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31. 发明专利

TW200818012A 程式障礙解析系統,障礙解析方法及模擬裝置审中-公开
简体标题：进程障碍解析系统,障碍解析方法及仿真设备
公开(公告)号：TW200818012A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096127782
申请日：2007-07-30
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：長野岳彥 , 野尻徹 , 茂岡知彥
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F11/261 , G06F11/3652
摘要：作為藉由對象機器300之CPU310而使在ROM330上所被實行之程式(331)的實行停止之手段,而使用CPU强制停止訊號。在ICE裝置200-CPU310之間,對從發行CPU强制停止訊號起直到CPU310停止為止所必要之時間作考慮及設定,並決定成為較停止對象位置為更前方之CPU强制停止訊號發行位置。根據CPU310之即時追蹤功能311,在程式(331)之實行上的CPU强制停止訊號發行位置以及時機下,發行CPU强制停止訊號,而使其停止並取得事件。藉由此,而提供一種:不依存於中斷點暫存器(breakpoint register)之數量,而能取得程式之任意數量的事件之技術。
简体摘要：作为借由对象机器300之CPU310而使在ROM330上所被实行之进程(331)的实行停止之手段,而使用CPU强制停止信号。在ICE设备200-CPU310之间,对从发行CPU强制停止信号起直到CPU310停止为止所必要之时间作考虑及设置,并决定成为较停止对象位置为更前方之CPU强制停止信号发行位置。根据CPU310之实时追踪功能311,在进程(331)之实行上的CPU强制停止信号发行位置以及时机下,发行CPU强制停止信号,而使其停止并取得事件。借由此,而提供一种:不依存于中断点寄存器(breakpoint register)之数量,而能取得进程之任意数量的事件之技术。

32. 发明专利

TWI295394B 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE 有权
简体标题：液晶显示设备 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TWI295394B
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW091103293
申请日：2002-02-25
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：阿武恒一 , 早田浩子 , 佐佐木亨
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/134336 , G02F1/136227
摘要：本發明可大幅減少液晶顯示裝置在光反射模式下所產生之對比的降低。本發明係揭示一種液晶顯示裝置，其具有像素區域，位於隔著液晶對向配置之基板中之一方之基板之液晶側之面上，且區分為光反射部及光透過部，其中該上述像素區域中，依序積層形成透光性之上述第1像素電極，其形成於光反射部及光透過部上；材料層，其形成於上述光反射部之大部分上；絕緣層，其在上述光透過部上形成開口；及前述第2像素電極，其形成於上述光反射部上，且兼具反射膜之作用。
简体摘要：本发明可大幅减少液晶显示设备在光反射模式下所产生之对比的降低。本发明系揭示一种液晶显示设备，其具有像素区域，位于隔着液晶对向配置之基板中之一方之基板之液晶侧之面上，且区分为光反射部及光透过部，其中该上述像素区域中，依序积层形成透光性之上述第1像素电极，其形成于光反射部及光透过部上；材料层，其形成于上述光反射部之大部分上；绝缘层，其在上述光透过部上形成开口；及前述第2像素电极，其形成于上述光反射部上，且兼具反射膜之作用。

33. 发明专利

TWI294441B 熱硬化性樹脂硬化物有权
简体标题：热硬化性树脂硬化物
公开(公告)号：TWI294441B
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：TW090113085
申请日：2001-05-30
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：赤塚正樹 , 竹澤由高 TAKEZAWA, YOSHITAKA , 菅原捷夫
IPC分类号： C08L
摘要：熱硬化性樹脂硬化物之樹脂成分中存在各向異性構造，且構成該各向異性構造之各向異性構造單位為具有共價鍵部分，該各向異性構造單位直徑之最大值為400nm以上，且樹脂成分中所含之各向異性構造比例為25體積%以上之高熱傳導性的熱硬化性樹脂硬化物。該高熱傳導性之熱硬化性樹脂硬化物中之樹脂成分期望為具有液晶原(mesogen)之環氧樹脂單體和含有環氧樹脂用硬化劑之環氧樹脂硬化物。又，該環氧樹脂單體期望為下述一般式(1) E-M-S-M-E …(1)(但，E為環氧基，M為液晶原基，S為間隔部)所示之環氧樹脂單體。藉此，可提供熱傳導率大為提高之高熱傳導性之熱硬化性樹脂硬化物。
简体摘要：热硬化性树脂硬化物之树脂成分中存在各向异性构造，且构成该各向异性构造之各向异性构造单位为具有共价键部分，该各向异性构造单位直径之最大值为400nm以上，且树脂成分中所含之各向异性构造比例为25体积%以上之高热传导性的热硬化性树脂硬化物。该高热传导性之热硬化性树脂硬化物中之树脂成分期望为具有液晶原(mesogen)之环氧树脂单体和含有环氧树脂用硬化剂之环氧树脂硬化物。又，该环氧树脂单体期望为下述一般式(1) E-M-S-M-E …(1)(但，E为环氧基，M为液晶原基，S为间隔部)所示之环氧树脂单体。借此，可提供热传导率大为提高之高热传导性之热硬化性树脂硬化物。

