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31. 发明专利

TW201733737A 晶圓之兩面研磨方法审中-公开
简体标题：晶圆之两面研磨方法
公开(公告)号：TW201733737A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105140592
申请日：2016-12-08
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：御厨俊介 , MIKURIYA, SHUNSUKE , 三浦友紀 , MIURA, TOMONORI
IPC分类号： B24B37/28 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/12 , B24B37/24 , H01L21/304
摘要：提供晶圓的兩面研磨方法，其能夠獲致在晶圓的全面形狀之良好的平坦度，並且能夠充分抑制晶圓外周的疲塌。晶圓的兩面研磨方法，其用中央部分別設有中央孔且分別在研磨面貼附了研磨布的甜甜圈形狀的上定盤及下定盤夾壓住晶圓，將研磨漿從研磨漿供給孔供給至晶圓，旋轉驅動上定盤和下定盤，以對晶圓的兩面進行研磨，該方法在分別貼附於上定盤及下定盤的研磨布的雙方，設置使用研磨布壓縮治具將研磨布的外周或內周在鉛直方向壓縮成形的外周側壓縮部或內周側壓縮部當中的任一者或兩者；於外周側壓縮部的水平方向的寬度為壓縮幅A，於內周側壓縮部的水平方向的寬度為壓縮幅B，晶圓的直徑為D時，壓縮幅A滿足0.05×D≦A，壓縮幅B滿足0.30×D≧B。
简体摘要：提供晶圆的两面研磨方法，其能够获致在晶圆的全面形状之良好的平坦度，并且能够充分抑制晶圆外周的疲塌。晶圆的两面研磨方法，其用中央部分别设有中央孔且分别在研磨面贴附了研磨布的甜甜圈形状的上定盘及下定盘夹压住晶圆，将研磨浆从研磨浆供给孔供给至晶圆，旋转驱动上定盘和下定盘，以对晶圆的两面进行研磨，该方法在分别贴附于上定盘及下定盘的研磨布的双方，设置使用研磨布压缩治具将研磨布的外周或内周在铅直方向压缩成形的外周侧压缩部或内周侧压缩部当中的任一者或两者；于外周侧压缩部的水平方向的宽度为压缩幅A，于内周侧压缩部的水平方向的宽度为压缩幅B，晶圆的直径为D时，压缩幅A满足0.05×D≦A，压缩幅B满足0.30×D≧B。

32. 发明专利

TW201732222A 氧化矽玻璃坩堝、氧化矽玻璃坩堝的製造方法、單晶矽的提拉裝置、錠及同質外延晶圓审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚、氧化硅玻璃坩埚的制造方法、单晶硅的提拉设备、锭及同质外延晶圆
公开(公告)号：TW201732222A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142314
申请日：2016-12-20
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/16 , C03B5/08 , C03B20/00 , C03C3/04 , G01N21/21 , G01N21/958 , C30B15/10
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57
摘要：本發明提供準確測量內部殘留應力的氧化矽玻璃坩堝。被歪曲測量裝置測量過的氧化矽玻璃坩堝包括：圓筒狀的側壁部、彎曲的底部、以及角部，角部設置在側壁部與底部之間並且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲測量裝置具有：發光部，配置在側壁部的側方，向側壁部照射偏振光；拍攝部，讀入與側壁部的上端面的偏振光對應的影像；以及輸出部，基於由拍攝部讀入的影像，輸出氧化矽玻璃坩堝的歪曲分佈。
简体摘要：本发明提供准确测量内部残留应力的氧化硅玻璃坩埚。被歪曲测量设备测量过的氧化硅玻璃坩埚包括：圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、以及角部，角部设置在侧壁部与底部之间并且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲测量设备具有：发光部，配置在侧壁部的侧方，向侧壁部照射偏振光；拍摄部，读入与侧壁部的上端面的偏振光对应的影像；以及输出部，基于由拍摄部读入的影像，输出氧化硅玻璃坩埚的歪曲分布。

