专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明授权

CN102083554B 利用介质阻挡放电的表面制备的方法和设备失效
公开(公告)号：CN102083554B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980126120.3
申请日：2009-07-16
申请人：旭硝子欧洲玻璃公司
发明人： E·蒂克霍 , J·勒克莱尔 , E·米歇尔
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32009 , H01J37/32348 , H01J37/32376 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要：一种用于基片(2)的表面制备方法，它包括把基片(2)引入反应室(6，106)中，或者使所述基片移动穿过反应室(6，106)。电介质档板(14，114)被置于电极(1，10，110)之间。产生高频电压，以产生丝状等离子体(12，112)。分子(8，108)被引入反应室(6，106)中。当与等离子体接触时，所述分子产生与基片的表面反应的活性物质。采用与设备的电感器并联放置的可调电感器(L)，以减小产生的电压和电流之间的相移，和增大其间电流在等离子体(12，112)中流动的时间。

32. 发明公开

CN102165566A 表面处理装置失效
公开(公告)号：CN102165566A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138173.7
申请日：2009-09-16
申请人：积水化学工业株式会社
发明人：梅冈尚 , 八木泽博史 , 真弓聪
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： H01J37/32376 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32761 , H01J37/32834 , H01L21/3065 , H01L21/67051 , H01L21/6776
摘要：本发明提供一种表面处理装置，该表面处理装置使设置于表面处理用处理槽的用于搬入搬出被处理物的开口处的气流稳定。将被处理物(9)沿搬送方向自搬入开口(13)搬入处理槽(10)的内部，并配置于处理空间(19)。自供给系统(30)向处理空间(19)供给处理气体，以便对被处理物(9)进行表面处理。此后，将被处理物(9)自搬出开口(14)搬出。利用排气系统(40)自处理槽(10)的内部排出气体。由彼此在与上述搬送方向正交的对置方向上相隔对置距离(D)而对置的一对整流面(17、18)划定开口(13、14)。将开口(13、14)的沿上述搬送方向的纵深(L)设为对置距离(D)的两倍以上，优选设为6倍以上。

33. 发明公开

CN101439342A 基板的表面处理方法以及等离子体处理装置失效
公开(公告)号：CN101439342A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173371.4
申请日：2008-11-20
申请人：精工爱普生株式会社
发明人：山崎正 , 河西充
IPC分类号： B08B7/00 , C03C17/00 , G02F1/13
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32357 , H01J37/32376
摘要：提供一种有效地从基板表面除去有机物以及进行基板表面改质化的基板的表面处理方法以及等离子体处理装置。利用由大于大气中氮所占的容量比率的容量比率的氮气生成的氮自由基，可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基。由于可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基，所以可以有效地从基板表面(70a)可以除去有机物。

34. 发明公开

EP2745306A1 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：EP2745306A1
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：EP11761395.0
申请日：2011-08-16
申请人： P2i Ltd
发明人： KING, Charles Edmund
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32376 , H01J2237/3323 , H01J2237/3325
摘要： The present invention relates to an apparatus (10) for plasma processing an article(12), the apparatus comprisingra chamber(14) for receiving an article to be processed; electrode means (16) for generating an electricand/or magneticfield in said chamberwhen energised by alternating electrical energyfor establishing a plasma in said chamber so that said article can be processed; andvarying frequency generatingmeans (20) for generating alternating electrical energy for transmission tothe electrode means, said alternating electrical energy being generated at a plurality of different frequencies in succession, one frequency after another frequency, thereby producing a succession of standing waves in said chamber of a plurality of different wavelengths.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体处理物品（12）的设备（10），该设备包括用于接收待处理物品的室（14）电极装置（16），用于当交变电能激励时在所述室中产生电场和/或磁场，以便在所述室中建立等离子体，从而可以处理所述物体; 以及变换频率产生装置（20），用于产生用于传输到电极装置的交变电能，所述交变电能以连续的多个不同频率产生，一个频率在另一个频率之后产生，从而在所述腔室中产生一系列驻波多个不同的波长。

35. 发明公开

EP1451861A4 APPARATUS AND METHOD FOR REACTIVE ATOM PLASMA PROCESSING FOR MATERIAL DEPOSITION 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR反应等离子处理对核材料矿床
公开(公告)号：EP1451861A4
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：EP02706064
申请日：2002-01-30
申请人： RAPT IND INC
发明人： CARR JEFFREY W
IPC分类号： C23C16/04 , H05H1/26 , B44C1/22 , C03C15/00 , C23C16/513 , H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H05H1/30 , H05H1/42
CPC分类号： H01J37/32376 , C23C16/0245 , C23C16/047 , C23C16/513 , H01L21/31051 , H05H1/30
摘要： An apparatus a(106)nd a method for reactive atom plasma processing to shape, polish, planarize, and clean surfaces of materials with minimal subsurface damage. A workpiece (110) and a plasma torch (502) are moved with respect to each other. A plasma discharge from the torch (502) can be used to shape, planarize, polish, clean and deposit material on the surface of the workpiece (110).