34. 发明专利

TW200811973A 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200811973A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096136616
申请日：2001-10-12
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：宮木美典 MIYAKI, YOSHINORI , 鈴木博通 SUZUKI, HIROMICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49506 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：目的在於提升信賴性及達成引線框架之標準化。解決方法為,由:延伸於半導體晶片2之周圍的多數內引線1b;支持上述半導體晶片2,且分別與內引線1b之端部接合的捲帶狀基板5;連接形成於半導體晶片2之主面2c的電極和內引線1b的導線;對上述半導體晶片2與上述導線施以樹脂封裝而形成的封裝部;及與內引線1b相連接,且由上述封裝部朝4方向露出的多數外引線構成;半導體晶片2之短邊之長度(a),和前端位置配置於最遠離半導體晶片2的內引線1b之與半導體晶片2之間之間隙(b),具備a≦2b之關係,可達成窄電極間距化之同時,可搭載較小之半導體晶片2,可達成引線框架之標準化。
简体摘要：目的在于提升信赖性及达成引线框架之标准化。解决方法为,由:延伸于半导体芯片2之周围的多数内引线1b;支持上述半导体芯片2,且分别与内引线1b之端部接合的卷带状基板5;连接形成于半导体芯片2之主面2c的电极和内引线1b的导线;对上述半导体芯片2与上述导线施以树脂封装而形成的封装部;及与内引线1b相连接,且由上述封装部朝4方向露出的多数外引线构成;半导体芯片2之短边之长度(a),和前端位置配置于最远离半导体芯片2的内引线1b之与半导体芯片2之间之间隙(b),具备a≦2b之关系,可达成窄电极间距化之同时,可搭载较小之半导体芯片2,可达成引线框架之标准化。

35. 发明专利

TWI293159B 電子裝置及橡膠產品,以及這些的製造方法失效
简体标题：电子设备及橡胶产品,以及这些的制造方法
公开(公告)号：TWI293159B
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW093129452
申请日：2004-09-29
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：角田重晴 , 寶藏寺裕之 HOZOJI, HIROSHI , 皆川圓
IPC分类号： G06K
CPC分类号： G06K19/07749 , G06K19/07728 , G06K19/07764
摘要：本發明的課題是提高RFID片插入物的耐久性。解決其課題的代表性手段，藉由RFID片5以具有黏接劑的聚醯亞胺樹脂帶7覆蓋表面於安裝在天線部6的安裝構造體，來形成RFID插入物，又，以脫模處理的基材4施以脫模處理的面覆蓋RFID插入物的外周部者。又，橡膠產品的情形，是繼續此而在該狀態下配置於橡膠產品的橡膠基材2，而以未加硫橡膠材8'覆蓋其露出面，藉由進行加壓加熱處理，內包於橡膠基材者。
简体摘要：本发明的课题是提高RFID片插入物的耐久性。解决其课题的代表性手段，借由RFID片5以具有黏接剂的聚酰亚胺树脂带7覆盖表面于安装在天线部6的安装构造体，来形成RFID插入物，又，以脱模处理的基材4施以脱模处理的面覆盖RFID插入物的外周部者。又，橡胶产品的情形，是继续此而在该状态下配置于橡胶产品的橡胶基材2，而以未加硫橡胶材8'覆盖其露出面，借由进行加压加热处理，内包于橡胶基材者。