33. 发明专利

TW201732221A 氧化矽玻璃坩堝的歪曲測量裝置、單晶矽的製造方法、氧化矽玻璃坩堝的歪曲測量方法、相位差圖、錠及同質外延晶圓审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的歪曲测量设备、单晶硅的制造方法、氧化硅玻璃坩埚的歪曲测量方法、相位差图、锭及同质外延晶圆
公开(公告)号：TW201732221A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142313
申请日：2016-12-20
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 北原賢 , KITAHARA, KEN , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： G01B11/16 , C30B15/10
CPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57
摘要：本發明在於準確地測量氧化矽玻璃坩堝的內部殘留應力。本發明的歪曲測量裝置用於測量氧化矽玻璃坩堝的歪曲，其中氧化矽玻璃坩堝包括：圓筒狀的側壁部、彎曲的底部、以及角部，角部設置在側壁部與底部之間並且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲測量裝置具有：發光部，配置在側壁部的側方，向側壁部照射偏振光；拍攝部，讀入與側壁部的上端面的偏振光對應的影像；以及輸出部，基於由拍攝部讀入的影像，輸出氧化矽玻璃坩堝的歪曲分佈。
简体摘要：本发明在于准确地测量氧化硅玻璃坩埚的内部残留应力。本发明的歪曲测量设备用于测量氧化硅玻璃坩埚的歪曲，其中氧化硅玻璃坩埚包括：圆筒状的侧壁部、弯曲的底部、以及角部，角部设置在侧壁部与底部之间并且具有比底部的曲率大的曲率，歪曲测量设备具有：发光部，配置在侧壁部的侧方，向侧壁部照射偏振光；拍摄部，读入与侧壁部的上端面的偏振光对应的影像；以及输出部，基于由拍摄部读入的影像，输出氧化硅玻璃坩埚的歪曲分布。

34. 发明专利

TWI598951B 半導體晶圓的蝕刻裝置及半導體晶圓的蝕刻方法有权
简体标题：半导体晶圆的蚀刻设备及半导体晶圆的蚀刻方法
公开(公告)号：TWI598951B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105112384
申请日：2016-04-21
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：山田源治 , YAMADA, MOTOHARU , 福永寿也 , FUKUNAGA, HISAYA , 平山和也 , HIRAYAMA, KAZUYA
IPC分类号： H01L21/306

35. 发明专利

TW201726985A 單晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201726985A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105132822
申请日：2016-10-12
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：金大基 , KIM, TEGI
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06
摘要：本發明的單晶矽的製造方法，包括：熔解步驟，以加熱部加熱收容矽的石英坩堝，來熔解該矽；沾步驟，使種晶接觸該石英坩堝內的矽熔液；以及拉起步驟，拉起該種結晶，育成矽單晶，其中該拉起步驟在該加熱部的消耗電力到達10000kWh以上之後開始該單晶矽的直胴部的形成，育成該單晶矽全體。
简体摘要：本发明的单晶硅的制造方法，包括：熔解步骤，以加热部加热收容硅的石英坩埚，来熔解该硅；沾步骤，使种晶接触该石英坩埚内的硅熔液；以及拉起步骤，拉起该种结晶，育成硅单晶，其中该拉起步骤在该加热部的消耗电力到达10000kWh以上之后开始该单晶硅的直胴部的形成，育成该单晶硅全体。

36. 发明专利

TWI590911B 工件之兩面硏磨裝置及兩面硏磨方法有权
简体标题：工件之两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TWI590911B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW103132931
申请日：2014-09-24
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：御厨俊介 , MIKURIYA, SHUNSUKE , 三浦友紀 , MIURA, TOMONORI
IPC分类号： B24B37/28 , B24B55/02
CPC分类号： B24B37/28

37. 发明专利

TWI589738B 磊晶生長裝置、磊晶晶圓之製造方法以及磊晶生長裝置用拉引銷有权
简体标题：磊晶生长设备、磊晶晶圆之制造方法以及磊晶生长设备用拉引销
公开(公告)号：TWI589738B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105110245
申请日：2016-03-31
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：櫻井雅哉 , SAKURAI, MASAYA
IPC分类号： C30B25/12 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/02293 , H01L21/205 , H01L21/67115 , H01L21/68742

