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31. 发明专利

JP2015005731A 酸化物半導体膜およびその作製方法审中-公开
标题翻译：氧化物半导体膜及其形成方法
公开(公告)号：JP2015005731A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014101935
申请日：2014-05-16
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02565 , C23C14/086 , C23C14/3457 , C23C14/35 , H01L21/02554 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02686 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要：【課題】結晶性の酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】結晶性In−Ga−Zn酸化物を含むターゲットにイオンを衝突させることで、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子を有する第1の層と、亜鉛原子および酸素原子を含む第2の層と、インジウム原子および酸素原子を有する第3の層と、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子を有する第4の層と、が順に積み重なった平板状のIn−Ga−Zn酸化物を剥離させ、平板状のIn−Ga−Zn酸化物が、結晶性を維持したまま基板上に堆積した後、第2の層をガス化して排気する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供结晶氧化物半导体膜。解决方案：通过离子与包括晶体In-Ga-Zn氧化物的靶的碰撞，分离出平板状的In-Ga-Zn氧化物。在平板状In-Ga-Zn氧化物中，包含镓原子，锌原子和氧原子的第一层，包含锌原子和氧原子的第二层，包含铟原子的第三层和氧原子，并且包含镓原子，锌原子和氧原子的第四层按顺序堆叠。在平板状的In-Ga-Zn氧化物沉积在衬底上同时保持结晶度之后，第二层被气化和排出。

32. 发明专利

JP2015004978A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015004978A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014147611
申请日：2014-07-18
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： SAKAKURA MASAYUKI , OIKAWA YOSHIAKI , YAMAZAKI SHUNPEI , SAKATA JUNICHIRO , TSUBUKI MASASHI , AKIMOTO KENGO , HOSOHANE MIYUKI
IPC分类号： G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L27/322 , H01L27/3262
摘要：【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种在同一基板上形成多种电路的发光装置，并且提供多种薄膜晶体管，以对应于多种类型的电路的特性电路。作为用于像素的薄膜晶体管，使用包括与源极电极层和漏极电极层重叠的氧化物半导体层的反转共面薄晶体管。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道蚀刻型薄膜晶体管。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置处，在薄膜晶体管和发光元件之间形成滤色器层。

33. 发明专利

JP2014241440A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014241440A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014177125
申请日：2014-09-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , MIYAIRI HIDEKAZU , MIYANAGA SHOJI , AKIMOTO KENGO , SHIRAISHI KOJIRO
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要：【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型(トップゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提出一种具有高电特性和高可靠性的薄膜晶体管的半导体器件; 并提出了一种制造具有高质量生产率的半导体器件的方法。解决方案：一种半导体器件包括使用包含In，Ga和Zn作为半导体层的氧化物半导体膜的交错（顶栅结构）薄膜晶体管，其中在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有缓冲层。通过有意地提供具有比源极电极层和漏极电极层和半导体层之间的半导体层的载流子浓度更高的载流子浓度的缓冲层，形成欧姆接触。

34. 发明专利

JP2014241429A 表示装置有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2014241429A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014157320
申请日：2014-08-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： KOYAMA JUN , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G2310/0275 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/7869
摘要：【課題】不要な電荷の蓄積を低減することを課題の一つとする。【解決手段】デプレッション型トランジスタである第1のトランジスタ及びエンハンスメント型トランジスタである第2のトランジスタを有する論理回路を含む駆動回路と、駆動回路に電気的に接続された信号線と、信号線を介して駆動回路から画像データとなる信号が入力されることにより、表示状態が制御される画素を含む画素部と、基準となる電圧が与えられる基準電圧線と、デプレッション型トランジスタであり、信号線と基準電圧線との導通を制御する第3のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタ乃至第3のトランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を含む表示装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：减少不必要的费用的存储。解决方案：显示装置包括：驱动电路，包括具有耗尽型第一晶体管和增强型第二晶体管的逻辑电路; 电连接到所述驱动电路的信号线; 像素单元，其包括通过从驱动电路经由信号线输入作为像素数据的信号来控制显示条件的像素; 施加用于参考电压的参考电压线; 以及用于控制信号线和参考电压线之间的导通的耗尽型第三晶体管。到第三晶体管的第一晶体管包括具有沟道形成区的氧化物半导体层。

