A1 A PHOTO CATHODE FOR USE IN A VACUUM TUBE AS WELL AS SUCH A VACUUM TUBE 审中-公开
标题翻译：用于真空管的照片阴极，如同真空管
公开(公告)号：WO2011112086A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/NL2011/050165
申请日：2011-03-11
申请人： PHOTONIS FRANCE SAS , NÜTZEL, Gert , LAVOUTE, Pascal , FONTAINE, Christophe , JACKMAN, Richard
发明人： NÜTZEL, Gert , LAVOUTE, Pascal , FONTAINE, Christophe , JACKMAN, Richard
IPC分类号： H01J31/50
CPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06
摘要： The invention relates to a photo cathode for use in a vacuum tube at least comprising a cathode layer, having an entrance face capable for absorbing photons impinging on said cathode layer, and an exit face for releasing electrons upon impinging of said photons; as well as an electron exit layer, in facing relationship with said exit face of said cathode layer for improving said releasing of said electrons; and a carbon containing layer, positioned between said exit face of said cathode layer and said electron exit layer, for bonding said electron exit layer to said cathode layer. The invention also relates to a vacuum tube using such a photo cathode.
摘要翻译：本发明涉及一种用于至少包括阴极层的真空管中的光阴极，阴极层具有能够吸收入射在所述阴极层上的光子的入射面，以及用于在撞击所述光子时释放电子的出射面; 以及电子出射层，与所述阴极层的所述出射面面对关系，用于改善所述电子的释放; 和位于所述阴极层的所述出射面和所述电子出射层之间的含碳层，用于将所述电子出射层与所述阴极层接合。本发明还涉及一种使用这种光阴极的真空管。

36. 发明申请

WO2010044891A3 PHOTON ENHANCED THERMIONIC EMISSION 审中-公开
标题翻译：光子增强THERMONIC排放
公开(公告)号：WO2010044891A3
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/US2009005669
申请日：2009-10-19
申请人： UNIV LELAND STANFORD JUNIOR , SCHWEDE JARED , MELOSH NICHOLAS , SHEN ZHIXUN
发明人： SCHWEDE JARED , MELOSH NICHOLAS , SHEN ZHIXUN
IPC分类号： H01J45/00 , H01J40/06
CPC分类号： H01J40/06 , H01J45/00 , H01J2201/30434 , H02S99/00
摘要： Photon Enhanced Thermionic Emission (PETE) is exploited to provide improved efficiency for radiant energy conversion. A hot (greater than 200 0C) semiconductor cathode is illuminated such that it emits electrons. Because the cathode is hot, significantly more electrons are emitted than would be emitted from a room temperature (or colder) cathode under the same illumination conditions. As a result of this increased electron emission, the energy conversion efficiency can be significantly increased relative to a conventional photovoltaic device. In PETE, the cathode electrons can be (and typically are) thermalized with respect to the cathode. As a result, PETE does not rely on emission of non-thermalized electrons, and is significantly easier to implement than hot-carrier emission approaches.
摘要翻译：光子增强型热离子发射（PETE）被用于提高辐射能量转换的效率。一个热（大于200℃）的半导体阴极被照亮使其发射电子。因为阴极是热的，所以在相同的照明条件下比从室温（或较冷的）阴极发射的电子要大得多。作为这种增加的电子发射的结果，相对于常规光伏器件，能量转换效率可以显着增加。在PETE中，阴极电子可以（并且通常被）相对于阴极热化。因此，PETE不依赖于非热电子发射，并且比热载流子发射方法更容易实现。

37. 发明公开

KR1020170133368A 다중대역 광음극 및 관련 검출기 审中-实审
标题翻译：多频带光电阴极和相关探测器
公开(公告)号：KR1020170133368A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020177027947
申请日：2016-04-06
申请人： 포토니스 프랑스
发明人： 콘데,무스타파 , 폴츠,저스틴
IPC分类号： H01J1/34 , H01J40/06
CPC分类号： H01J40/06 , H01J1/34 , H01J40/16 , H01J2201/3423
摘要： 본발명은활성층(230) 및입사광자의흐름을받아들이기에적합한입력윈도우(210)를포함하는광음극에관한것으로, 상기활성층은입사광자의흐름방향으로감소하는금지된대역폭을갖는반도체로물질로구성된복수의기본층(230, 230)으로구성된다. 활성층의각 기본층이자체광전방출면(240, 240)을갖도록입력윈도우와대향된광음극표면이구조화된다. 기본층의반도체물질을선택함으로써, 가시광선스펙트럼및 근적외선모두에서높은감도를갖는영상을얻을수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种包括有源层（230）和适于接收入射光流的输入窗口（210）的光阴极，所述有源层包括多个半导体材料，其禁带宽度在入射光的流动方向上减小图2的基层230和230可以是任意的。与输入窗口相对的光电阴极表面被构造为使得有源层的每个基层具有其自己的光电发射表面240，通过选择基层的半导体材料，可以在可见光谱和近红外线两者中获得具有高灵敏度的图像。