36. 发明公开

EP0902961A1 METHOD FOR TREATING ARTICLES WITH A PLASMA JET 失效
标题翻译： METHOD FOR A SCHEIBENS与等离子射流处理
公开(公告)号：EP0902961A1
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：EP97927804.0
申请日：1997-05-28
申请人： IPEC Precision, Inc. , Siniaguine, Oleg
发明人： SINIAGUINE, Oleg , TOKMOULINE, Iskander
IPC分类号： H01J37 , C23C16 , C23F4 , H01L21
CPC分类号： H01J37/32376 , C23C16/46 , C23C16/513
摘要： A method for treating an article with a plasma jet is disclosed. The method involves rotating an article (30) with a surface (32) to be treated about an axis (Ha), wherein the rotation defines a rotation radius extending from the axis. The article surface is contacted with the plasma jet (10) to form a plasma jet footprint (11) having a predetermined dimension on the article surface. The plasma jet footprint is moved along the rotation radius in the radial direction according to a velocity profile along the rotation radius so as to apply heat to the article surface to obtain a desired temperature distribution profile on the article surface along the rotation radius. The method provides a means for controlling the temperature of the article uniformly in a temperature range from about 30 °C and 1200 °C to allow different treatment applications to be performed on the article. The control of article temperature as described allows for uniform treatment processes, such as polymer ablation, etching, deposition and thermal treatment, of the article material itself by injecting different gasses into the plasma jet.

37. 发明公开

EP3012342A1 THERMISCHES SPRITZVERFAHREN UND VORRICHTUNG DAFÜR 审中-公开
标题翻译： THERMISCHES SPRITZVERFAHREN UND VORRICHTUNGDAFÜR
公开(公告)号：EP3012342A1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：EP15190970.2
申请日：2015-10-22
申请人： MAHLE International GmbH
发明人： Englert, Peter , Mamber, Dr. Oliver , Trautwein, Ingo , Rodriguez, Tomas
IPC分类号： C23C4/134 , B22F1/00 , H01J37/32 , H05H1/44
CPC分类号： H01J37/32376 , B05B7/22 , B22F7/04 , B22F2007/042 , B22F2999/00 , B23K35/00 , C23C4/134 , H01J37/3277 , H01J37/32798 , H01J2237/332 , H05H1/42 , H05H1/44 , B22F2202/13
摘要： Die Erfindung betrifft ein thermisches Spritzverfahren insbesondere zum Beschichten einer Oberfläche (4) mittels eines Plasmastrahls, unter Verwendung eines geformten Plasmastrahls (3), wobei ein erster Plasmastrahl (1) mittels wenigstens eines zweiten Plasmastrahls (2) gesteuert und/oder geformt wird, wobei der zweite Plasmastrahl (2) den ersten Plasmastrahl (1) wenigstens teilweise und wenigstens zeitweise durchdringt.
摘要翻译：本发明涉及一种热喷涂方法，特别是使用成形等离子体束通过等离子体束涂覆表面，其中通过至少一个第二等离子体束的第一等离子体束被控制和/或成形，其中所述第二等离子体束至少部分地并且至少暂时地穿透所述第一等离子体束。

38. 发明授权

EP2100485B1 APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA ARC COATING 失效
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR弧等离子涂层
公开(公告)号：EP2100485B1
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：EP07870056.4
申请日：2007-12-28
申请人： Exatec, LLC.
发明人： GASWORTH, Steven, M.
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34 , H05H1/42 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： H05H1/24 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32376 , H05H1/42

39. 发明公开

EP2321070A1 PROCESS AND INSTALLATION FOR SURFACE PREPARATION BY DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE 失效
标题翻译：方法和系统进行表面处理BY阻挡放电
公开(公告)号：EP2321070A1
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：EP09797509.8
申请日：2009-07-16
申请人： AGC Glass Europe
发明人： TIXHON, Eric , LECLERCQ, Joseph , MICHEL, Eric
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32009 , H01J37/32348 , H01J37/32376 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要： A process for surface preparation of a substrate (2), which comprises introducing or running a substrate (2) into a reaction chamber (6, 106). A dielectric barrier (14, 114) is placed between electrodes (1, 10, 110). A high-frequency electrical voltage is generated, to generate filamentary plasma (12, 112). Molecules (8, 108) are introduced into the reaction chamber (6, 106). Upon contact with the plasma, they generate active species typical of reacting with the surface of the substrate. An adjustable inductor (L) placed in parallel with the inductor of the installation is employed to reduce the phase shift between the voltage and the current generated and to increase the time during which the current flows in the plasma (12, 112).

40. 发明公开

US20240213089A1 INTEGRATED ATMOSPHERIC PLASMA TREATMENT STATION IN PROCESSING TOOL 审中-公开
公开(公告)号：US20240213089A1
公开(公告)日：2024-06-27
申请号：US18556978
申请日：2022-04-20
申请人： Lam Research Corporation
发明人： Navaneetha Krishnan SUBBAIYAN , Patrick LITTLE , Daniel Mark DINNEEN , Shantinath GHONGADI
IPC分类号： H01L21/768 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/76862 , H01J37/32376 , H01J37/3244 , H01J37/32825 , H01L21/67167 , H01L21/6723 , H01L21/67745 , H01L21/76873 , H01L21/02068
摘要： An atmospheric plasma treatment station is integrated in a semiconductor process tool. The atmospheric plasma treatment station directly interfaces with a deposition chamber of the semiconductor process tool without adding to the footprint or form factor of the semiconductor process tool. The atmospheric plasma treatment station includes a movable atmospheric plasma source such as a linear head for scanning across a surface of a substrate. The atmospheric plasma treatment station provides an enclosed space in a controlled environment with non-reactive gas flowing through the enclosed space. Process gases may be supplied to the linear head based on a surface condition of the substrate being treated.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式