36. 发明专利

TW200806564A 昇降機控制裝置失效
简体标题：升降机控制设备
公开(公告)号：TW200806564A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096102497
申请日：2007-01-23
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立大樓系統股份有限公司 HITACHI BUILDING SYSTEMS CO., LTD. , 日立水戶工程技術股份有限公司 HITACHI MITO ENGINEERING CO., LTD.
发明人：杉山洋平 SUGIYAMA, YOHEI , 山下健一 YAMASHITA, KENICHI , 會田敬一 AIDA, KEIICHI , 高橋裕智 TAKAHASHI, YASUNORI , 岸川孝生 KISHIKAWA, TAKAO , 藤野篤哉 FUJINO, ATSUYA , 川西清司 KAWANISHI, SEIJI , 中村元美 NAKAMURA, MOTOYOSHI
IPC分类号： B66B
摘要：課題在地震時實施自動診斷運轉之際,抑制配重與昇降廂接觸而損傷昇降廂或配重的情形。解決手段具備:在感測到所定値以上的搖動大小時停止運轉昇降機的手段,及在成為停止運轉時自動地進行診斷運轉,由停止運轉修復的手段,又具備:檢測昇降廂與配重的位置的位置檢測手段,及在上述昇降廂與配重的位置之距離為所定値以下時輸出減速指令的速度控制手段。效果當昇降廂與配重接近,則昇降廂與配重被減速之故,因而可抑制昇降廂與配重接觸時的損傷。
简体摘要：课题在地震时实施自动诊断运转之际,抑制配重与升降厢接触而损伤升降厢或配重的情形。解决手段具备:在传感到所定値以上的摇动大小时停止运转升降机的手段,及在成为停止运转时自动地进行诊断运转,由停止运转修复的手段,又具备:检测升降厢与配重的位置的位置检测手段,及在上述升降厢与配重的位置之距离为所定値以下时输出减速指令的速度控制手段。效果当升降厢与配重接近,则升降厢与配重被减速之故,因而可抑制升降厢与配重接触时的损伤。

37. 发明专利

TWI292842B 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE 有权
简体标题：液晶显示设备 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TWI292842B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW090108719
申请日：2001-04-12
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立裝置工程股份有限公司 HITACHI DEVICE ENGINEERING CO., LTD.
发明人：根本壯太 , 吉田和俊 , 上原正男 , 星野登 , 中村善明 , 藤枝正芳 , 平賀浩二
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/133553
摘要：本發明之目的乃提供一種，在於透過光及反射光之任一顯示模式之下仍然可以獲得明亮及良好之對比之畫像顯示又在任一之顯示模式之下仍然可能做良好之彩色顯示之液晶顯示裝置也。為了解決此問題，在於複數的具有一方之電極 ITO1之第1透明基板SUB1，與複數的具有與一方之電極相面向之另一方之電極ITO2之第2透明基板 SUB2之間挾持液晶LC，於一方之電極ITO1與另一方之電極ITO2之各面向部形成畫素領域，而於第1透明基板SUB1與另一方之電極ITO1之間配置半透過‧反射膜T/R。而在此半透過‧反射膜T/R之畫素領域形成光透過孔AP，而在鄰接之畫素領域之間隙也形成半透過‧反射膜T/R。或形成光透過孔AP之同時，在於鄰接之畫素領域間形成細縫SLT，而在上述細縫SLT與上述第1透明基板SUB1之間形成光吸收膜BM，或將光吸收膜BM填充於細縫者。
简体摘要：本发明之目的乃提供一种，在于透过光及反射光之任一显示模式之下仍然可以获得明亮及良好之对比之画像显示又在任一之显示模式之下仍然可能做良好之彩色显示之液晶显示设备也。为了解决此问题，在于复数的具有一方之电极 ITO1之第1透明基板SUB1，与复数的具有与一方之电极相面向之另一方之电极ITO2之第2透明基板 SUB2之间挟持液晶LC，于一方之电极ITO1与另一方之电极ITO2之各面向部形成像素领域，而于第1透明基板SUB1与另一方之电极ITO1之间配置半透过‧反射膜T/R。而在此半透过‧反射膜T/R之像素领域形成光透过孔AP，而在邻接之像素领域之间隙也形成半透过‧反射膜T/R。或形成光透过孔AP之同时，在于邻接之像素领域间形成细缝SLT，而在上述细缝SLT与上述第1透明基板SUB1之间形成光吸收膜BM，或将光吸收膜BM填充于细缝者。

