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31. 发明专利

JP2017147458A 集積回路のトランジスタ構造审中-公开
公开(公告)号：JP2017147458A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2017079449
申请日：2017-04-13
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：張志豪 , 許俊豪 , 王建▲くん▼ , 葉致▲かい▼ , 張致祥
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/18 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66575 , H01L29/66628 , H01L29/7848 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L29/1054 , H01L29/66636 , H01L29/66772 , H01L29/66795
摘要：【課題】SiGeストレッサの形成方法と集積回路のトランジスタ構造を提供する。【解決手段】SiGeストレッサを形成する方法であって、前記方法は、ソース領域とドレイン領域間にチャネルを有する半導体基板上のソース領域とドレイン領域の少なくとも1つに第1SiGe層を堆積するステップ、及び前記第1SiGe層の上部を酸化層に変換し、前記第1SiGe層の底部を第2SiGe層に変換するステップを含み、前記第2SiGe層は、前記第1SiGe層より高いGe濃度を有する方法。【選択図】図1C

32. 发明专利

JP2017135384A 金属ブロックと接合パッド構造审中-公开
公开(公告)号：JP2017135384A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2017013157
申请日：2017-01-27
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：何承穎 , 盧彦池 , 洪豐基 , 王俊智 , 楊敦年
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/1469 , H01L2224/05 , H01L2224/48451
摘要：【課題】金属ブロックと接合パッド構造を提供する。【解決手段】いくつかの実施態様において、本発明は、第一ダイ内の装置により生成される放射が、第二ダイ内のイメージセンシング素子に影響するのを防止する導電遮蔽構造を有する集積チップ(IC)構造に関連する。IC構造は、一つ以上の半導体デバイスを有する第一ICダイ、および、イメージセンシング素子のアレイを有する第二ICダイを有する。ハイブリッド接合インターフェース領域が、第一ICダイと第二ICダイとの間に設置される。導電接合構造が、ハイブリッド接合インターフェース領域内に設置されるとともに、第一ICダイを第二ICダイに電気的に結合する。導電遮蔽構造が、ハイブリッド接合インターフェース領域内に設置されるとともに、一つ以上の半導体デバイスとイメージセンシング素子のアレイ間に横方向に延伸する。【選択図】図1

33. 发明专利

JP2017120912A BSI接合能力改善のためのパッド領域下のサポート構造有权
公开(公告)号：JP2017120912A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2016256908
申请日：2016-12-28
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：黄信耀 , 洪豐基 , 王俊智 , 楊敦年
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14689
摘要：【課題】 BSI接合能力改善のためのパッド領域下のサポート構造を提供する。【解決手段】本発明のいくつかの実施態様は、接合パッド下方にビアサポート構造を有する集積チップに関連する。集積チップは、基板中に設置されるイメージセンシング素子を有する。接合パッド領域は、基板を通して、誘電構造中に設置される第一金属相互接続ワイヤに達し、接合パッド領域は、イメージセンシング素子から横方向にオフセットし、且つ、誘電構造は基板の正面に沿う。接合パッドは接合パッド領域中に設置されるとともに、第一金属相互接続ワイヤと接触する。ビアサポート構造は誘電構造中に設置され、且つ、第一金属相互接続ワイヤにより接合パッドから分離される1つ以上のビアを有する。1つ以上の追加ビアは、接合パッド領域から横方向にオフセットする位置で、誘電構造中に設置される。ビアのサイズは、追加ビアより大きい。【選択図】図3

34. 发明专利

JP2017076801A スプリットゲートフラッシュ技術におけるインタディジタルキャパシタ有权
公开(公告)号：JP2017076801A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016202765
申请日：2016-10-14
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：連瑞宗 , 朱芳蘭 , 林宏達 , 呉偉成 , 張谷寧 , 王羽榛
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L27/115
CPC分类号： G11C29/025 , G01R31/2884 , H01L21/28282 , H01L21/32133 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/11568 , H01L29/42344 , H01L29/4916 , H01L29/513 , G11C2029/5602 , H01L22/34 , H01L2223/54406 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L27/11526 , H01L27/11573
摘要：【課題】スプリットゲートフラッシュ技術におけるインタディジタルキャパシタを提供する。【解決手段】本発明は、テストライン文字を有する基板、および、形成方法に関連し、テストライン文字は、集積チップ上のテストラインを識別するのに用いられる。基板は、高誘電金属ゲートプロセスの汚染を防止する。いくつかの実施態様において、基板は、半導体基板である。テストライン文字構造は、半導体基板上に設置され、且つ、テストライン文字構造の上表面およびテストライン文字構造の下表面間で垂直に延伸する一つ以上のトレンチを有し、英字又は数字の少なくとも一方の文字形状に形成されたテストライン文字を含む。一つ以上のトレンチが、テストライン文字構造中に設置されて、テストライン構造の上表面に開口を形成する。【選択図】図5