35. 发明专利

JP2014241415A 半導体装置の作製方法、及び、半導体装置有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2014241415A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014141905
申请日：2014-07-10
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： TAKAHASHI HIDEKAZU , YAMADA HIROMI , MONMA YOHEI , ADACHI HIROKI , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/14692
摘要：【課題】素子の亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。基板を薄くし、作製される素子を搭載する装置の容積が縮小された半導体装置を歩留まりよく作製することを課題の一とする。【解決手段】基板の第1の面に半導体素子が設けられ、基板の第1の面とは反対の第2の面と、基板の側面の一部と、に樹脂層を有し、基板の側面に段差を有し、基板の幅寸法は、段差よりも先の部分が小さい。よって、基板の断面は、凸字形状ともいえる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高可靠性的半导体装置，其中诸如裂缝，裂纹和缺陷等元素的外观缺陷减小，并且制造具有薄的基板并减小装置的体积的半导体装置，，高产率。解决方案：半导体元件形成在基板的第一表面上。树脂层形成在与基板的第一表面相对的第二表面和基板的侧面的一部分上。在基板的侧面上形成台阶。衬底的前部的宽度尺寸比步骤的宽度尺寸窄。因此，衬底的横截面具有凸形状。

36. 发明专利

JP2014241406A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014241406A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014099421
申请日：2014-05-13
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , HAYAKAWA MASAHIKO , MATSUBAYASHI DAISUKE
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要：【課題】電気特性(例えば、オン電流、電界効果移動度、周波数特性等)の優れたトランジスタを有する半導体装置を提供する。または、信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1のゲート電極及び第2のゲート電極の間に酸化物半導体膜が設けられるデュアルゲート構造のトランジスタであって、トランジスタのチャネル幅方向において、第1のゲート電極及び第2のゲート電極の側面はそれぞれ、酸化物半導体膜の側面より外側に位置する半導体装置である。第1のゲート電極または第2のゲート電極は、第1のゲート電極または第2のゲート電極と酸化物半導体膜との間に設けられたゲート絶縁膜を介して、酸化物半導体膜の側面と対向する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的电特性（例如导通电流，电子场效应迁移率，频率特性等）的晶体管的半导体器件; 或提供具有高度可靠的晶体管的半导体器件。解决方案：在其中在第一栅电极和第二栅电极之间设置氧化物半导体膜的双栅晶体管中，第一栅电极和第二栅电极的侧面在晶体管的沟道宽度方向上分别位于氧化物半导体膜的侧面外侧。第一栅电极或第二栅极与设置在第一栅极电极或第二栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜的氧化物半导体膜的侧面相反。

37. 发明专利

JP2014239245A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014239245A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014150497
申请日：2014-07-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , NODA KOSEI , SASAKI TOSHINARI , OHARA HIROKI , SAKATA JUNICHIRO
IPC分类号： H01L21/336 , G02B5/20 , G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/14
摘要：【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成される配線と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層及び配線上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接する有機絶縁層とを有する薄膜トランジスタである【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高电特性可靠性的薄膜晶体管及其制造方法和薄膜晶体管，并提供能够提高图像质量的显示装置及其制造方法。解决方案：薄薄膜晶体管包括：栅电极; 形成在所述栅电极上的栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成的布线; 与栅电极重叠并形成在栅极绝缘层和布线上的氧化物半导体层; 和与氧化物半导体层接触的有机绝缘层。