38. 发明专利

TW200805674A 圖案形成裝置及有機薄膜電晶體之製造方法、以及有機薄膜電晶體失效
简体标题：图案形成设备及有机薄膜晶体管之制造方法、以及有机薄膜晶体管
公开(公告)号：TW200805674A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096119142
申请日：2007-05-29
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：井上智博 INOUE, TOMOHIRO , 安藤正彥 ANDOU, MASAHIKO , 今關周治 IMAZEKI, SYUJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L27/283 , H01L51/0545 , Y10S438/907 , Y10S438/908 , Y10S438/909 , Y10S438/913 , Y10T403/60
摘要： [課題]將形成在基板上的濕潤圖案之檢查,簡易而且確實地實行。[解決手段]圖案形成裝置,係在多數規則地形成相同的閘極電極圖案之透明的基板上形成圖案。液膜塗佈手段係於基板16可塗佈感光性撥液膜18。曝光裝置10係將配置於基板的背面側而塗佈於基板上的撥液膜,形成為對應於閘極電極13的圖案。滴下裝置55係於具有以曝光手段所形成撥液膜圖案之基板表面滴下檢查液。計測手段58係檢測滴下裝置滴下的液滴。依照檢測手段檢測的液滴而判斷手段判斷曝光裝置形成的撥液膜圖案之良劣。
简体摘要： [课题]将形成在基板上的湿润图案之检查,简易而且确实地实行。[解决手段]图案形成设备,系在多数守则地形成相同的闸极电极图案之透明的基板上形成图案。液膜涂布手段系于基板16可涂布感光性拨液膜18。曝光设备10系将配置于基板的背面侧而涂布于基板上的拨液膜,形成为对应于闸极电极13的图案。滴下设备55系于具有以曝光手段所形成拨液膜图案之基板表面滴下检查液。计测手段58系检测滴下设备滴下的液滴。依照检测手段检测的液滴而判断手段判断曝光设备形成的拨液膜图案之良劣。

39. 发明专利

TW200803974A 液體搬送裝置失效
简体标题：液体搬送设备
公开(公告)号：TW200803974A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096105744
申请日：2007-02-15
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：竹中啓 TAKENAKA, KEI , 後藤康 GOTO, YASUSHI
IPC分类号： B01J
CPC分类号： F04B19/006 , B01F13/0076 , B01L3/502792 , B01L2200/10 , B01L2300/0816 , B01L2300/0819 , B01L2300/089 , B01L2400/0415
摘要：【【課題】】針對在二維方向搬送液體之基板,將搬送所需要之電極具備於同一基板上,而抑制控制電位之機構的數目。【【解決手段】】使用液體搬送基板13,此液體搬送基板13之表面係被具有撥水性表面之介電質所覆蓋,並具備有:被配置於基板平面上之矩形電極131;和於x方向連結矩形電極131之第1軸電極列1311-1322;和於y方向連結矩形電極131之第2軸電極列1331-1342。藉由此,將液滴之搬送所必要的電極具備於同一基板上,而能抑制控制電位之機構的數目。
简体摘要：【【课题】】针对在二维方向搬送液体之基板,将搬送所需要之电极具备于同一基板上,而抑制控制电位之机构的数目。【【解决手段】】使用液体搬送基板13,此液体搬送基板13之表面系被具有拨水性表面之介电质所覆盖,并具备有:被配置于基板平面上之矩形电极131;和于x方向链接矩形电极131之第1轴电极列1311-1322;和于y方向链接矩形电极131之第2轴电极列1331-1342。借由此,将液滴之搬送所必要的电极具备于同一基板上,而能抑制控制电位之机构的数目。

40. 发明专利

TWI292579B 自體發光面板型顯示裝置 SELF-LUMINOUS PANEL TYPE DISPLAY DEVICE 失效
简体标题：自体发光皮肤型显示设备 SELF-LUMINOUS PANEL TYPE DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TWI292579B
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：TW092103658
申请日：2003-02-21
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：佐佐木進 SASAKI SUSUMU , 金子好之 KANEKO YOSHIYUKI , 平澤重實 HIRASAWA SHIGEMI , 木島勇一 HIRASAWA SHIGEMI , 宮田健治 MIYATA KENJI
IPC分类号： H01J
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469
摘要：本發明為了獲得如下所述之電子源用膠，在奈米碳管和金屬之膠中添加硼(B)。經由硼的添加，可抑制奈米碳管的氧化，在燒製等之加熱處理方面可防止電子釋出性的劣化和電子釋出均一性的劣化。上述電子源用膠係可提升奈米碳管之耐熱性，以高溫加熱亦可抑制奈米碳管之燒失，且具有高性能之電子釋出性能者。
简体摘要：本发明为了获得如下所述之电子源用胶，在奈米碳管和金属之胶中添加硼(B)。经由硼的添加，可抑制奈米碳管的氧化，在烧制等之加热处理方面可防止电子发佈性的劣化和电子发佈均一性的劣化。上述电子源用胶系可提升奈米碳管之耐热性，以高温加热亦可抑制奈米碳管之烧失，且具有高性能之电子发佈性能者。

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