36. 发明专利

JP2016149551A データ保存構造を有する半導体構造、および、その製造方法审中-公开
标题翻译：具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2016149551A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2016021870
申请日：2016-02-08
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：蕭婉▲いん▼ , 金雅琴 , 林崇榮 , 陳皇魁 , 張宗生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L29/41725 , H01L29/78
摘要：【課題】データ保存構造を有し、機能が多様化した半導体構造とその形成方法を提供する。【解決手段】基板102及び基板上に形成されるゲート構造104を有する。半導体構造は、更に、第一ソース/ドレイン構造116及びゲート構造に隣接する基板中に形成される第二ソース/ドレイン構造118を有する。半導体構造は、更に、基板上に形成されて、ゲート構造、第一ソース/ドレイン構造及び第二ソース/ドレイン構造を被覆する層間絶縁層120を有する。半導体構造は、更に、第一ソース/ドレイン構造上の層間絶縁層中に形成される第一導電構造128及び第二ソース/ドレイン構造上の層間絶縁層中に形成される第二導電構造130を有する。第一導電構造は、第一ソース/ドレイン構造と直接接触し、第二導電構造は、第二ソース/ドレイン構造と直接接触しない。【選択図】図1D
摘要翻译：要解决的问题：提供具有数据存储结构和多种功能的半导体结构及其制造方法。解决方案：半导体结构包括基板102和形成在基板上的栅极结构104。半导体结构还包括：第一源极/漏极结构116和形成在与栅极结构相邻的衬底中的第二源极/漏极结构118; 形成在基板上并覆盖栅极结构的层间绝缘层120，第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构; 以及形成在第一源极/漏极结构上的层间绝缘层中的第一导电结构128和形成在第二源极/漏极结构上的层间绝缘层中的第二导电结构130。第一导电结构直接接触第一源极/漏极结构。第二导电结构不直接接触第二源/漏结构。选择图：图1D

37. 发明专利

JP2016106430A 物理的半導体構造有权
标题翻译：物理半导体结构
公开(公告)号：JP2016106430A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：JP2016046827
申请日：2016-03-10
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：謝尚志 , 莊恵中 , 江庭▲い▼ , 陳俊甫 , 曾祥仁
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/82
CPC分类号： G06F17/5072 , G06F17/5068 , H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845
摘要：【課題】ポリシリコン構造の真上の標準セル金属構造物を含む物理的半導体構造を提供することにある。【解決手段】物理的半導体構造は、第一アクティブ領域構造を囲む分離構造と、第一アクティブ領域構造上の第一ポリシリコン構造と、第一アクティブ領域構造の第一部分の真上にあり、第一ポリシリコン構造の第一側の第一部分、および、第一ポリシリコン構造の第一側と反対側の第一ポリシリコン構造の第二側の第二部分を含む第一金属構造と、第一ポリシリコン構造の部分の真上にあると共に接触し、第一金属構造の第一部分と接触し、且つ、第一金属構造の第二部分と接触する第二金属構造とを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供包括直接在多晶硅结构上的标准单元金属结构的物理半导体结构。解决方案：物理半导体结构包括：围绕第一有源区结构的隔离结构; 第一有源区结构上的第一多晶硅结构; 直接在第一有源区结构的第一部分上的第一金属结构，其包括在第一多晶硅结构的第一侧上的第一部分和在第一多晶硅结构的第二侧的第二侧上的第二部分到第一个多晶硅结构的第一面; 以及第二金属结构，其直接与第一多晶硅结构的与第一金属结构的第一部分接触的部分以及与第一金属结构的第二部分接触并接触。图示：图 1

38. 发明专利

JP5836311B2 センサーデバイス及びIC装置有权
标题翻译：传感器设备和IC器件
公开(公告)号：JP5836311B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2013093464
申请日：2013-04-26
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：陳思瑩 , 劉丙寅 , 趙亦平 , 王子睿 , 劉人誠 , 楊敦年 , 趙蘭▲りん▼
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H04N5/335 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1469 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L2924/0002

39. 发明专利

JP2015173284A パッド構造审中-公开
标题翻译： PAD结构
公开(公告)号：JP2015173284A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015102960
申请日：2015-05-20
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：陳思瑩 , 林政賢 , 楊敦年 , 劉人誠 , 劉家▲い▼ , 曾仲銓
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205
CPC分类号： H05K1/0296 , H01L23/522 , H01L23/5283 , H01L23/562 , H05K1/115 , H01L2224/05093 , H01L2224/05568 , H01L24/05
摘要：【課題】剥離を軽減するパッド構造を提供する。【解決手段】パッド構造は、第一領域の上に位置する接着領域と、接着領域下のパッドであって、第一領域または第二領域のうちの少なくとも一つの上に位置するパッドと、パッド下の第一層間領域であって、第一領域に関連する第一層間誘電体領域、および、一つ以上のパッド接続を含む第一層間領域と、第一層間領域に関連する第一金属間誘電体領域、および、第二領域に関連する第二金属間領域を含む、層間領域下の第一金属間領域であって、第一金属間誘電体領域は、パッド構造に関連する剥離を軽減するように構成されることと、第一金属間領域下のパッシベーション酸化物領域であって、このパッシベーション酸化物領域は、第二領域に関連する第一再分配層含むことと、パッシベーション酸化物領域下のウェハとを含む。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于减轻剥离的垫结构。解决方案：垫结构包括：位于第一区域上方的粘结区域; 垫，其设置在所述接合区域的下方并且位于所述第一区域和第二区域中的至少一个的上方; 设置在所述焊盘下方的第一层间区域，所述第一层间区域包括与所述第一区域相关联的第一层间电介质区域，并且还包括一个或多个焊盘连接; 设置在所述第一层间区域下方的第一金属间区域，所述第一金属间区域包括与所述第一区域相关联的第一金属间介电区域和与所述第二区域相关联的第二金属间区域，第一金属间介质区域被配置为减轻与焊盘结构相关联的剥离; 设置在所述第一金属间区域下方的钝化氧化物区域，所述钝化氧化物区域包括与所述第二区域相关联的第一再分布层; 以及设置在钝化氧化物区域下方的晶片。

40. 发明专利

JP5744145B2 フィン型電界効果トランジスタおよびその製造方法有权
标题翻译：鳍式场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP5744145B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2013201824
申请日：2013-09-27
申请人：台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 , Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
发明人：林家彬 , ▲せん▼ 前泰 , 林獻欽 , 林學仕
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/823412 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/165

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