38. 发明申请

WO2015064173A1 透過型光電陰極审中-公开
标题翻译：传输光栅
公开(公告)号：WO2015064173A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/JP2014/071089
申请日：2014-08-08
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：永田　貴章 , 浜名　康全 , 中村　公嗣
IPC分类号： H01J1/34 , H01J1/32 , H01J40/06 , H01J43/08 , H01J43/10
CPC分类号： H01J1/34 , H01J1/32 , H01J40/06 , H01J43/08 , H01J43/10
摘要：　透過型光電陰極（２）は、光が入射する外側面（４ａ）、及び外側面（４ａ）側から入射した光を出射する内側面（４ｂ）を有する光透過性基板（４）と、光透過性基板（４）の内側面（４ｂ）側に設けられ、内側面（４ｂ）から出射される光を光電子に変換する光電変換層（５）と、光透過性基板（４）と光電変換層（５）との間に設けられるグラフェンからなる光透過性導電層（６）と、を備える。
摘要翻译：该透光性光电阴极（2）具有：具有入射光的外表面（4a）的光透射基板（4）和入射到外表面（4a）的光的内表面（4b）退出; 设置在所述透光性基板（4）的内表面（4b）侧的光电转换层（5），将从所述内表面（4b）出射的光转换为光电子; 和设置在透光基板（4）和光电转换层（5）之间并且包括石墨烯的透光导电层（6）。

39. 发明申请

WO2010044891A2 PHOTON ENHANCED THERMIONIC EMISSION 审中-公开
标题翻译：光子增强THERMONIC排放
公开(公告)号：WO2010044891A2
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/US2009/005669
申请日：2009-10-16
申请人： THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY , SCHWEDE, Jared , MELOSH, Nicholas , SHEN, Zhixun
发明人： SCHWEDE, Jared , MELOSH, Nicholas , SHEN, Zhixun
IPC分类号： H01J40/04
CPC分类号： H01J40/06 , H01J45/00 , H01J2201/30434 , H02S99/00
摘要： Photon Enhanced Thermionic Emission (PETE) is exploited to provide improved efficiency for radiant energy conversion. A hot (greater than 200 0C) semiconductor cathode is illuminated such that it emits electrons. Because the cathode is hot, significantly more electrons are emitted than would be emitted from a room temperature (or colder) cathode under the same illumination conditions. As a result of this increased electron emission, the energy conversion efficiency can be significantly increased relative to a conventional photovoltaic device. In PETE, the cathode electrons can be (and typically are) thermalized with respect to the cathode. As a result, PETE does not rely on emission of non-thermalized electrons, and is significantly easier to implement than hot-carrier emission approaches.
摘要翻译：光子增强型热离子发射（PETE）被用于提高辐射能量转换效率。一个热（大于200℃）的半导体阴极被照亮使其发射电子。因为阴极是热的，在相同的照明条件下比在室温（或较冷）阴极发射的电子要大得多的发射电子。作为这种增加的电子发射的结果，相对于常规光伏器件，能量转换效率可以显着增加。在PETE中，阴极电子可以（并且通常被）相对于阴极热化。因此，PETE不依赖于非热电子发射，并且比热载流子发射方法更容易实现。

40. 发明申请

WO2004097880A1 DEVICE FOR PRODUCING PHOTOELECTRONIC EMISSION IN VACUUM 审中-公开
标题翻译：在真空中生产光电子发射的装置
公开(公告)号：WO2004097880A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/RU2004/000174
申请日：2004-04-27
IPC分类号： H01J1/34
CPC分类号： H01J40/06 , H01J1/34
摘要： The invention relates to electrovacuum electronic engineering, in particular to photoemission semiconductor devices operating in a visual and near-ultraviolet region. Said devices can be used for developing a novel class of efficient photoelectronic instruments based on wide-band semiconductors. The inventive device for producing photoelectronic emission in vacuum comprises a semiconductor material layer based on nitrides of elements of a third n-conductivity type group whose concentration is equal or higher than 5 cm , forbidden zone width is Eg, electron x affinity and the electronic work function ? on the working surface of said semiconductor material, which is oriented to vacuum and activated with an alkali metal or the oxide thereof satisfying the following relations: Eg> chi , etV; chi >?, eV.
摘要翻译：本发明涉及电真空电子工程，特别涉及在视觉和近紫外区域中操作的光电子半导体器件。所述器件可用于开发基于宽带半导体的新型高效光电子仪器。用于在真空中产生光电子发射的本发明的装置包括：基于浓度等于或高于5 <10 <> 3 <3>的第三n导电类型元素的氮化物的半导体材料层，禁区宽度为例如，电子x亲和力和电子功能？在所述半导体材料的工作表面上，其被定向为真空并用碱金属或其氧化物活化，其满足以下关系：Eg> chi，etV; i ?,

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