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1. 发明申请

WO2017207898A3 NANOWIRE PHOTOCATHODE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A PHOTOCATHODE 审中-公开
标题翻译：纳米级光电阴极及生产这种光电阴极的方法
公开(公告)号：WO2017207898A3
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/FR2017051321
申请日：2017-05-29
申请人： PHOTONIS FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： ALIBERT CLAUDE , CONDE MOUSTAPHA , HARMAND JEAN-CHRISTOPHE , JEGOREL THÉO
IPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J40/06
CPC分类号： H01J9/12 , H01J1/34 , H01J40/06
摘要： The invention relates to a photocathode comprising an amorphous substrate, such as a glass substrate (110), having an input face for receiving incident photons and a rear face opposite the input face. Nanowires (120) made from at least one III-V semiconductor material are deposited on the rear face of the substrate and extend from said face away from the input face. The composition of the nanowires comprises a radial variation in the proportion of the elements of the III-V material, such as to produce a forbidden band gradient from the core of the nanowires towards the periphery thereof. The invention also relates to a method for the MBE production of such a photocathode. During the nanowire growth phase, the fluxes of materials forming the III-V semiconductor material are varied such as to produce a material having a greater forbidden band at the start of the growth phase than at the end of said phase.
摘要翻译：本发明涉及一种光电阴极，其包括诸如玻璃衬底（110）的非晶衬底，其具有用于接收入射光子的输入面和与输入面相对的背面。由至少一种III-V族半导体材料制成的纳米线（120）沉积在衬底的背面上并从所述面远离输入面延伸。纳米线的组成包括III-V族材料的元素比例的径向变化，例如以产生从纳米线的核心向其外围的禁带梯度。本发明还涉及用于MBE生产这种光电阴极的方法。在纳米线生长阶段期间，形成III-V族半导体材料的材料的通量发生变化，从而产生在生长阶段开始时具有比在所述阶段结束时更大的禁带的材料。

2. 发明专利

FR3051963B1 PHOTOCATHODE A NANOFILS ET METHODE DE FABRICATION D'UNE TELLE PHOTOCATHODE 未知
公开(公告)号：FR3051963B1
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：FR1654896
申请日：2016-05-31
申请人： PHOTONIS FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： ALIBERT CLAUDE , CONDE MOUSTAPHA , HARMAND JEAN-CHRISTOPHE , JEGOREL THEO
IPC分类号： H01J1/34 , H01J9/12 , H01J40/06 , H01J40/16
摘要： L'invention concerne une photocathode comprenant un substrat amorphe, tel qu'un substrat en verre (110) présentant une face d'entrée destinée à recevoir des photons incidents et une face arrière opposée à la face d'entrée. Des nanofils (120) réalisés en au moins un matériau semi-conducteur III-V sont déposés sur la face arrière du substrat et s'étendent à partir de cette face dans une direction opposée à la face d'entrée. L'invention concerne également une méthode de fabrication par MBE d'une telle photocathode.

3. 发明专利

FR3051963A1 PHOTOCATHODE A NANOFILS ET METHODE DE FABRICATION D'UNE TELLE PHOTOCATHODE 未知
公开(公告)号：FR3051963A1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：FR1654896
申请日：2016-05-31
申请人： PHOTONIS FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： ALIBERT CLAUDE , CONDE MOUSTAPHA , HARMAND JEAN-CHRISTOPHE , JEGOREL THEO
IPC分类号： H01J1/34 , H01J9/12 , H01J40/06 , H01J40/16
摘要： L'invention concerne une photocathode comprenant un substrat amorphe, tel qu'un substrat en verre (110) présentant une face d'entrée destinée à recevoir des photons incidents et une face arrière opposée à la face d'entrée. Des nanofils (120) réalisés en au moins un matériau semi-conducteur III-V sont déposés sur la face arrière du substrat et s'étendent à partir de cette face dans une direction opposée à la face d'entrée. L'invention concerne également une méthode de fabrication par MBE d'une telle photocathode.

4. 发明专利

IL263234D0 Photocathode with nanowires and method of manufacturing such a photocathode 未知
公开(公告)号：IL263234D0
公开(公告)日：2018-12-31
申请号：IL26323418
申请日：2018-11-22
申请人： PHOTONIS FRANCE , CONDE MOUSTAPHA , CENTRE NAT RECH SCIENT , ALIBERT CLAUDE , HARMAND JEAN CHRISTOPHE , JEGOREL THEO
发明人： CONDE MOUSTAPHA , ALIBERT CLAUDE , HARMAND JEAN-CHRISTOPHE , JEGOREL THEO
IPC分类号： H01J20060101
摘要： The invention discloses a photocathode comprising an amorphous substrate such as a glass substrate (110) presenting an input face that will receive incident photons and a back face opposite the front face. Nanowires (120) made from at least one III-V semiconducting material are deposited on the back face of the substrate and extend from this face in a direction away from the front face. The invention also relates to a method for manufacturing such a photocathode by MBE.

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