38. 发明专利

TW201724377A ＩＩＩ族氮化物半導體基板之製造方法及ＩＩＩ族氮化物半導體基板审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族氮化物半导体基板之制造方法及ＩＩＩ族氮化物半导体基板
公开(公告)号：TW201724377A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105136477
申请日：2016-11-09
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：松本光二 , MATSUMOTO, KOJI , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI , 天野浩 , AMANO, HIROSHI , 本田善央 , HONDA, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/8252
CPC分类号： C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要：本發明係一種III族氮化物半導體基板之製造方法及III族氮化物半導體基板，其課題為本發明係提供：可有效率地得到表面之錯位密度為低之III族氮化物半導體基板之III族氮化物半導體基板的製造方法。解決手段為本發明之III族氮化物半導體基板之製造方法，係其特徵為具有：於基板上形成第二III族氮化物半導體層之第一工程，和於前述第二III族氮化物半導體層上形成保護層之第二工程，和經由對於前述保護層及前述第二III族氮化物半導體層而言之氣相蝕刻，選擇性地形成坑槽於前述第二III族氮化物半導體層上之錯位部分的第三工程，和呈殘存有前述坑槽地，於前述第二III族氮化物半導體層及/或殘存的前述保護層的上方，形成第三III族氮化物半導體層之第四工程者。
简体摘要：本发明系一种III族氮化物半导体基板之制造方法及III族氮化物半导体基板，其课题为本发明系提供：可有效率地得到表面之错位密度为低之III族氮化物半导体基板之III族氮化物半导体基板的制造方法。解决手段为本发明之III族氮化物半导体基板之制造方法，系其特征为具有：于基板上形成第二III族氮化物半导体层之第一工程，和于前述第二III族氮化物半导体层上形成保护层之第二工程，和经由对于前述保护层及前述第二III族氮化物半导体层而言之气相蚀刻，选择性地形成坑槽于前述第二III族氮化物半导体层上之错位部分的第三工程，和呈残存有前述坑槽地，于前述第二III族氮化物半导体层及/或残存的前述保护层的上方，形成第三III族氮化物半导体层之第四工程者。

39. 发明专利

TW201724240A 半導體晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201724240A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128874
申请日：2016-09-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , B24B27/06 , H01L21/304
摘要：藉由減低複數塗佈層的最外側的塗佈層的表面起伏以將其面平坦化，將研磨後的半導體晶圓的表面起伏去除並將其表面平坦化。首先，將半導體單結晶錠切片以製作薄圓板狀的晶圓(切片步驟)，藉由在此晶圓的第一面全體上塗佈硬化性材料，在形成已平坦化的塗佈層之後(塗佈層形成步驟)，使此塗佈層硬化(塗佈層硬化步驟)。接著，利用研磨裝置對與晶圓的第一面為反對側的第二面進行研磨之後，將塗佈層從晶圓的第一面去除。更利用研磨裝置平面研磨晶圓的第一面。上述切片步驟之後，頻率解析上述塗佈層形成步驟前的晶圓的第一面的表面高度，當10~100nm的波長區域的晶圓的第一面的表面起伏的振幅是0.5μm以上時，重複複數次塗佈層形成步驟及塗佈層硬化步驟。
简体摘要：借由减低复数涂布层的最外侧的涂布层的表面起伏以将其面平坦化，将研磨后的半导体晶圆的表面起伏去除并将其表面平坦化。首先，将半导体单结晶锭切片以制作薄圆板状的晶圆(切片步骤)，借由在此晶圆的第一面全体上涂布硬化性材料，在形成已平坦化的涂布层之后(涂布层形成步骤)，使此涂布层硬化(涂布层硬化步骤)。接着，利用研磨设备对与晶圆的第一面为反对侧的第二面进行研磨之后，将涂布层从晶圆的第一面去除。更利用研磨设备平面研磨晶圆的第一面。上述切片步骤之后，频率解析上述涂布层形成步骤前的晶圆的第一面的表面高度，当10~100nm的波长区域的晶圆的第一面的表面起伏的振幅是0.5μm以上时，重复复数次涂布层形成步骤及涂布层硬化步骤。

40. 发明专利

TW201722617A 承載環、研磨裝置以及研磨方法审中-公开
简体标题：承载环、研磨设备以及研磨方法
公开(公告)号：TW201722617A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105127028
申请日：2016-08-24
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：西村好信 , NISHIMURA, YOSHINOBU
IPC分类号： B24B7/17 , H01L21/304
CPC分类号： B24B7/04 , B24B7/17 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種研磨裝置，不需要使步驟複雜化及提升成本就能夠提升被研磨物的研磨品質。兩頭研磨裝置包括：具有能夠支持矽晶圓W的支持孔241的圓板狀的承載環2；以承載環2的中心C1為旋轉軸來旋轉該承載環2的旋轉機構；具有研磨矽晶圓W的砥石的研磨輪4，其中支持孔241形成該支持孔241的中心C2相對於承載環2的中心C1偏心的圓形。
简体摘要：本发明提供一种研磨设备，不需要使步骤复杂化及提升成本就能够提升被研磨物的研磨品质。两头研磨设备包括：具有能够支持硅晶圆W的支持孔241的圆板状的承载环2；以承载环2的中心C1为旋转轴来旋转该承载环2的旋转机构；具有研磨硅晶圆W的砥石的研磨轮4，其中支持孔241形成该支持孔241的中心C2相对于承载环2的中心C1偏心的圆形。

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