38. 发明专利

JP2014239062A 発光装置有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2014239062A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014162007
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： SAKAKURA MASAYUKI , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： H05B33/22 , H01L51/50 , H05B33/04
CPC分类号： H01L29/78636 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , H01L27/1218 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/78603 , H01L29/78654 , H01L33/0041 , H01L51/5246 , H01L51/56
摘要：【課題】発光素子の下部に発生した凹凸が発光素子に悪影響を及ぼすことが無く、水の侵入を低減できる発光装置を提供する。【解決手段】基板上方に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上方に設けられた第1の導電膜と、第1の絶縁膜上方に設けられた第2の導電膜と、第1の導電膜及び第2の導電膜上方に設けられた第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上方に設けられた、平坦性を有する第3の絶縁膜と、第3の絶縁膜上方に設けられた第1の電極と、第1の電極上方に設けられた発光層と、発光層上方に設けられた第2の電極と、第3の絶縁膜上方に設けられたシール材と、を有し、第1の電極は、第1の導電膜と電気的に接続され、シール材は、第2の導電膜と重なる領域を有し、シール材は、第3の絶縁膜と接する領域を有する発光装置。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种发光器件，其中在发光元件的下部发生的不规则性不会对发光元件产生不利影响，并且水侵入减少。解决方案：一种发光器件，包括：第一绝缘膜设置在基板上; 设置在所述第一绝缘膜上方的第一导电膜; 设置在所述第一绝缘膜上方的第二导电膜; 设置在所述第一导电膜和所述第二导电膜上方的第二绝缘膜; 设置在所述第二绝缘膜上方并具有平坦度的第三绝缘膜; 设置在所述第三绝缘膜上方的第一电极; 设置在所述第一电极上方的发光层; 设置在所述发光层上方的第二电极; 以及设置在第三绝缘膜上方的密封材料。第一电极与第一导电膜电连接。密封材料具有与第二导电膜重叠的区域。密封材料具有与第三绝缘膜接触的区域。

39. 发明专利

JP2014232325A 表示装置审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2014232325A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：JP2014135714
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , UMEZAKI ATSUSHI
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/167 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G06F3/041 , G06F3/0483 , G09G3/344 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , H01L27/124 , H01L29/7869
摘要：【課題】安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する表示パネルを供えた電子書籍を提供する。また、画像の保持特性の高い電子書籍を提供する。また、高解像度の電子書籍を提供する。また、消費電力の低い電子書籍を提供する。【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタによって、電子書籍の表示パネルの表示を制御するものである。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电子书，其包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的显示面板，具有高图像保持特性的电子书，具有高分辨率的电子书和具有低功耗的电子书。解决方案：电子书的显示面板上的显示由薄膜晶体管控制，该薄膜晶体管的沟道形成区域是使用氧化物半导体形成的，氧化物半导体是本征或本质上的本征半导体，通过去除氧化物半导体中可能是电子给体的杂质并且具有比硅半导体更大的能隙。

40. 发明专利

JP2014225652A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014225652A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：JP2014081528
申请日：2014-04-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKAKURA MASAYUKI , SUZAWA HIDEOMI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/108
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】微細化に伴い顕著となる電気特性の低下を抑制できる構成の半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面上に形成された第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上に形成され、面積が第1の酸化物半導体層よりも小さく、全体が第1の酸化物半導体層と重なる第2の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層および第2の酸化物半導体層のそれぞれの一部と一方の面が接するソース電極層およびドレイン電極層と、第1の酸化物半導体層および第2の酸化物半導体層上に形成され、ソース電極層およびドレイン電極層の他方の面と一部が接する第3の酸化物半導体層と、第3の酸化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を有する構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件被配置为能够抑制与小型化相关的显着的电特性的降低。解决方案：半导体器件被配置为包括：形成在绝缘表面上的第一氧化物半导体层; 第二氧化物半导体层，其形成在第一氧化物半导体层上，并且具有比第一氧化物半导体层的面积小的面积，并且与第一氧化物半导体层完全重叠; 源极和漏极电极层，其每个具有与所述第一和第二氧化物半导体层中的每一个的一部分接触的一个表面; 第三氧化物半导体层，其形成在所述第一和第二氧化物半导体层上并与所述源极和漏极电极层的其它表面部分重叠; 形成在所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜; 以及形成在栅极绝缘膜上的栅极电极层。

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